公开(公告)号：US08875363B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US12237409

申请日：2008-09-25

申请人： Seigi Suh ,  Esther Kim ,  William J. Borland ,  Christopher Allen Gross ,  Omega N. Mack ,  Timothy R. Overcash

发明人： Seigi Suh ,  Esther Kim ,  William J. Borland ,  Christopher Allen Gross ,  Omega N. Mack ,  Timothy R. Overcash

IPC分类号： H01G7/00 ,  H05K1/16 ,  H01G13/00 ,  H01G4/12

CPC分类号： H01G4/12 ,  H01G13/00 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/1126 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49163

摘要： Disclosed are methods of making a dielectric on a metal foil, and a method of making a large area capacitor that includes a dielectric on a metal foil. A first dielectric layer is formed over the metal foil by physical vapor deposition, and a dielectric precursor layer is formed over the first dielectric layer by chemical solution deposition. The metal foil, first dielectric layer and dielectric precursor layer are prefired at a prefiring temperature in the range of 350 to 650° C. The prefired dielectric precursor layer, the first dielectric layer and the base metal foil are subsequently fired at a firing temperature in the range of 700 to 1200° C.

摘要翻译： 公开了在金属箔上制造电介质的方法，以及制造在金属箔上包含电介质的大面积电容器的方法。 通过物理气相沉积在金属箔上形成第一电介质层，并且通过化学溶液沉积在第一介电层上形成电介质前体层。 金属箔，第一电介质层和电介质前体层在预热温度为350至650℃的范围内预烧制。预烧电介质前体层，第一介电层和贱金属箔随后在焙烧温度 范围700〜1200℃

公开(公告)号：US20100073845A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12237409

申请日：2008-09-25

申请人： SEIGI SUH ,  Esther Kim ,  William J. Borland ,  Christopher Allen Gross ,  Omega N. Mack ,  Timothy R. Overcash

发明人： SEIGI SUH ,  Esther Kim ,  William J. Borland ,  Christopher Allen Gross ,  Omega N. Mack ,  Timothy R. Overcash

IPC分类号： H01G4/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01G4/12 ,  H01G13/00 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/1126 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49163

摘要： Disclosed are methods of making a dielectric on a metal foil, and a method of making a large area capacitor that includes a dielectric on a metal foil. A first dielectric layer is formed over the metal foil by physical vapor deposition, and a dielectric precursor layer is formed over the first dielectric layer by chemical solution deposition. The metal foil, first dielectric layer and dielectric precursor layer are prefired at a prefiring temperature in the range of 350 to 650° C. The prefired dielectric precursor layer, the first dielectric layer and the base metal foil are subsequently fired at a firing temperature in the range of 700 to 1200° C.

摘要翻译： 公开了在金属箔上制造电介质的方法，以及制造在金属箔上包含电介质的大面积电容器的方法。 通过物理气相沉积在金属箔上形成第一电介质层，并且通过化学溶液沉积在第一介电层上形成电介质前体层。 金属箔，第一电介质层和电介质前体层在预热温度为350至650℃的范围内预烧制。预烧电介质前体层，第一介电层和贱金属箔随后在焙烧温度 范围700〜1200℃