公开(公告)号：US20140070252A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US14015095

申请日：2013-08-30

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： JIN BOCK LEE ,  Ki Seok Kim ,  Je Won Kim ,  Ju-Bin Seo ,  Seong-Seok Yang ,  Sang Seok Lee ,  Joon Sub Lee

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60

摘要： A semiconductor light emitting device includes a first conductivity-type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity-type semiconductor layer sequentially stacked on a substrate. A first electrode is disposed on a portion of the first conductivity-type semiconductor layer. A current diffusion layer is disposed on the second conductivity-type semiconductor layer and includes an opening exposing a portion of the second conductivity-type semiconductor layer. A second electrode covers a portion of the current diffusion layer and the exposed portion of the second conductivity-type semiconductor layer, wherein the portion of the current diffusion layer is near the opening.

摘要翻译： 半导体发光器件包括依次层叠在基板上的第一导电型半导体层，有源层和第二导电型半导体层。 第一电极设置在第一导电型半导体层的一部分上。 电流扩散层设置在第二导电型半导体层上，并且包括露出第二导电型半导体层的一部分的开口。 第二电极覆盖电流扩散层的一部分和第二导电型半导体层的暴露部分，其中电流扩散层的部分靠近开口。