公开(公告)号：US09478298B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：US14312214

申请日：2014-06-23

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Hyun-Ho Shin ,  Heung-Soo Lim

IPC: G11C29/00 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/52 ,  G06F11/10

CPC classification number: G11C16/26 ,  G06F11/1048 ,  G11C16/34 ,  G11C29/52

Abstract: A method of reading data in a memory system including a non-volatile memory device, includes reading first data stored in a first block using a first read scheme capable of detecting/correcting an error in the first data, and upon determining an uncorrected error in the first data, setting the first block as a first temporary bad block and reading second data stored in the first temporary bad block using a second read scheme different from the first read scheme.

Abstract translation: 一种在包括非易失性存储器件的存储器系统中读取数据的方法，包括使用能够检测/校正第一数据中的错误的第一读取方案来读取存储在第一块中的第一数据，并且在确定未校正的错误时 第一数据，将第一块设置为第一临时坏块，并使用不同于第一读取方案的第二读取方案读取存储在第一临时坏块中的第二数据。