公开(公告)号：US20120225548A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13400952

申请日：2012-02-21

申请人： SANG-YEOL KANG ,  SUK-JIN CHUNG ,  YOUN-SOO KIM ,  JAE-HYOUNG CHOI ,  JAE-SOON LIM ,  MIN-YOUNG PARK

发明人： SANG-YEOL KANG ,  SUK-JIN CHUNG ,  YOUN-SOO KIM ,  JAE-HYOUNG CHOI ,  JAE-SOON LIM ,  MIN-YOUNG PARK

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： To form a dielectric layer, an organometallic precursor is adsorbed on a substrate loaded into a process chamber. The organometallic precursor includes a central metal and ligands bound to the central metal. An inactive oxidant is provided onto the substrate. The inactive oxidant is reactive with the organometallic precursor. An active oxidant is also provided onto the substrate. The active oxidant has a higher reactivity than that of the inactive oxidant.

摘要翻译： 为了形成电介质层，有机金属前体被吸附在装载到处理室中的基板上。 有机金属前体包括中心金属和与中心金属结合的配体。 在基材上提供无活性氧化剂。 无活性氧化剂与有机金属前体反应。 活性氧化剂也提供到基底上。 活性氧化剂的反应活性高于非活性氧化剂。