公开(公告)号：US20020045350A1

公开(公告)日：2002-04-18

申请号：US09953127

申请日：2001-09-17

Applicant: SHOWA DENKO K.K.

Inventor： Takanori Kido ,  Kagetaka Ichikawa

IPC: H01L021/302

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09K3/1463

Abstract: An abrasive composition for polishing a semiconductor device, comprising cerium oxide, a water-soluble organic compound having at least one group of nullCOOH, nullCOOMx (wherein Mx is an atom or a functional group capable of substituting a H atom to form a salt), nullSO3H or nullSO3Mx, (wherein My is an atom or a functional group capable of substituting a H atom to form a salt), and water a process for forming shallow trench isolations using this abrasive composition.

Abstract translation: 一种用于抛光半导体器件的研磨组合物，包括氧化铈，具有至少一个-COOH基团的-COOH的水溶性有机化合物，-COOMx（其中Mx是可以取代H原子的原子或官能团形成盐 ），-SO 3 H或-SO 3 M x（其中My是能够取代H原子形成盐的原子或官能团），水是使用该研磨组合物形成浅沟槽隔离的方法。

公开(公告)号：US20020032989A1

公开(公告)日：2002-03-21

申请号：US09968846

申请日：2001-10-03

Applicant: SHOWA DENKO K.K.

Inventor： Takanori Kido ,  Masayuki Sanbayashi ,  Fumio Tsujino ,  Kagetaka Ichikawa

IPC: C09C001/68 ,  C09K003/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/30625

Abstract: A cerium oxide slurry for polishing comprising cerium oxide dispersed in water, wherein the slurry has a conductivity of about 30c nullS/cm or less when the cerium oxide concentration in the slurry is c wt.%. In order to adjust the conductivity to about 30c nullS/cm or less, cerium oxide is washed with deionized water.

Abstract translation: 一种用于抛光的氧化铈浆料，其包含分散在水中的氧化铈，其中当浆料中的氧化铈浓度为c重量％时，该浆料的导电率为约30cμS/ cm以下。 为了将电导率调节至约30cμS/ cm以下，用去离子水洗涤氧化铈。