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    Etching processes for solar cell fabrication
    1.
    发明授权
    Etching processes for solar cell fabrication 有权
    太阳能电池制造的蚀刻工艺

    公开(公告)号：US09419166B2

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：US14975175

    申请日：2015-12-18

    申请人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    发明人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a solar cell can include forming a first dopant region over a silicon substrate and an oxide region over the first dopant region. In an embodiment, the oxide region can protect the first dopant region from a first etching process. In an embodiment, a second dopant region can be formed over the silicon substrate, where a mask can be formed to protect a first portion of the second dopant region from the first etching process. In an embodiment, the first etching process can be performed to expose portions of the silicon substrate and/or a silicon region. A second etching process can be performed to form a trench region to separate a first and second doped region of the solar cell. A third etching process can be performed to remove contaminants from the solar cell and remove any remaining portions of the oxide region.

    摘要翻译： 制造太阳能电池的方法可以包括在硅衬底上形成第一掺杂剂区域和在第一掺杂剂区域上形成氧化物区域。 在一个实施例中，氧化物区域可以保护第一掺杂剂区域免受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以在硅衬底上形成第二掺杂剂区域，其中可以形成掩模以保护第一掺杂剂区域的第一部分不受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以执行第一蚀刻工艺以暴露硅衬底和/或硅区域的部分。 可以执行第二蚀刻工艺以形成分离太阳能电池的第一和第二掺杂区域的沟槽区域。 可以进行第三蚀刻工艺以从太阳能电池去除污染物并去除氧化物区域的任何剩余部分。

    ETCHING PROCESSES FOR SOLAR CELL FABRICATION
    2.
    发明申请
    ETCHING PROCESSES FOR SOLAR CELL FABRICATION 审中-公开
    太阳能电池制造的蚀刻工艺

    公开(公告)号：US20160111583A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：US14975175

    申请日：2015-12-18

    申请人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    发明人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a solar cell can include forming a first dopant region over a silicon substrate and an oxide region over the first dopant region. In an embodiment, the oxide region can protect the first dopant region from a first etching process. In an embodiment, a second dopant region can be formed over the silicon substrate, where a mask can be formed to protect a first portion of the second dopant region from the first etching process. In an embodiment, the first etching process can be performed to expose portions of the silicon substrate and/or a silicon region. A second etching process can be performed to form a trench region to separate a first and second doped region of the solar cell. A third etching process can be performed to remove contaminants from the solar cell and remove any remaining portions of the oxide region.

    摘要翻译： 制造太阳能电池的方法可以包括在硅衬底上形成第一掺杂剂区域和在第一掺杂剂区域上形成氧化物区域。 在一个实施例中，氧化物区域可以保护第一掺杂剂区域免受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以在硅衬底上形成第二掺杂剂区域，其中可以形成掩模以保护第一掺杂剂区域的第一部分不受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以执行第一蚀刻工艺以暴露硅衬底和/或硅区域的部分。 可以执行第二蚀刻工艺以形成分离太阳能电池的第一和第二掺杂区域的沟槽区域。 可以进行第三蚀刻工艺以从太阳能电池去除污染物并去除氧化物区域的任何剩余部分。

    Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures
    4.
    发明授权
    Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures 有权
    具有差异化P型和N型区域结构的太阳能电池的金属化

    公开(公告)号：US09502601B1

    公开(公告)日：2016-11-22

    申请号：US15089382

    申请日：2016-04-01

    申请人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu

    发明人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0745 ,  Y02E10/50

    摘要： Methods of fabricating solar cell emitter regions with differentiated P-type and N-type regions architectures, and resulting solar cells, are described. In an example, a back contact solar cell can include a substrate having a light-receiving surface and a back surface. A first polycrystalline silicon emitter region of a first conductivity type is disposed on a first thin dielectric layer disposed on the back surface of the substrate. A second polycrystalline silicon emitter region of a second, different, conductivity type is disposed on a second thin dielectric layer disposed on the back surface of the substrate. A third thin dielectric layer is disposed over an exposed outer portion of the first polycrystalline silicon emitter region and is disposed laterally directly between the first and second polycrystalline silicon emitter regions. A first conductive contact structure is disposed on the first polycrystalline silicon emitter region. A second conductive contact structure is disposed on the second polycrystalline silicon emitter region. Metallization methods, include etching techniques for forming a first and second conductive contact structure are also described.

    摘要翻译： 描述了具有差异化的P型和N型区域结构的太阳能电池发射极区域的制造方法和所得的太阳能电池。 在一个示例中，背接触太阳能电池可以包括具有光接收表面和背面的基板。 第一导电类型的第一多晶硅发射极区域设置在设置在基板的背面上的第一薄介电层上。 具有第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区域设置在设置在基板的背面上的第二薄介电层上。 第三薄介电层设置在第一多晶硅发射极区域的暴露的外部部分上，并且横向地设置在第一和第二多晶硅发射极区域之间。 第一导电接触结构设置在第一多晶硅发射极区域上。 第二导电接触结构设置在第二多晶硅发射极区域上。 还描述了金属化方法，包括用于形成第一和第二导电接触结构的蚀刻技术。

    CARBON NANOTUBE COMPOSITE STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
    8.
    发明申请
    CARBON NANOTUBE COMPOSITE STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    碳纳米管复合结构及其制造方法

    公开(公告)号：US20120121986A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US13133927

    申请日：2010-07-02

    申请人： Venkatasubramani Balu ,  Charles D. Consorte ,  Michelle M. Rincon ,  Tatsunori Suzuki

    发明人： Venkatasubramani Balu ,  Charles D. Consorte ,  Michelle M. Rincon ,  Tatsunori Suzuki

    IPC分类号： H01M4/66 ,  H01M4/131 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01M4/625 ,  B82Y30/00 ,  H01G11/28 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86 ,  H01M4/663 ,  H01M4/9083 ,  Y02E60/13 ,  Y02E60/50

    摘要： A current conductor for an electrochemical power device that includes an array of carbon nanotubes (CNT) anchored in a carbon nanotube metal composite layer and a structure that may incorporate nanoscale particles or thin film onto the current conductor is described. Additionally, a process for creating the structure using electrochemical plating of the metal layer onto the CNT array followed by separation of the structure from the substrate is provided. Another process includes creating the structure using co-electrodeposition of the CNT and metal from an electroplating bath using surfactants, physical energy, and a magnetic and/or electric field to orient the CNT and enhance the CNT density in the composite.

    摘要翻译： 描述了一种用于电化学功率器件的电流导体，其包括锚定在碳纳米管金属复合层中的碳纳米管阵列（CNT）阵列和可将纳米级粒子或薄膜结合到电流导体上的结构。 另外，提供了使用金属层的电化学电镀到CNT阵列上并随后将结构与衬底分离的结构的方法。 另一种方法包括使用表面活性剂，物理能量以及磁场和/或电场使来自电镀浴的CNT和金属的共电沉积来形成结构，以定向CNT并增强复合材料中的CNT密度。