公开(公告)号：US20060231896A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11451344

申请日：2006-06-13

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/1233 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0657

摘要： An ESD protection device with thicker polysilicon film, an electronic apparatus having the same, and a method for manufacturing the same are provided. The ESD protection device can be a diode or a MOS transistor with a thicker polysilicon film employed in an ESD protection circuit to protect an electronic apparatus. The electronic apparatus includes a substrate having a device area and an ESD protection circuit area. A first polysilicon film of a first thickness is formed on the device area of the substrate, so as to form an electronic device. A second polysilicon film of a second thickness is formed on the ESD protection circuit area, so as to form an ESD protection device. The second thickness, which is preferably about in the range of 100 to 500 nanometers, is thicker than the first thickness.

摘要翻译： 提供具有较厚多晶硅膜的ESD保护器件，具有该多晶硅膜的电子设备及其制造方法。 ESD保护器件可以是用于ESD保护电路中的较厚多晶硅膜的二极管或MOS晶体管，以保护电子设备。 电子设备包括具有器件区域和ESD保护电路区域的衬底。 在衬底的器件区域上形成第一厚度的第一多晶硅膜，以形成电子器件。 在ESD保护电路区域上形成第二厚度的第二多晶硅膜，以形成ESD保护器件。 第二厚度优选地在100至500纳米的范围内比第一厚度厚。

公开(公告)号：US07064418B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10781879

申请日：2004-02-20

申请人： Ying-Hsin Li ,  Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Chih-Kang Deng

发明人： Ying-Hsin Li ,  Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Chih-Kang Deng

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/105

CPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/861

摘要： A method and a structure of a diode are provided. The diode is used in an electrostatic discharge protection circuit using TFT (Thin Film Transistor) fabrication technology. A semiconductor layer is formed on a substrate. A first region of a first carrier concentration is formed in the semiconductor layer. A second region of a second carrier concentration is formed in the semiconductor layer. An insulator is formed on the semiconductor layer. The insulator layer is etched to form at least a contact window. The contact window exposes a portion of an upper surface of the semiconductor layer. A metal layer is formed on the insulator layer. The metal layer fills up the contact window to contact the semiconductor layer.

摘要翻译： 提供二极管的方法和结构。 该二极管用于使用TFT（薄膜晶体管）制造技术的静电放电保护电路中。 在基板上形成半导体层。 在半导体层中形成第一载流子浓度的第一区域。 在半导体层中形成第二载流子浓度的第二区域。 在半导体层上形成绝缘体。 绝缘体层被蚀刻以形成至少一个接触窗口。 接触窗露出半导体层的上表面的一部分。 在绝缘体层上形成金属层。 金属层填充接触窗口以接触半导体层。

公开(公告)号：US07632725B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11451344

申请日：2006-06-13

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chih-Kang Deng ,  Tang-Kui Tseng ,  An Shih ,  Sheng-Chieh Yang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1233 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0657

摘要： An ESD protection device with thicker polysilicon film, an electronic apparatus having the same, and a method for manufacturing the same are provided. The ESD protection device can be a diode or a MOS transistor with a thicker polysilicon film employed in an ESD protection circuit to protect an electronic apparatus. The electronic apparatus includes a substrate having a device area and an ESD protection circuit area. A first polysilicon film of a first thickness is formed on the device area of the substrate, so as to form an electronic device. A second polysilicon film of a second thickness is formed on the ESD protection circuit area, so as to form an ESD protection device. The second thickness, which is preferably about in the range of 100 to 500 nanometers, is thicker than the first thickness.

摘要翻译： 提供具有较厚多晶硅膜的ESD保护器件，具有该多晶硅膜的电子设备及其制造方法。 ESD保护器件可以是用于ESD保护电路中的较厚多晶硅膜的二极管或MOS晶体管，以保护电子设备。 电子设备包括具有器件区域和ESD保护电路区域的衬底。 在衬底的器件区域上形成第一厚度的第一多晶硅膜，以形成电子器件。 在ESD保护电路区域上形成第二厚度的第二多晶硅膜，以形成ESD保护器件。 第二厚度优选地在100至500纳米的范围内比第一厚度厚。

公开(公告)号：US20060001098A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US11005070

申请日：2004-12-06

申请人： Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng

发明人： Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/7391

摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection device for protecting an internal circuit includes a first ESD current unit and a second ESD current unit. The first ESD current unit is electrically connected between the internal circuit and a high source voltage for transmitting a discharging current to the high source voltage. The second ESD current unit is electrically connected between the internal circuit and a low source voltage for transmitting the discharging current to the low source voltage. Each of the first ESD current unit and the second ESD current unit has a first current path and a second current path interconnected in parallel for transmitting the discharging current to the high source voltage or the low source voltage. The first current path and the second current path pass through a MOS transistor and a diode, respectively.

摘要翻译： 用于保护内部电路的静电放电（ESD）保护装置包括第一ESD电流单元和第二ESD电流单元。 第一ESD电流单元电连接在内部电路和用于将放电电流传输到高电源电压的高电源电压之间。 第二ESD电流单元电连接在内部电路和低电源电压之间，用于将放电电流传输到低电源电压。 第一ESD电流单元和第二ESD电流单元中的每一个具有并联互连的第一电流路径和第二电流路径，用于将放电电流传输到高电源电压或低电源电压。 第一电流路径和第二电流路径分别通过MOS晶体管和二极管。

公开(公告)号：US07110229B2

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US10841158

申请日：2004-05-07

申请人： Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng

发明人： Sheng-Chieh Yang ,  An Shih ,  Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0285 ,  G02F1/136204 ,  H02H9/046

摘要： An ESD protection circuit for low temperature poly-silicon thin film transistor panel and a display panel using the same. The feature of the ESD protection circuit comprises an ESD detection circuit disposed between a first power line and a second power line, for outputting an enable signal when an ESD event occurs in the first power line; and a discharge device having a control terminal coupled to the output of the ESD detection circuit, for providing a discharge path between the first and second power lines when the control terminal receives the enable signal.

摘要翻译： 一种用于低温多晶硅薄膜晶体管面板的ESD保护电路和使用该ESD保护电路的显示面板。 ESD保护电路的特征包括：设置在第一电力线和第二电力线之间的ESD检测电路，用于当在第一电力线中发生ESD事件时输出使能信号; 以及放电装置，其具有耦合到所述ESD检测电路的输出的控制端子，用于当所述控制端子接收到使能信号时，在所述第一和第二电源线之间提供放电路径。

公开(公告)号：US07554159B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11045300

申请日：2005-01-31

申请人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang ,  Jeng-Jie Peng

发明人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang ,  Jeng-Jie Peng

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0251 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection device that includes a semiconductor substrate of a first dopant type, at least one source/drain pair of a second dopant type formed in the substrate, wherein the source/drain pair is separated to define a channel region therebetween, a lightly-doped region of the first dopant type defined between the source/drain pair and including at least a portion of the channel region, a gate dielectric layer formed over the substrate, and a gate formed over the gate dielectric layer and above the channel region.

摘要翻译： 一种静电放电保护装置，包括第一掺杂剂型的半导体衬底，形成在衬底中的至少一个第二掺杂剂型的源极/漏极对，其中源极/漏极对被分离以在其间限定沟道区域， 限定在源极/漏极对之间并且包括沟道区域的至少一部分的第一掺杂剂类型的掺杂区域，形成在衬底上的栅极电介质层以及形成在栅极介电层上方和沟道区域上方的栅极。

公开(公告)号：US07253453B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US10442261

申请日：2003-05-21

申请人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0266

摘要： An integrated circuit for providing electrostatic discharge protection that includes a contact pad, a CMOS device including a transistor having a substrate, and a CDM clamp for providing electrostatic discharge protection coupled between the contact pad and the CMOS device, the CDM clamp including at least one active device, wherein the CDM clamp conducts electrostatic charges accumulated in the substrate of the transistor to the contact pad and wherein the CMOS device is coupled between a high voltage line and a low voltage line.

摘要翻译： 一种用于提供静电放电保护的集成电路，其包括接触焊盘，包括具有衬底的晶体管的CMOS器件和用于提供耦合在所述接触焊盘和所述CMOS器件之间的静电放电保护的CDM钳位，所述CDM夹具包括至少一个 有源器件，其中CDM钳位将积聚在晶体管的衬底中的静电电荷传导到接触焊盘，并且其中CMOS器件耦合在高压线和低电压线之间。

公开(公告)号：US07092227B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10230287

申请日：2002-08-29

申请人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang

IPC分类号： H02H9/00 ,  H02H3/22 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L27/0251 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection circuit includes a first terminal, a second terminal, an electrostatic discharge device coupled between the first and second terminals, and an active device coupled to the electrostatic discharge device and controlling an electrostatic current through the electrostatic discharge device. The electrostatic discharge device includes at least one of an SCR, an FOD, an active device, a BJT, and an MOS device.

摘要翻译： 静电放电保护电路包括第一端子，第二端子，耦合在第一和第二端子之间的静电放电装置，以及耦合到静电放电装置的有源装置，并且控制通过静电放电装置的静电电流。 静电放电装置包括SCR，FOD，有源器件，BJT和MOS器件中的至少一个。

公开(公告)号：US20050127445A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US11045300

申请日：2005-01-31

申请人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang ,  Jeng-Jie Peng

发明人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang ,  Jeng-Jie Peng

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L27/01 ,  H01L27/02 ,  H01L31/0392 ,  H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0251 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection device that includes a semiconductor substrate of a first dopant type, at least one source/drain pair of a second dopant type formed in the substrate, wherein the source/drain pair is separated to define a channel region therebetween, a lightly-doped region of the first dopant type defined between the source/drain pair and including at least a portion of the channel region, a gate dielectric layer formed over the substrate, and a gate formed over the gate dielectric layer and above the channel region.

摘要翻译： 一种静电放电保护装置，包括第一掺杂剂型的半导体衬底，形成在衬底中的至少一个第二掺杂剂型的源极/漏极对，其中源极/漏极对被分离以在其间限定沟道区域， 限定在源极/漏极对之间并且包括沟道区域的至少一部分的第一掺杂剂类型的掺杂区域，形成在衬底上的栅极电介质层以及形成在栅极介电层上方和沟道区域上方的栅极。

公开(公告)号：US06882009B2

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：US10230055

申请日：2002-08-29

申请人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang ,  Jeng-Jie Peng

发明人： Ming-Dou Ker ,  Tang-Kui Tseng ,  Hsin-Chin Jiang ,  Chyh-Yih Chang ,  Jeng-Jie Peng

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L29/10 ,  H01L21/01 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0277 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0716 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1087 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection device that includes a semiconductor substrate of a first dopant type, at least one source/drain pair of a second dopant type formed in the substrate, wherein the source/drain pair is separated to define a channel region therebetween, a lightly-doped region of the first dopant type defined between the source/drain pair and including at least a portion of the channel region, a gate dielectric layer formed over the substrate, and a gate formed over the gate dielectric layer and above the channel region.