公开(公告)号：US20120168957A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US12981519

申请日：2010-12-30

申请人： Ravi Prakash SRIVASTAVA ,  Oluwafemi O. OGUNSOLA ,  Craig CHILD ,  Muhammed Shafi Kurikka Valappil PALLACHALIL ,  Habib HICHRI ,  Matthew ANGYAL ,  Hideshi MIYAJIMA

发明人： Ravi Prakash SRIVASTAVA ,  Oluwafemi O. OGUNSOLA ,  Craig CHILD ,  Muhammed Shafi Kurikka Valappil PALLACHALIL ,  Habib HICHRI ,  Matthew ANGYAL ,  Hideshi MIYAJIMA

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76813 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1063

摘要： A method of forming a device is disclosed. The method includes providing a substrate prepared with a dielectric layer having first and second regions. The first region comprises wide features and the second region comprises narrow features. A depth delta exists between bottoms of the wide and narrow features. A non-conformal layer is formed on the substrate and it lines the wide and narrow trenches in the first and second regions. The non-conformal layer is removed. Removing the non-conformal layer reduces the depth delta between the bottoms of the wide and narrow features in the first and second region.

摘要翻译： 公开了一种形成装置的方法。 该方法包括提供用具有第一和第二区域的电介质层制备的衬底。 第一区域包括宽的特征，第二区域包括狭窄的特征。 在宽和窄特征的底部之间存在深度增量。 在基板上形成非保形层，并且在第一和第二区域中对宽且窄的沟槽进行排列。 去除非保形层。 去除非保形层减少了第一和第二区域中宽和窄特征的底部之间的深度增量。

公开(公告)号：US20120256299A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13081020

申请日：2011-04-06

申请人： Xiang HU ,  Richard S. WISE ,  Habib HICHRI ,  Catherine LABELLE

发明人： Xiang HU ,  Richard S. WISE ,  Habib HICHRI ,  Catherine LABELLE

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L23/48 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Antireflective residues during pattern transfer and consequential short circuiting are eliminated by employing an underlying sacrificial layer to ensure complete removal of the antireflective layer. Embodiments include forming a hard mask layer over a conductive layer, e.g., a silicon substrate, forming the sacrificial layer over the hard mask layer, forming an optical dispersive layer over the sacrificial layer, forming a silicon anti-reflective coating layer over the optical dispersive layer, forming a photoresist layer over the silicon anti-reflective coating layer, where the photoresist layer defines a pattern, etching to transfer the pattern to the hard mask layer, and stripping at least the optical dispersive layer and the sacrificial layer.

摘要翻译： 在图案转印和后续短路过程中的抗反射残余物通过使用下面的牺牲层来确保完全去除抗反射层而消除。 实施例包括在导电层（例如硅衬底）上形成硬掩模层，在硬掩模层上形成牺牲层，在牺牲层上形成光学色散层，在光学色散上形成硅抗反射涂层 在硅抗反射涂层上形成光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层限定图案，蚀刻以将图案转移到硬掩模层，以及剥离至少光学色散层和牺牲层。