公开(公告)号：US06413408B1

公开(公告)日：2002-07-02

申请号：US09336546

申请日：1999-06-19

申请人： Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Rüdiger Arens-Fischer ,  Hans Lüth ,  Walter Lang ,  Wolfgang Theiss ,  Stefan Hilbrich

发明人： Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Rüdiger Arens-Fischer ,  Hans Lüth ,  Walter Lang ,  Wolfgang Theiss ,  Stefan Hilbrich

IPC分类号： B23H300

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C25F3/12 ,  G02B5/285

摘要： An interference filter having a layer with an area consisting of a porous material extending from the surface of the layer to the interior, the dimensions of the porous layer area in a direction normal to the layer surface have different values to provide for varying reflection or, respectively, transmission characteristics.

摘要翻译： 一种干涉滤光器，其具有由从该表面到内部延伸的多孔材料构成的区域的层，垂直于该层表面的方向上的多孔层区域的尺寸具有不同的值以提供变化的反射， 分别为传输特性。

公开(公告)号：US06398943B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09581692

申请日：2000-06-14

申请人： Rüdiger Arens-Fischer ,  Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

发明人： Rüdiger Arens-Fischer ,  Michael Berger ,  Michael Krüger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

IPC分类号： C25F300

CPC分类号： H01L33/346 ,  C25F3/12 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

摘要： A porous layer produced from silicon, germanium or aluminum by applying a wedge-shaped mask to the surface of the layer and by controlled elecrochemical etching along the mask.

摘要翻译： 通过将楔形掩模施加到该层的表面并沿着该掩模通过受控的电化学蚀刻，由硅，锗或铝制成的多孔层。

公开(公告)号：US06632699B1

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：US09704407

申请日：2000-11-02

申请人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

发明人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

IPC分类号： H01L21331

CPC分类号： H01L31/02161 ,  H01L27/146 ,  H01L31/1105 ,  Y10S438/96

摘要： A multiplicity of components form a photodiode array on a substrate. Each of the components consists of a transistor of the p-n-p type with the outermost p-doped layer being transformed into an optical filter by control of the anodic etching operation utilizing transistor characteristics of the respective transistor. The result can provide red, blue and green filters in a color camera.

摘要翻译： 多个组件在衬底上形成光电二极管阵列。 每个组件由p-n-p型晶体管组成，其中最外面的p掺杂层通过利用相应晶体管的晶体管特性控制阳极蚀刻操作而被转换成滤光器。 结果可以在彩色相机中提供红色，蓝色和绿色滤镜。

公开(公告)号：US06255709B1

公开(公告)日：2001-07-03

申请号：US09142295

申请日：1998-09-03

申请人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

发明人： Michel Marso ,  Michael Krüger ,  Michael Berger ,  Markus Thönissen ,  Hans Lüth

IPC分类号： H01L3106

CPC分类号： H01L31/02161 ,  H01L27/146 ,  H01L31/1105 ,  Y10S438/96

摘要： A multiplicity of components form a photodiode array on a substrate. Each of the components consists of a transistor of the p-n-p type with the outermost p-doped layer being transformed into an optical filter by control of the anodic etching operation utilizing transistor characteristics of the respective transistor. The result can provide red, blue and green filters in a color camera.

摘要翻译： 多个组件在衬底上形成光电二极管阵列。 每个组件由p-n-p型晶体管组成，其中最外面的p掺杂层通过利用相应晶体管的晶体管特性控制阳极蚀刻操作而被转换成滤光器。 结果可以在彩色相机中提供红色，蓝色和绿色滤镜。

公开(公告)号：US07632670B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US10499751

申请日：2002-12-14

申请人： Andreas Offenhäusser ,  Margarete Odenthal ,  Michael Goryll ,  Jürgen Moers ,  Hans Lüth

发明人： Andreas Offenhäusser ,  Margarete Odenthal ,  Michael Goryll ,  Jürgen Moers ,  Hans Lüth

IPC分类号： C12M1/34

CPC分类号： G01N33/552 ,  C12Q1/005 ,  G01N27/4145 ,  G01N33/5438 ,  G01N33/551 ,  G01N2333/904 ,  G01N2333/908

摘要： Disclosed is a sensor comprising a substrate, a source contact region, a drain contact region, and the gate oxide of a transistor. A gate electrode is disposed between the gate oxide and a detection electrode made of a nonconducting material. The contact area Asens between the gate electrode and the detection electrode is larger than the contact area Agate between the gate electrode and the gate oxide, whereby the receptor can be immobilized on the surface of the detection electrode in a technically simple manner while the small contact area Agate between the gate electrode and the transistor provides for high sensitivity for detecting the analyte. According to the inventive method for detecting at least one analyte, at least one analyte is brought into contact with a receptor immobilized at the detection electrode so as to modify the electrical charge at the surface of the detection electrode. The analyte is detected by detecting the modified voltage in the transistor.

摘要翻译： 公开了一种传感器，其包括晶体管的基板，源极接触区域，漏极接触区域和栅极氧化物。 栅电极设置在栅极氧化物和由不导电材料制成的检测电极之间。 栅电极和检测电极之间的接触面积Asens大于栅电极和栅极氧化物之间的接触面积玛瑙，由此可以以技术上简单的方式将受体固定在检测电极的表面上，同时小接触 栅电极和晶体管之间的区域玛瑙提供了用于检测分析物的高灵敏度。 根据用于检测至少一种分析物的本发明的方法，至少一种分析物与固定在检测电极处的受体接触，以便改变检测电极表面的电荷。 通过检测晶体管中的修改的电压来检测分析物。