公开(公告)号：US07740823B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US11976237

申请日：2007-10-23

申请人： Oleg Ledyaev ,  Ki Ho Park ,  Si Hyuk Lee ,  Soo Min Lee

发明人： Oleg Ledyaev ,  Ki Ho Park ,  Si Hyuk Lee ,  Soo Min Lee

IPC分类号： C01B21/06

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/403

摘要： A method of growing a III group nitride single crystal by using a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, the method including: preparing an r-plane (1-102) substrate; forming a nitride-based nucleation layer on the substrate; and growing a nonpolar a-plane nitride gallium single crystal on the nitride-based nucleation layer while altering increase and decrease of a ratio of V/III group to alternate a horizontal growth mode and a vertical growth mode.

摘要翻译： 一种通过使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长III族氮化物单晶的方法，所述方法包括：制备r-平面（1-102）衬底; 在基板上形成氮化物基成核层; 并且在氮化物基成核层上生长非极性a面平面氮化镓镓单晶，同时改变V / III基团的比例的增加和减小以交替水平生长模式和垂直生长模式。

公开(公告)号：US20080152570A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11976237

申请日：2007-10-23

申请人： Oleg Ledyaev ,  Ki Ho Park ,  Si Hyuk Lee ,  Soo Min Lee

发明人： Oleg Ledyaev ,  Ki Ho Park ,  Si Hyuk Lee ,  Soo Min Lee

IPC分类号： C30B25/00 ,  C01B21/00

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/403

摘要： A method of growing a III group nitride single crystal by using a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, the method including: preparing an r-plane (1-102) substrate; forming a nitride-based nucleation layer on the substrate; and growing a nonpolar a-plane nitride gallium single crystal on the nitride-based nucleation layer while altering increase and decrease of a ratio of V/III group to alternate a horizontal growth mode and a vertical growth mode.

摘要翻译： 一种通过使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长III族氮化物单晶的方法，所述方法包括：制备r-平面（1-102）衬底; 在基板上形成氮化物基成核层; 并且在氮化物基成核层上生长非极性a面平面氮化镓镓单晶，同时改变V / III基团的比例的增加和减小以交替水平生长模式和垂直生长模式。

公开(公告)号：US08723206B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13228977

申请日：2011-09-09

申请人： Grigory Onushkin ,  Oleg Ledyaev ,  Jong Hoon Lim ,  Joong Kon Son ,  Pun Jae Choi

发明人： Grigory Onushkin ,  Oleg Ledyaev ,  Jong Hoon Lim ,  Joong Kon Son ,  Pun Jae Choi

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L27/15 ,  H01L2224/48463

摘要： A semiconductor light emitting device has a semiconductor laminate including first and second conductivity type semiconductor layers respectively providing first and second main surfaces and an active layer. The semiconductor laminate is divided into first and second regions. At least one contact hole is formed to pass through the active layer from the second main surface of the first region. A first electrode is formed on the second main surface to be connected to the first conductivity type semiconductor layer of the first region and the second conductivity type semiconductor layer of the second region. A second electrode is formed on the second main surface of the first region to be connected to the second conductivity type semiconductor layer of the first region and the first conductivity type semiconductor layer of the second region.

摘要翻译： 半导体发光器件具有包括分别提供第一和第二主表面和有源层的第一和第二导电类型半导体层的半导体层叠体。 半导体层叠体被分成第一和第二区域。 形成至少一个接触孔以从第一区域的第二主表面穿过有源层。 第一电极形成在第二主表面上，以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。 在与第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层连接的第一区域的第二主表面上形成第二电极。

公开(公告)号：US20130062638A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13228977

申请日：2011-09-09

申请人： Grigory ONUSHKIN ,  Oleg Ledyaev ,  Jong Hoon Lim ,  Joong Kon Son ,  Pun Jae Choi

发明人： Grigory ONUSHKIN ,  Oleg Ledyaev ,  Jong Hoon Lim ,  Joong Kon Son ,  Pun Jae Choi

IPC分类号： H01L33/58

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L27/15 ,  H01L2224/48463

摘要： A semiconductor light emitting device has a semiconductor laminate including first and second conductivity type semiconductor layers respectively providing first and second main surfaces and an active layer. The semiconductor laminate is divided into first and second regions. At least one contact hole is formed to pass through the active layer from the second main surface of the first region. A first electrode is formed on the second main surface to be connected to the first conductivity type semiconductor layer of the first region and the second conductivity type semiconductor layer of the second region. A second electrode is formed on the second main surface of the first region to be connected to the second conductivity type semiconductor layer of the first region and the first conductivity type semiconductor layer of the second region.

摘要翻译： 半导体发光器件具有包括分别提供第一和第二主表面和有源层的第一和第二导电类型半导体层的半导体层叠体。 半导体层叠体被分成第一和第二区域。 形成至少一个接触孔以从第一区域的第二主表面穿过有源层。 第一电极形成在第二主表面上，以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。 在与第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层连接的第一区域的第二主表面上形成第二电极。