公开(公告)号：US06413408B1

公开(公告)日：2002-07-02

申请号：US09336546

申请日：1999-06-19

申请人： Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Rüdiger Arens-Fischer ,  Hans Lüth ,  Walter Lang ,  Wolfgang Theiss ,  Stefan Hilbrich

发明人： Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Rüdiger Arens-Fischer ,  Hans Lüth ,  Walter Lang ,  Wolfgang Theiss ,  Stefan Hilbrich

IPC分类号： B23H300

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C25F3/12 ,  G02B5/285

摘要： An interference filter having a layer with an area consisting of a porous material extending from the surface of the layer to the interior, the dimensions of the porous layer area in a direction normal to the layer surface have different values to provide for varying reflection or, respectively, transmission characteristics.

摘要翻译： 一种干涉滤光器，其具有由从该表面到内部延伸的多孔材料构成的区域的层，垂直于该层表面的方向上的多孔层区域的尺寸具有不同的值以提供变化的反射， 分别为传输特性。

公开(公告)号：US06398943B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09581692

申请日：2000-06-14

申请人： Rüdiger Arens-Fischer ,  Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

发明人： Rüdiger Arens-Fischer ,  Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

IPC分类号： C25F300

CPC分类号： H01L33/346 ,  C25F3/12 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

摘要： A porous layer produced from silicon, germanium or aluminum by applying a wedge-shaped mask to the surface of the layer and by controlled elecrochemical etching along the mask.

摘要翻译： 通过将楔形掩模施加到该层的表面并沿着该掩模通过受控的电化学蚀刻，由硅，锗或铝制成的多孔层。

公开(公告)号：US06632699B1

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：US09704407

申请日：2000-11-02

申请人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

发明人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

IPC分类号： H01L21331

CPC分类号： H01L31/02161 ,  H01L27/146 ,  H01L31/1105 ,  Y10S438/96

摘要： A multiplicity of components form a photodiode array on a substrate. Each of the components consists of a transistor of the p-n-p type with the outermost p-doped layer being transformed into an optical filter by control of the anodic etching operation utilizing transistor characteristics of the respective transistor. The result can provide red, blue and green filters in a color camera.

摘要翻译： 多个组件在衬底上形成光电二极管阵列。 每个组件由p-n-p型晶体管组成，其中最外面的p掺杂层通过利用相应晶体管的晶体管特性控制阳极蚀刻操作而被转换成滤光器。 结果可以在彩色相机中提供红色，蓝色和绿色滤镜。

公开(公告)号：US06255709B1

公开(公告)日：2001-07-03

申请号：US09142295

申请日：1998-09-03

申请人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

发明人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

IPC分类号： H01L3106

CPC分类号： H01L31/02161 ,  H01L27/146 ,  H01L31/1105 ,  Y10S438/96

摘要： A multiplicity of components form a photodiode array on a substrate. Each of the components consists of a transistor of the p-n-p type with the outermost p-doped layer being transformed into an optical filter by control of the anodic etching operation utilizing transistor characteristics of the respective transistor. The result can provide red, blue and green filters in a color camera.

摘要翻译： 多个组件在衬底上形成光电二极管阵列。 每个组件由p-n-p型晶体管组成，其中最外面的p掺杂层通过利用相应晶体管的晶体管特性控制阳极蚀刻操作而被转换成滤光器。 结果可以在彩色相机中提供红色，蓝色和绿色滤镜。