公开(公告)号：US09269764B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13905527

申请日：2013-05-30

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Jong-ryoul Ahn ,  Jeong-tak Seo ,  Ji-hoon Park ,  Cheol-ho Jeon

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/207 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L29/778 ,  C23C18/08 ,  B82Y99/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  C23C18/08 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/778

Abstract: A graphene semiconductor including graphene and a metal atomic layer disposed on the graphene, wherein the metal atomic layer includes a metal, which is capable of charge transfer with the graphene.

Abstract translation: 包括石墨烯和设置在石墨烯上的金属原子层的石墨烯半导体，其中金属原子层包括能够与石墨烯电荷转移的金属。