公开(公告)号：US20160035855A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：US13111699

申请日：2011-05-19

申请人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0533 ,  H01L21/441 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/301

摘要： Disclosed are organic-inorganic hybrid self-assembled multilayers that can be used as electrically insulating (or dielectric) materials. These multilayers generally include an inorganic primer layer and one or more bilayers deposited thereon. Each bilayer includes a chromophore or “π-polarizable” layer and an inorganic capping layer composed of zirconia. Because of the regularity of the bilayer structure and the aligned orientation of the chromophore resulting from the self-assembly process, the present multilayers have applications in electronic devices such as thin film transistors, as well as in nonlinear optics and nonvolatile memories.

摘要翻译： 公开了可用作电绝缘（或电介质）材料的有机 - 无机混合自组装多层膜。 这些多层通常包括无机底漆层和沉积在其上的一个或多个双层。 每个双层包括发色团或“＆pgr可极化”层和由氧化锆组成的无机覆盖层。 由于双层结构的规则性和由自组装过程产生的发色团的排列取向，所以本发明的多层膜可用于诸如薄膜晶体管的电子器件，以及非线性光学和非易失性存储器中。

公开(公告)号：US09076975B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US12768038

申请日：2010-04-27

申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Nan-Xing Hu

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Nan-Xing Hu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L51/05 ,  H01L21/268 ,  H01L51/00 ,  C08K5/00

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08K5/0041 ,  C08K5/0091 ,  H01L21/268 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin-film transistor, includes a substrate and a dielectric layer formed from a dielectric composition. The dielectric composition includes a dielectric material, a crosslinking agent, and an infrared absorbing agent. In particular embodiments, the dielectric material comprises a lower-k dielectric material and a higher-k dielectric polymer. When deposited, the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material form separate phases. The infrared absorbing agent allows the dielectric composition to attain a temperature that is significantly greater than the temperature attained by the substrate during curing. This difference in temperature allows the dielectric layer to be cured at relatively high temperatures and/or shorter time periods, permitting the selection of lower-cost substrate materials that would otherwise be deformed by the curing of the dielectric layer.

摘要翻译： 诸如薄膜晶体管的电子器件包括由电介质组合物形成的衬底和电介质层。 电介质组合物包括电介质材料，交联剂和红外线吸收剂。 在特定实施例中，电介质材料包括较低介电常数材料和较高k电介质聚合物。 当沉积时，较低k电介质材料和较高介电材料形成分离相。 红外吸收剂允许电介质组合物获得明显高于固化期间由基底获得的温度的温度。 这种温度差允许电介质层在相对较高的温度和/或更短的时间周期下固化，允许选择否则通过电介质层的固化而变形的较低成本的基底材料。

公开(公告)号：US08735871B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12935573

申请日：2009-02-25

申请人： Jonathan J. Halls ,  Gregory Lewis Whiting ,  Craig Murphy ,  Kaname Ito

发明人： Jonathan J. Halls ,  Gregory Lewis Whiting ,  Craig Murphy ,  Kaname Ito

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An organic thin film transistor comprising: a substrate; a source electrode and a drain electrode disposed over the substrate with a channel region therebetween; a layer of organic semiconductor disposed in the channel region; a gate electrode; and a gate dielectric disposed between the layer of organic semiconductor and the gate electrode, wherein the gate dielectric comprises a cross-linked polymer and a fluorine containing polymer.

摘要翻译： 一种有机薄膜晶体管，包括：基板; 源电极和漏极，设置在衬底上，沟道区域在其之间; 布置在沟道区域中的有机半导体层; 栅电极; 以及设置在所述有机半导体层与所述栅极电极之间的栅极电介质，其中所述栅极电介质包含交联聚合物和含氟聚合物。

公开(公告)号：US08587093B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US11855425

申请日：2007-09-14

申请人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

发明人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L29/51

CPC分类号： H01L21/022 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/4757 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0537

摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a solution processed device are described.

摘要翻译： 描述了用于形成解决方案处理设备的方法，设备，设备和/或系统的实施例。

公开(公告)号：US08481993B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12502606

申请日：2009-07-14

申请人： Noriyuki Kawashima ,  Takahiro Ohe

发明人： Noriyuki Kawashima ,  Takahiro Ohe

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L51/0566 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor composite film includes a semiconductor thin film layer containing an organic semiconductor material, an insulating thin film layer formed from a polymer material phase-separated from the organic semiconductor material in the film thickness direction, and a fine particle material dispersed in at least one of the semiconductor thin film layer and the insulating thin film layer.

摘要翻译： 半导体复合膜包括含有有机半导体材料的半导体薄膜层，由从有机半导体材料在膜厚度方向相分离的聚合物材料形成的绝缘薄膜层和分散在至少一个 的半导体薄膜层和绝缘薄膜层。

公开(公告)号：US08405069B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12514358

申请日：2007-11-13

申请人： Bernard Kippelen ,  Joseph Perry ,  Seth Marder ,  Philoseok Kim ,  Simon Jones ,  Joshua N. Haddock ,  Xiaohong Zhang ,  Benoit Domercq ,  Peter Hotchkiss

发明人： Bernard Kippelen ,  Joseph Perry ,  Seth Marder ,  Philoseok Kim ,  Simon Jones ,  Joshua N. Haddock ,  Xiaohong Zhang ,  Benoit Domercq ,  Peter Hotchkiss

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/0537

摘要： Disclosed are embodiments of organic thin-film transistors (OTFT) with a gate insulator layer comprised of nanocomposites incorporating metal oxide nanoparticles coated by organic ligands and methods of fabricating such OTFTs. This abstract is intended as a scanning tool for purposes of searching in the particular art and is not intended to be limiting of the present invention.

摘要翻译： 公开了具有栅极绝缘体层的有机薄膜晶体管（OTFT）的实施例，该栅极绝缘体层由纳米复合材料构成，该纳米复合材料掺入由有机配体包被的金属氧化物纳米颗粒和制造这种OTFT的方法。 该摘要旨在作为用于在特定技术中进行搜索的扫描工具，而不意在限制本发明。

公开(公告)号：US20120056183A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13223884

申请日：2011-09-01

申请人： David Christoph Mueller ,  Toby Cull ,  Pawel Miskiewicz ,  Miguel Carrasco-Orozco ,  Andrew Bell ,  Edmund Elce ,  Larry F. Rhodes ,  Kazuyoshi Fujita ,  Hendra Ng ,  Pramod Kandanarachchi ,  Steven Smith

发明人： David Christoph Mueller ,  Toby Cull ,  Pawel Miskiewicz ,  Miguel Carrasco-Orozco ,  Andrew Bell ,  Edmund Elce ,  Larry F. Rhodes ,  Kazuyoshi Fujita ,  Hendra Ng ,  Pramod Kandanarachchi ,  Steven Smith

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

摘要： Embodiments in accordance with the present invention provide for the use of polycycloolefins in electronic devices and more specifically to the use of such polycycloolefins as gate insulator layers used in the fabrication of electronic devices, the electronic devices that encompass such polycycloolefin gate insulator and processes for preparing such polycycloolefin gate insulator layers and electronic devices encompassing such layers.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途，更具体地说，涉及使用这种聚环烯烃作为用于制造电子器件的栅极绝缘体层，包括这种聚环烯烃栅极绝缘体的电子器件以及用于制备 这种多环烯烃栅极绝缘体层和包含这些层的电子器件。

公开(公告)号：US20120001159A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13233377

申请日：2011-09-15

申请人： Gi Heon KIM ,  Sung Min YOON ,  Kyu Ha BAEK ,  In Kyu YOU ,  Seung Youl KANG ,  Seong Deok AHN ,  Kyung Soo SUH

发明人： Gi Heon KIM ,  Sung Min YOON ,  Kyu Ha BAEK ,  In Kyu YOU ,  Seung Youl KANG ,  Seong Deok AHN ,  Kyung Soo SUH

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08F120/00 ,  C08F120/10 ,  C08F120/44 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0537

摘要： Provided is an insulating layer in which an inorganic material is added to an organic polymer to thereby improve the insulating properties, an organic thin film transistor using the insulating layer, and a method of fabricating the organic thin film transistor. An insulating layer for an organic thin film transistor including a vinyl polymer and an inorganic material is provided. Here, a weight ratio of the vinyl polymer to the inorganic material may be in the range of 1:0.0001 to 1:0.5. Accordingly, it is possible to fabricate a thin film at low temperature and, further, to fabricate an insulating layer having a high-dielectric constant, not affecting other layers formed in the previous processes during the formation of the insulating layer.

摘要翻译： 提供一种绝缘层，其中无机材料被添加到有机聚合物中以提高绝缘性能，使用该绝缘层的有机薄膜晶体管以及制造该有机薄膜晶体管的方法。 提供了包含乙烯基聚合物和无机材料的有机薄膜晶体管的绝缘层。 这里，乙烯基聚合物与无机材料的重量比可以在1：0.0001〜1:0.5的范围内。 因此，可以在低温下制造薄膜，并且还可以制造绝缘层，该绝缘层具有高介电常数，不影响在形成绝缘层期间的以前工艺中形成的其它层。

公开(公告)号：US20110295029A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13191689

申请日：2011-07-27

申请人： Ashok J. Maliakal

发明人： Ashok J. Maliakal

IPC分类号： C07F9/02 ,  C07F19/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  Y10T428/24372 ,  Y10T428/2438 ,  Y10T428/24413 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2998

摘要： A composition includes an inorganic particle core and an initiator molecule chemically bonded thereto. The particle core is formed of a material having a dielectric constant of about fifteen or more. The initiator molecule includes a chain having about twenty or fewer carbon atoms and a phosphorous atom chemically bonded to an end of the chain. An alkyl derivative of an aryl moiety terminates another end of the chain.

摘要翻译： 组合物包括与其化学键合的无机颗粒芯和引发剂分子。 颗粒芯由介电常数约为15或更大的材料形成。 引发剂分子包括具有约20个或更少碳原子的链和与该末端化学键合的磷原子。 芳基部分的烷基衍生物终止链的另一端。

公开(公告)号：US07842946B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US11849460

申请日：2007-09-04

申请人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

发明人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L29/4908

摘要： Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof. The electronic device includes a substrate. A first electrode is disposed on the substrate. Hybrid high-k multi-layers comprising a first dielectric layer and a second dielectric layer are disposed on the substrate, wherein the first dielectric layer and the second dielectric layer are solvable and substantially without interface therebetween. A second electrode is formed on the hybrid multi-layers.

摘要翻译： 具有混合高k电介质的电子器件及其制造方法。 电子装置包括基板。 第一电极设置在基板上。 包含第一电介质层和第二电介质层的混合高k多层设置在基板上，其中第一介电层和第二介电层是可解的且基本上没有界面。 在混合多层上形成第二电极。