公开(公告)号：US20160230266A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：US15025312

申请日：2014-09-26

申请人： PLANSEE SE

发明人： CHRISTIAN LINKE ,  THOMAS SCHERER

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  C22C28/00 ,  C22C9/00 ,  B22F5/00 ,  C22C1/04 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14 ,  B22F3/115 ,  B22F9/04 ,  C23C14/14 ,  B22F1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/105 ,  B22F3/115 ,  B22F3/14 ,  B22F5/00 ,  B22F9/04 ,  B22F2301/05 ,  B22F2301/10 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/0441 ,  C22C1/0483 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/14 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3429

摘要： A Ga-containing and Cu-containing sputtering target has a Ga content of from 30 to 68 at %. The sputtering target contains only CuGa2 as Ga-containing and Cu-containing intermetallic phase or the proportion by volume of CuGa2 is greater than the proportion by volume of Cu9Ga4. The sputtering target is advantageously produced by spark plasma sintering or cold gas spraying. Compared to Cu9Ga4, CuGa2 is very soft, which aids the production of defect-free sputtering targets having homogeneous sputtering behavior.

摘要翻译： 含Ga和Cu的溅射靶的Ga含量为30〜68原子％。 溅射靶仅含有CuGa 2作为含Ga和Cu的金属间化合物相或CuGa 2的体积比例大于Cu9Ga4的体积比例。 溅射靶有利地通过放电等离子体烧结或冷气喷涂来制造。 与Cu9Ga4相比，CuGa2非常柔软，有助于生产具有均匀溅射行为的无缺陷溅射靶。

公开(公告)号：US20210246544A1

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：US17235003

申请日：2021-04-20

申请人： PLANSEE SE

发明人： CHRISTIAN LINKE ,  THOMAS SCHERER

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  C22C1/04 ,  G02F1/1524 ,  B22F3/16 ,  B22F3/17 ,  C22C19/03 ,  C22C27/04 ,  C22F1/10 ,  C22F1/18 ,  C23C14/14 ,  H01J37/34

摘要： A process for producing a W—Ni sputtering target includes providing the sputtering target with 45 to 75 wt % W and a remainder of Ni and common impurities. The sputtering target contains a Ni(W) phase, a W phase and no or less than 10% by area on average of intermetallic phases measured at a target material cross section.

公开(公告)号：US20170029934A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：US15106393

申请日：2014-12-17

申请人： PLANSEE SE

发明人： CHRISTIAN LINKE ,  THOMAS SCHERER

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  C22C19/03 ,  B22F3/10 ,  C22F1/10 ,  H01J37/34 ,  B22F3/16 ,  B22F3/17 ,  C23C14/14 ,  C22F1/18

摘要： A sputtering target contains 45 to 75 wt % W and a remainder of Ni and common impurities. The sputtering target contains a Ni(W) phase, a W phase and no or less than 10% intermetallic phases. A process for producing a W—Ni sputtering target and a process of using the sputtering target are also provided.

摘要翻译： 溅射靶含有45〜75重量％的W，剩余的Ni和常见的杂质。 溅射靶包含Ni（W）相，W相和不少于或少于10％的金属间相。 还提供了制造W-Ni溅射靶的方法和使用溅射靶的工艺。