公开(公告)号：US20130015454A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13621531

申请日：2012-09-17

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Kyung-bae PARK ,  Myung-kwan RYU ,  Kee-chan PARK ,  Jong-baek SEON

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

摘要： Via holes for connecting elements of the panel structure may be formed by performing one process. For example, via holes for connecting a transistor and a conductive layer spaced apart from the transistor may be formed by performing only one process.

摘要翻译： 可以通过执行一个处理来形成用于连接面板结构的元件的通孔。 例如，可以通过仅执行一个处理来形成用于连接晶体管和与晶体管间隔开的导电层的通孔。

公开(公告)号：US20160020415A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：US14587394

申请日：2014-12-31

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Tadao YAGI ,  Sakurai RIE ,  Kyung-bae PARK ,  Sung-young YUN ,  Gae Hwang LEE ,  Kwang-hee LEE ,  Dong-Seok LEEM ,  Bulliard XAVIER ,  Chul-joon HEO ,  Yongwan JIN

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L27/30 ,  C07F7/08

CPC分类号： H01L51/0094 ,  C07F7/0834 ,  H01L27/301 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/008 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/308

摘要： Example embodiments relate to an organic photoelectronic device including a first electrode and a second electrode facing each other, and an active layer between the first electrode and the second electrode, wherein the active layer includes a first compound represented by the following Chemical Formula 1, and an image sensor including the organic photoelectronic device.

摘要翻译： 示例性实施方案涉及包括第一电极和彼此面对的第二电极的有机光电子器件，以及在第一电极和第二电极之间的有源层，其中活性层包括由以下化学式1表示的第一化合物和 包括有机光电子器件的图像传感器。

公开(公告)号：US20160225827A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：US15012604

申请日：2016-02-01

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Kyung-bae PARK ,  Kyu-sik KIM ,  Yong-wan JIN ,  Woong CHOI ,  Kwang-hee LEE ,  Do-hwan KIM

IPC分类号： H01L27/30

CPC分类号： H01L27/307 ,  H01L23/585 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14667 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a pixel of a multi-stacked complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor and a method of manufacturing the image sensor including a light-receiving unit that may include first through third photodiode layers that are sequentially stacked, an integrated circuit (IC) that is formed below the light-receiving unit, electrode layers that are formed on and below each of the first through third photodiode layers, and a contact plug that connects the electrode layer formed below each of the first through third photodiode layers with a transistor of the IC.

摘要翻译： 提供了一种多层互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器的像素，以及包括可以包括依次堆叠的第一至第三光电二极管层的光接收单元的图像传感器的制造方法，集成电路 IC），其形成在所述第一至第三光电二极管层之下和之下形成的电极层，以及将形成在所述第一至第三光电二极管层之下的电极层与所述第一至第三光电二极管层之间形成的电极层的接触插塞 晶体管的IC。