公开(公告)号：US20170025569A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：US15285447

申请日：2016-10-04

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： Christian LEIRER ,  Tobias MEYER ,  Matthias PETER ,  Juergen OFF ,  Joachim HERTKORN ,  Andreas LOEFFLER ,  Alexander WALTER ,  Dario SCHIAVON

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/58

Abstract: The invention concerns an optoelectronic component comprising a layer structure with a light-active layer. In a first lateral region the light-active layer has a higher density of V-defects than in a second lateral region.

Abstract translation: 本发明涉及包括具有光活性层的层结构的光电子部件。 在第一横向区域中，光活性层具有比在第二横向区域中更高的V缺陷密度。