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    Electronic devices made with metal Schiff base complexes
    1.
    发明授权
    Electronic devices made with metal Schiff base complexes 有权
    用金属席夫碱配合物制成的电子设备

    公开(公告)号：US08563856B2

    公开(公告)日：2013-10-22

    申请号：US13070200

    申请日：2011-03-23

    申请人： Norman Herron ,  Ying Wang ,  Lucy M. Clarkson

    发明人： Norman Herron ,  Ying Wang ,  Lucy M. Clarkson

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L51/0081 ,  H05B33/20

    摘要： The present invention relates to new electronic devices including a layer comprising a photoactive material and metal Schiff base complex, wherein the metal Schiff base complex is present as a host for the photoactive material or in a layer between the cathode and the photoactive material containing layer, or both.

    摘要翻译： 本发明涉及包括光活性材料和金属席夫碱络合物的层的新电子器件，其中金属希夫碱络合物作为光活性材料的主体或在阴极和光活性材料含有层之间的层中存在， 或两者。

    ELECTRONIC DEVICES MADE WITH METAL SCHIFF BASE COMPLEXES
    2.
    发明申请
    ELECTRONIC DEVICES MADE WITH METAL SCHIFF BASE COMPLEXES 有权
    电子器件采用金属衬底复合材料制成

    公开(公告)号：US20110186835A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：US13070200

    申请日：2011-03-23

    申请人： Norman Herron ,  Ying Wang ,  Lucy M. Clarkson

    发明人： Norman Herron ,  Ying Wang ,  Lucy M. Clarkson

    IPC分类号： H01L51/54

    CPC分类号： H01L51/0081 ,  H05B33/20

    摘要： The present invention relates to new electronic devices including a layer comprising a photoactive material and metal Schiff base complex, wherein the metal Schiff base complex is present as a host for the photoactive material or in a layer between the cathode and the photoactive material containing layer, or both.

    摘要翻译： 本发明涉及包括光活性材料和金属席夫碱络合物的层的新电子器件，其中金属希夫碱络合物作为光活性材料的主体或在阴极和光活性材料含有层之间的层中存在， 或两者。

    Metal quinoline complexes
    4.
    发明授权
    Metal quinoline complexes 失效
    金属喹啉络合物

    公开(公告)号：US07838127B1

    公开(公告)日：2010-11-23

    申请号：US11305491

    申请日：2005-12-15

    申请人： Ying Wang ,  Norman Herron

    发明人： Ying Wang ,  Norman Herron

    IPC分类号： H01L51/54 ,  C07D401/14

    CPC分类号： C07D215/30 ,  C07D215/38 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/5048 ,  Y10S428/917

    摘要： Provided are organic electronic devices comprising at least one layer comprising at least one complex of the formula: where M is Ti, Zr, Hf, Nb, Re, Sn, and Ge; R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, and R8 are each independently F, Cl, CF3, diarylamine, carbazolyl, alkoxy, cyano, alkyl or aryl, wherein at least one of R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, and R8 is carbazolyl; and a, b, c, d, e, f, g, and h are each 0, 1, 2, or 3, at least one of which is other than zero.

    摘要翻译： 提供的有机电子器件包括至少一层包含至少一种下式的络合物：其中M是Ti，Zr，Hf，Nb，Re，Sn和Ge; R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7和R8各自独立地为F，Cl，CF3，二芳基胺，咔唑基，烷氧基，氰基，烷基或芳基，其中R1，R2，R3，R4， R5，R6，R7和R8是咔唑基; 和a，b，c，d，e，f，g和h各自为0,1,2或3，其中至少一个不为零。

    ELECTRONIC DEVICE INCLUDING PHENANTHROLINE DERIVATIVE
    5.
    发明申请
    ELECTRONIC DEVICE INCLUDING PHENANTHROLINE DERIVATIVE 失效
    包括苯并噻吩衍生物的电子器件

    公开(公告)号：US20100207108A1

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：US12644362

    申请日：2009-12-22

    申请人： Norman Herron ,  Mark A. Guidry ,  Vsevolod Rostovtsev ,  Weiying Gao ,  Ying Wang ,  Yulong Shen ,  Jeffrey A. Merlo

    发明人： Norman Herron ,  Mark A. Guidry ,  Vsevolod Rostovtsev ,  Weiying Gao ,  Ying Wang ,  Yulong Shen ,  Jeffrey A. Merlo

    IPC分类号： H01L51/54 ,  C07D471/04

    CPC分类号： C07D471/04 ,  C07D201/00 ,  C07D471/16 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5072 ,  H01L2251/5384

    摘要： There is provided an organic electronic device having an anode, a hole injection layer, a photoactive layer, an electron transport layer, and a cathode. At least one of the photoactive layer and the electron transport layer includes a compound having Formula I where: R1 is the same or different and can be phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, triphenylamino, or carbazolylphenyl; and one of the following conditions is met: (i) R2═R3 and is H, phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, arylanthracenyl, phenanthryl, triphenylamino, or carbazolylphenyl; or (ii) R2 is H or phenyl; and R3 is phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, arylanthracenyl, phenanthryl, triphenylamino, and carbazolylphenyl; When both R1 are phenyl, R2 and R3 can be 2-naphthyl, naphthylphenyl, arylanthracenyl, 9-phenanthryl, triphenylamino, or m-carbazolylphenyl.

    摘要翻译： 提供了具有阳极，空穴注入层，光活性层，电子传输层和阴极的有机电子器件。 光活性层和电子传输层中的至少一个包括具有式I的化合物，其中：R 1相同或不同，可以是苯基，联苯基，萘基，萘基苯基，三苯基氨基或咔唑基苯基; 并且符合以下条件之一：（i）R 2 = R 3且为H，苯基，联苯基，萘基，萘基苯基，芳基蒽基，菲基，三苯基氨基或咔唑基苯基; 或（ii）R 2为H或苯基; 联苯基，萘基，萘基苯基，芳基蒽基，菲基，三苯基氨基和咔唑基苯基; 当R 1都是苯基时，R 2和R 3可以是2-萘基，萘基苯基，芳基蒽基，9-菲基，三苯基氨基或间 - 咔唑基苯基。

    Metal quinoline complexes
    8.
    发明授权
    Metal quinoline complexes 失效
    金属喹啉络合物

    公开(公告)号：US07230107B1

    公开(公告)日：2007-06-12

    申请号：US11303664

    申请日：2005-12-15

    申请人： Norman Herron ,  Ying Wang

    发明人： Norman Herron ,  Ying Wang

    IPC分类号： C07D401/14 ,  H05B33/12

    CPC分类号： C07F9/005 ,  C07D215/30 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/183 ,  C09K2211/185 ,  C09K2211/186 ,  Y10S428/917

    摘要： Provided are complexes of the formula: wherein: M is selected from Ti, Zr, Hf, Nb, Re, Sn, and Ge, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, and R8 are each independently F, Cl, CF3, diarylamine, carbazolyl, alkoxy, cyano, alkyl or aryl; and a, b, c, d, e, f, g, and h are each 0, 1, 2, or 3; provided that at least one of R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, and R8 is diarylamine or carbazolyl; or R1, R4, R5, and R7 are not all the same; or R2, R3, R6, and R8 are not all the same.

    摘要翻译： 提供下式的络合物：其中：M选自Ti，Zr，Hf，Nb，Re，Sn和Ge，R 1，R 2， R 4，R 4，R 5，R 6，R 7和R 7，R 7， 各自独立地为F，Cl，CF 3，二芳基胺，咔唑基，烷氧基，氰基，烷基或芳基; 和a，b，c，d，e，f，g和h分别为0,1,2或3; 条件是R 1，R 2，R 3，R 4，R 4，R 4， 5，R 6，R 7和R 8是二芳基胺或咔唑基; 或R 1，R 4，R 5和R 7不完全相同; 或R 2，R 3，R 6和R 8不完全相同。