公开(公告)号：US20080106835A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11842177

申请日：2007-08-21

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： G02F1/136204 ,  H01L27/0248

摘要： An active device array substrate includes pixel units, scan lines, data lines, electrostatic discharge (ESD) protection elements, a short ring and an ESD biased generator. Each pixel unit is electrically connected to the corresponding scan line and data line. Each ESD protection element has a first connection terminal, a second connection terminal and a third connection terminal, wherein the first connection terminal is electrically connected to one of the corresponding scan line and data line, the second connection terminal is electrically connected to the short ring, and the third connection terminal is electrically connected to the ESD biased generator. As an ESD stress occurs, the ESD biased generator provides a voltage to the ESD protection elements to turn on them. It causes that the accumulated electrostatic charges are conducted into the lowest potential of the substrate through the short rings, so as to prevent the pixel units from ESD damaging.

摘要翻译： 有源器件阵列衬底包括像素单元，扫描线，数据线，静电放电（ESD）保护元件，短环和ESD偏置发生器。 每个像素单元电连接到相应的扫描线和数据线。 每个ESD保护元件具有第一连接端子，第二连接端子和第三连接端子，其中第一连接端子电连接到相应的扫描线和数据线之一，第二连接端子电连接到短环 并且第三连接端子电连接到ESD偏置发生器。 当ESD应力发生时，ESD偏置发生器向ESD保护元件提供电压以接通它们。 这导致累积的静电电荷通过短环进入衬底的最低电位，以防止像素单元受到ESD损害。

公开(公告)号：US20060231896A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11451344

申请日：2006-06-13

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/1233 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0657

摘要： An ESD protection device with thicker polysilicon film, an electronic apparatus having the same, and a method for manufacturing the same are provided. The ESD protection device can be a diode or a MOS transistor with a thicker polysilicon film employed in an ESD protection circuit to protect an electronic apparatus. The electronic apparatus includes a substrate having a device area and an ESD protection circuit area. A first polysilicon film of a first thickness is formed on the device area of the substrate, so as to form an electronic device. A second polysilicon film of a second thickness is formed on the ESD protection circuit area, so as to form an ESD protection device. The second thickness, which is preferably about in the range of 100 to 500 nanometers, is thicker than the first thickness.

摘要翻译： 提供具有较厚多晶硅膜的ESD保护器件，具有该多晶硅膜的电子设备及其制造方法。 ESD保护器件可以是用于ESD保护电路中的较厚多晶硅膜的二极管或MOS晶体管，以保护电子设备。 电子设备包括具有器件区域和ESD保护电路区域的衬底。 在衬底的器件区域上形成第一厚度的第一多晶硅膜，以形成电子器件。 在ESD保护电路区域上形成第二厚度的第二多晶硅膜，以形成ESD保护器件。 第二厚度优选地在100至500纳米的范围内比第一厚度厚。

公开(公告)号：US07632725B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11451344

申请日：2006-06-13

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1233 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0657

摘要： An ESD protection device with thicker polysilicon film, an electronic apparatus having the same, and a method for manufacturing the same are provided. The ESD protection device can be a diode or a MOS transistor with a thicker polysilicon film employed in an ESD protection circuit to protect an electronic apparatus. The electronic apparatus includes a substrate having a device area and an ESD protection circuit area. A first polysilicon film of a first thickness is formed on the device area of the substrate, so as to form an electronic device. A second polysilicon film of a second thickness is formed on the ESD protection circuit area, so as to form an ESD protection device. The second thickness, which is preferably about in the range of 100 to 500 nanometers, is thicker than the first thickness.

摘要翻译： 提供具有较厚多晶硅膜的ESD保护器件，具有该多晶硅膜的电子设备及其制造方法。 ESD保护器件可以是用于ESD保护电路中的较厚多晶硅膜的二极管或MOS晶体管，以保护电子设备。 电子设备包括具有器件区域和ESD保护电路区域的衬底。 在衬底的器件区域上形成第一厚度的第一多晶硅膜，以形成电子器件。 在ESD保护电路区域上形成第二厚度的第二多晶硅膜，以形成ESD保护器件。 第二厚度优选地在100至500纳米的范围内比第一厚度厚。

公开(公告)号：US20080094533A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11894577

申请日：2007-08-21

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Wein-Town Sun

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Wein-Town Sun

IPC分类号： G02F1/1333 ,  H01L21/332 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7436 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0292

摘要： An electrostatic discharge protection device, an electrostatic discharge protection structure, and a manufacturing process of the device are provided. The electrostatic discharge protection device includes at least four doping regions, wherein two adjacent regions are of different types. The electrostatic discharge protection structure includes an electrostatic discharge bus, a plurality of first electrostatic discharge protection devices connecting to the gates of the display transistors and the electrostatic discharge bus, a plurality of second electrostatic discharge protection devices connecting to the source/drain of the transistors and the electrostatic discharge bus, and a plurality of third electrostatic discharge protection devices connecting to the input/output terminals of the drive circuit of the display and the electrostatic discharge bus.

摘要翻译： 提供静电放电保护装置，静电放电保护结构以及该装置的制造过程。 静电放电保护装置包括至少四个掺杂区域，其中两个相邻区域是不同类型的。 静电放电保护结构包括静电放电总线，连接到显示晶体管和静电放电总线的栅极的多个第一静电放电保护器件，连接到晶体管的源极/漏极的多个第二静电放电保护器件 和静电放电总线，以及连接到显示器的驱动电路的输入/输出端子和静电放电总线的多个第三静电放电保护器件。

公开(公告)号：US07738223B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11842177

申请日：2007-08-21

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/136204 ,  H01L27/0248

摘要： An active device array substrate includes pixel units, scan lines, data lines, electrostatic discharge (ESD) protection elements, a short ring and an ESD biased generator. Each pixel unit is electrically connected to the corresponding scan line and data line. Each ESD protection element has a first connection terminal, a second connection terminal and a third connection terminal, wherein the first connection terminal is electrically connected to one of the corresponding scan line and data line, the second connection terminal is electrically connected to the short ring, and the third connection terminal is electrically connected to the ESD biased generator. As an ESD stress occurs, the ESD biased generator provides a voltage to the ESD protection elements to turn on them. It causes that the accumulated electrostatic charges are conducted into the lowest potential of the substrate through the short rings, so as to prevent the pixel units from ESD damaging.

摘要翻译： 有源器件阵列衬底包括像素单元，扫描线，数据线，静电放电（ESD）保护元件，短环和ESD偏置发生器。 每个像素单元电连接到相应的扫描线和数据线。 每个ESD保护元件具有第一连接端子，第二连接端子和第三连接端子，其中第一连接端子电连接到相应的扫描线和数据线之一，第二连接端子电连接到短环 并且第三连接端子电连接到ESD偏置发生器。 当ESD应力发生时，ESD偏置发生器向ESD保护元件提供电压以接通它们。 这导致累积的静电电荷通过短环进入衬底的最低电位，以防止像素单元受到ESD损害。

公开(公告)号：US07626647B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US11894577

申请日：2007-08-21

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Wein-Town Sun

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Wein-Town Sun

IPC分类号： G02F1/1333 ,  H01L21/332 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7436 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0292

摘要： An electrostatic discharge protection device, an electrostatic discharge protection structure, and a manufacturing process of the device are provided. The electrostatic discharge protection device includes at least four doping regions, wherein two adjacent regions are of different types. The electrostatic discharge protection structure includes an electrostatic discharge bus, a plurality of first electrostatic discharge protection devices connecting to the gates of the display transistors and the electrostatic discharge bus, a plurality of second electrostatic discharge protection devices connecting to the source/drain of the transistors and the electrostatic discharge bus, and a plurality of third electrostatic discharge protection devices connecting to the input/output terminals of the drive circuit of the display and the electrostatic discharge bus.

摘要翻译： 提供静电放电保护装置，静电放电保护结构以及该装置的制造过程。 静电放电保护装置包括至少四个掺杂区域，其中两个相邻区域是不同类型的。 静电放电保护结构包括静电放电总线，连接到显示晶体管和静电放电总线的栅极的多个第一静电放电保护器件，连接到晶体管的源极/漏极的多个第二静电放电保护器件 和静电放电总线，以及连接到显示器的驱动电路的输入/输出端子和静电放电总线的多个第三静电放电保护器件。

公开(公告)号：US07064418B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10781879

申请日：2004-02-20

申请人： Ying-Hsin Li ,  Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Chih-Kang Deng

发明人： Ying-Hsin Li ,  Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Chih-Kang Deng

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/105

CPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/861

摘要： A method and a structure of a diode are provided. The diode is used in an electrostatic discharge protection circuit using TFT (Thin Film Transistor) fabrication technology. A semiconductor layer is formed on a substrate. A first region of a first carrier concentration is formed in the semiconductor layer. A second region of a second carrier concentration is formed in the semiconductor layer. An insulator is formed on the semiconductor layer. The insulator layer is etched to form at least a contact window. The contact window exposes a portion of an upper surface of the semiconductor layer. A metal layer is formed on the insulator layer. The metal layer fills up the contact window to contact the semiconductor layer.

摘要翻译： 提供二极管的方法和结构。 该二极管用于使用TFT（薄膜晶体管）制造技术的静电放电保护电路中。 在基板上形成半导体层。 在半导体层中形成第一载流子浓度的第一区域。 在半导体层中形成第二载流子浓度的第二区域。 在半导体层上形成绝缘体。 绝缘体层被蚀刻以形成至少一个接触窗口。 接触窗露出半导体层的上表面的一部分。 在绝缘体层上形成金属层。 金属层填充接触窗口以接触半导体层。

公开(公告)号：US08892202B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13439365

申请日：2012-04-04

申请人： Chun-Yu Lin ,  Yi-Ju Li ,  Ming-Dou Ker

发明人： Chun-Yu Lin ,  Yi-Ju Li ,  Ming-Dou Ker

IPC分类号： A61N1/08 ,  A61N1/18

CPC分类号： A61N1/025 ,  A61N1/36125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure relates to a current stimulator, which comprises a high voltage output module, a voltage control module and a charge pump module. The high voltage output module includes a plurality of stacked transistors, and receives an input control signal able to turn on/off the current stimulator and a first voltage. A second voltage is generated by adding the voltages output by all the transistors to the first voltage and then output to the voltage control module. The voltage control module outputs a voltage control signal able to stabilize the stimulus current for the load according to the second voltage and the load impedance variation. The charge pump regulates the first voltage according to the voltage control signal, and outputs the regulated first voltage to the high voltage output module. Thereby, the current stimulator can adaptively stabilize the stimulus current, responding to load impedance variation.

摘要翻译： 本公开涉及一种电流刺激器，其包括高压输出模块，电压控制模块和电荷泵模块。 高电压输出模块包括多个堆叠的晶体管，并且接收能够接通/关断电流刺激器的输入控制信号和第一电压。 通过将由所有晶体管输出的电压加到第一电压然后输出到电压控制模块来产生第二电压。 电压控制模块根据第二电压和负载阻抗变化输出能够稳定负载的刺激电流的电压控制信号。 电荷泵根据电压控制信号调节第一电压，并将调节的第一电压输出到高电压输出模块。 因此，电流刺激器可以自适应地稳定刺激电流，响应于负载阻抗变化。

公开(公告)号：US08527061B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13224166

申请日：2011-09-01

申请人： Ming-Dou Ker ,  Wei-Ling Chen ,  Chun-Yu Lin

发明人： Ming-Dou Ker ,  Wei-Ling Chen ,  Chun-Yu Lin

IPC分类号： A61N1/08

CPC分类号： A61N1/36521

摘要： The disclosure relates to a load-adaptive bioelectrical current stimulator, which comprises a current output module, an adaptation module and a control module. The current output module generates a stimulus current to an electrode. The adaptation module detects the electrical status of the stimulus current passing through the electrode and generates a feedback signal to the control module. According to the feedback signal, the control module controls the current output module to stabilize the output status of the stimulus current adaptively. Thereby, the load-adaptive bioelectrical current stimulator can use the feedback control mechanism to regulate the value of the stimulus current to adapt to variation of load impedance.

摘要翻译： 本公开涉及一种负载自适应生物电流电流刺激器，其包括电流输出模块，适配模块和控制模块。 电流输出模块产生到电极的刺激电流。 适配模块检测通过电极的刺激电流的电气状态，并产生一个到控制模块的反馈信号。 根据反馈信号，控制模块控制电流输出模块，自适应地稳定激励电流的输出状态。 因此，负载自适应生物电流电流刺激器可以使用反馈控制机制来调节刺激电流的值以适应负载阻抗的变化。

公开(公告)号：US20130172958A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13439365

申请日：2012-04-04

申请人： Chun-Yu Lin ,  Yi-ju Li ,  Ming-Dou Ker

发明人： Chun-Yu Lin ,  Yi-ju Li ,  Ming-Dou Ker

IPC分类号： A61N1/36

CPC分类号： A61N1/025 ,  A61N1/36125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure relates to a current stimulator, which comprises a high voltage output module, a voltage control module and a charge pump module. The high voltage output module includes a plurality of stacked transistors, and receives an input control signal able to turn on/off the current stimulator and a first voltage. A second voltage is generated by adding the voltages output by all the transistors to the first voltage and then output to the voltage control module. The voltage control module outputs a voltage control signal able to stabilize the stimulus current for the load according to the second voltage and the load impedance variation. The charge pump regulates the first voltage according to the voltage control signal, and outputs the regulated first voltage to the high voltage output module. Thereby, the current stimulator can adaptively stabilize the stimulus current, responding to load impedance variation.

摘要翻译： 本公开涉及一种电流刺激器，其包括高压输出模块，电压控制模块和电荷泵模块。 高电压输出模块包括多个堆叠的晶体管，并且接收能够接通/关断电流刺激器的输入控制信号和第一电压。 通过将由所有晶体管输出的电压加到第一电压然后输出到电压控制模块来产生第二电压。 电压控制模块根据第二电压和负载阻抗变化输出能够稳定负载的刺激电流的电压控制信号。 电荷泵根据电压控制信号调节第一电压，并将调节的第一电压输出到高电压输出模块。 因此，电流刺激器可以自适应地稳定刺激电流，响应于负载阻抗变化。