公开(公告)号：US20160111583A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14975175

申请日：2015-12-18

申请人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

发明人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method of fabricating a solar cell can include forming a first dopant region over a silicon substrate and an oxide region over the first dopant region. In an embodiment, the oxide region can protect the first dopant region from a first etching process. In an embodiment, a second dopant region can be formed over the silicon substrate, where a mask can be formed to protect a first portion of the second dopant region from the first etching process. In an embodiment, the first etching process can be performed to expose portions of the silicon substrate and/or a silicon region. A second etching process can be performed to form a trench region to separate a first and second doped region of the solar cell. A third etching process can be performed to remove contaminants from the solar cell and remove any remaining portions of the oxide region.

摘要翻译： 制造太阳能电池的方法可以包括在硅衬底上形成第一掺杂剂区域和在第一掺杂剂区域上形成氧化物区域。 在一个实施例中，氧化物区域可以保护第一掺杂剂区域免受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以在硅衬底上形成第二掺杂剂区域，其中可以形成掩模以保护第一掺杂剂区域的第一部分不受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以执行第一蚀刻工艺以暴露硅衬底和/或硅区域的部分。 可以执行第二蚀刻工艺以形成分离太阳能电池的第一和第二掺杂区域的沟槽区域。 可以进行第三蚀刻工艺以从太阳能电池去除污染物并去除氧化物区域的任何剩余部分。

公开(公告)号：US09419166B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US14975175

申请日：2015-12-18

申请人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

发明人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method of fabricating a solar cell can include forming a first dopant region over a silicon substrate and an oxide region over the first dopant region. In an embodiment, the oxide region can protect the first dopant region from a first etching process. In an embodiment, a second dopant region can be formed over the silicon substrate, where a mask can be formed to protect a first portion of the second dopant region from the first etching process. In an embodiment, the first etching process can be performed to expose portions of the silicon substrate and/or a silicon region. A second etching process can be performed to form a trench region to separate a first and second doped region of the solar cell. A third etching process can be performed to remove contaminants from the solar cell and remove any remaining portions of the oxide region.

摘要翻译： 制造太阳能电池的方法可以包括在硅衬底上形成第一掺杂剂区域和在第一掺杂剂区域上形成氧化物区域。 在一个实施例中，氧化物区域可以保护第一掺杂剂区域免受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以在硅衬底上形成第二掺杂剂区域，其中可以形成掩模以保护第一掺杂剂区域的第一部分不受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以执行第一蚀刻工艺以暴露硅衬底和/或硅区域的部分。 可以执行第二蚀刻工艺以形成分离太阳能电池的第一和第二掺杂区域的沟槽区域。 可以进行第三蚀刻工艺以从太阳能电池去除污染物并去除氧化物区域的任何剩余部分。