公开(公告)号：US07102017B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10865029

申请日：2004-06-10

申请人： Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Maria Birau

发明人： Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Maria Birau

IPC分类号： C07D409/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A process composed of subjecting a reaction mixture comprising a reaction medium, a coupling agent, and a precursor to a coupling temperature to preferentially form a desired small molecular thiophene compound in a single-step synthesis, wherein the precursor consists of: (i) an optional divalent linkage, and (ii) a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position.

摘要翻译： 一种方法是将包含反应介质，偶联剂和前体的反应混合物与偶合温度进行反应，以在单步合成中优先形成所需的小分子噻吩化合物，其中前体由以下物质组成：（i） 任选的二价键，和（ii）多个噻吩单元，每个噻吩单元由结构（A）表示，其中每个噻吩单元在第二环位置和第五环位置中的任一个或两个结合。

公开(公告)号：US07700787B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11927871

申请日：2007-10-30

申请人： Beng S Ong ,  Ping Liu ,  Maria Birau ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S Ong ,  Ping Liu ,  Maria Birau ,  Yiliang Wu

IPC分类号： C07D409/14

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10T428/31504

摘要： A small molecular thiophene compound consisting of a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position, wherein m is 0, 1, or 2, wherein each thiophene unit is the same or different from each other in terms of substituent number, substituent identity, and substituent position, wherein each R1 is independently selected from the group consisting of: (a) a hydrocarbon group, (b) a heteroatom containing group, and (c) a halogen, wherein there is at least one thiophene unit where R1 is present at the third ring position or the fourth ring position, or at both the third ring position and the fourth ring position, wherein for any two adjacent thiophene units as represented by structure (A1): there is excluded the simultaneous presence of the same or different R1 at the 3-position of one thiophene unit and at the 3′-position of the other thiophene unit wherein R1 is not part of a cyclic ring structure fused to the thiophene unit.

摘要翻译： 由多个噻吩单元组成的小分子噻吩化合物，每个噻吩单元由结构（A）表示，其中每个噻吩单元在第二环位置和第五环位置的一个或两个上键合，其中m为0,1 或2，其中每个噻吩单元根据取代基号，取代基同一性和取代基位置彼此相同或不同，其中每个R 1独立地选自：（a）烃基，（b ）含有杂原子的基团，和（c）卤素，其中存在至少一个噻吩单元，其中R 1存在于第三环位置或第四环位置，或者位于第三环位置和第四环位置，其中 对于由结构（A1）表示的任何两个相邻的噻吩单元：不排除在一个噻吩单元的3位和在另一个噻吩的3'-位上同时存在相同或不同的R 1 单元，其中R1不是与噻吩单元稠合的环状结构的一部分。

公开(公告)号：US07312469B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US10865445

申请日：2004-06-10

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Maria Birau ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Maria Birau ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10T428/31504

摘要： An electronic device comprising a semiconductor layer in contact with a number of electrodes, wherein the semiconductor layer includes a small molecular thiophene compound consisting of a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position, wherein there is at least one thiophene unit where R1 is present at the third ring position or the fourth ring position, or at both the third ring position and the fourth ring position, wherein for any two adjacent thiophene units there is excluded the simultaneous presence of the same or different R1 at the 3-position of one thiophene unit and at the 3′-position of the other thiophene unit.

摘要翻译： 一种电子器件，包括与多个电极接触的半导体层，其中所述半导体层包括由多个噻吩单元组成的小分子噻吩化合物，每个噻吩单元由结构（A）表示，其中每个噻吩单元以 第二环位置和第五环位置中的任一个或两个，其中存在至少一个噻吩单元，其中R 1存在于第三环位置或第四环位置处，或者在第三环位置处 环位置和第四环位置，其中对于任何两个相邻的噻吩单元，排除了在一个噻吩单元的3位和3'位上同时存在相同或不同的R 1' 其他噻吩单元的位置。

公开(公告)号：US07919574B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12331571

申请日：2008-12-10

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S Ong

IPC分类号： C08G75/06 ,  C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A polymer comprising one or more types of repeat units, wherein the polymer includes a substituted thieno[3,2-b]thiophene component A and a different component B in the same type of repeat unit or in different types of repeat units, and wherein the polymer excludes a substituted or unsubstituted thieno[2,3-b]thiophene moiety. The polymer can be used as a semiconductor in electronics such as in organic thin film transistors.

摘要翻译： 包含一种或多种重复单元的聚合物，其中所述聚合物包括取代的噻吩并[3,2-b]噻吩组分A和相同类型的重复单元或不同类型的重复单元中的不同组分B，其中 该聚合物不包括取代或未取代的噻吩并[2,3-b]噻吩部分。 该聚合物可用作诸如有机薄膜晶体管的电子器件中的半导体。

公开(公告)号：US20110034668A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12907357

申请日：2010-10-19

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/06

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of the Formula: wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，例如含有下式的半导体的薄膜晶体管：其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂基团，卤素或其混合物 ; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20100230670A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12791928

申请日：2010-06-02

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/30 ,  C07D487/02

CPC分类号： C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： An electronic device including a compound comprising at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括包含至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一种二价键的化合物的电子器件。

公开(公告)号：US07781564B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11565751

申请日：2006-12-01

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

IPC分类号： C08G75/06 ,  H01L35/24 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01B1/127 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A polythiophene wherein the monomer segments thereof contain wherein A is a side chain; B is hydrogen or a side chain; and D is a divalent linkage, and wherein the number of A-substituted thienylene units (I) in the monomer segments is from about 1 to about 10, the number of B-substituted thienylene units (II) is from 0 to about 5, and the number of divalent linkages D is 0 or 1.

摘要翻译： 聚噻吩，其中单体链段含有其中A是侧链; B是氢或侧链; 和D是二价键，其中单体链段中的A取代的亚噻吩基单元（I）的数目为约1至约10，B-取代的亚噻吩基单元（II）的数目为0至约5， 并且二价键D的数目为0或1。

公开(公告)号：US07449715B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11399231

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula or structure (I) wherein R1 is hydrogen, halogen, a suitable hydrocarbon, or a heteroatom containing group; R2 is hydrogen, a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; R3 and R4 are independently a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar is an aromatic component; x, y, a, b, and c represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR wherein R is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式或其结构（I）的聚合物的电子器件，其中R 1是氢，卤素，合适的烃或含杂原子的基团; R 2是氢，适合的烃，含杂原子的基团或卤素; R 3和R 4独立地是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar是芳香族成分; x，y，a，b和c分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR，其中R是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07256418B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10231841

申请日：2002-08-29

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01B1/127 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device containing a polythiophene derived from a monomer segment or monomer segments containing two 2,5-thienylene segments, (I) and (II), and an optional divalent linkage D wherein A is a side chain; B is hydrogen or a side chain; and D is a divalent linkage, and wherein the number of A-substituted thienylene units (I) in the monomer segments is from about 1 to about 10, the number of B-substituted thienylene units (II) is from 0 to about 5, and the number of divalent linkages D is 0 or 1.

摘要翻译： 含有衍生自单体链段的聚噻吩的电子装置或含有两个2,5-亚噻吩基链段（I）和（II）的单体链段和任选的二价键D，其中A是侧链; B是氢或侧链; 和D是二价键，其中单体链段中的A取代的亚噻吩基单元（I）的数目为约1至约10，B-取代的亚噻吩基单元（II）的数目为0至约5， 并且二价键D的数目为0或1。

公开(公告)号：US07170093B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10982472

申请日：2004-11-05

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A dielectric material prepared from a siloxy/metal oxide hybrid composition, and electronic devices such as thin film transistors comprising such dielectric material are provided herein. The siloxy/metal oxide hybrid composition comprises a siloxy component such as, for example, a siloxane or silsesquioxane. The siloxy/metal oxide hybrid composition is useful for the preparation of dielectric layers for thin film transistors using solution deposition techniques.

摘要翻译： 本文提供由甲硅烷氧基/金属氧化物杂化组合物制备的电介质材料，以及包括这种介电材料的电子器件如薄膜晶体管。 甲硅烷氧基/金属氧化物杂化组合物包含甲硅烷氧基组分，例如硅氧烷或倍半硅氧烷。 甲硅烷氧基/金属氧化物杂化组合物可用于使用溶液沉积技术制备用于薄膜晶体管的电介质层。