公开(公告)号：US20150125375A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：US14532098

申请日：2014-11-04

Applicant: SPTS TECHNOLOGIES LIMITED

Inventor： YUN ZHOU ,  RHONDA HYNDMAN ,  STEPHEN R. BURGESS

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/35 ,  C01B33/12 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C01B33/12 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35

Abstract: According to the invention there is a method of depositing SiO2 onto a substrate by pulsed DC reactive sputtering which uses a sputtering gas mixture consisting essentially of oxygen and krypton.

Abstract translation: 根据本发明，通过使用基本上由氧和氪组成的溅射气体混合物的脉冲DC反应溅射，将SiO 2沉积到衬底上的方法。