公开(公告)号：US20080099039A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11870119

申请日：2007-10-10

申请人： SIEGFRIED KRASSNITZER ,  OLIVER CSTOEHL ,  DANIEL LEWIS

发明人： SIEGFRIED KRASSNITZER ,  OLIVER CSTOEHL ,  DANIEL LEWIS

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： B08B7/0035 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3447 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67069

摘要： Plasma etch-cleaning of substrates is performed by means of a plasma discharge arrangement comprising an electron source cathode (5) and an anode arrangement (7). The anode arrangement (7) comprises on one hand an anode electrode (9) and on the other hand and electrically isolated therefrom a confinement (11). The confinement (11) has an opening (13) directed towards an area (S) of a substrate (21) to be cleaned. The electron source cathode (5) and the anode electrode (9) are electrically supplied by a supply circuit with a supply source (19). The circuit is operated electrically floating.

摘要翻译： 通过包括电子源阴极（5）和阳极装置（7）的等离子体放电装置进行衬底的等离子体蚀刻清洁。 阳极装置（7）一方面包括阳极电极（9），另一方面包括阳极电极（9），并与其隔离。 限制件（11）具有朝向待清洁的基板（21）的区域（S）的开口（13）。 电子源阴极（5）和阳极电极（9）由供电电路（19）供电。 电路电浮动。