公开(公告)号：US20150097255A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：US14568645

申请日：2014-12-12

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Bin Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/02

Abstract: In certain embodiments, a tunneling magneto-resistive (TMR) sensor includes a sensor stack positioned between a seed layer and a cap layer. The seed layer includes a first buffer layer that includes a non-magnetic nickel alloy.In certain embodiments, a sensor stack includes a top and bottom shield and a seed layer positioned adjacent to the bottom shield. The seed layer has a first buffer layer that includes a nickel alloy.

Abstract translation: 在某些实施例中，隧道磁阻（TMR）传感器包括位于种子层和覆盖层之间的传感器堆叠。 种子层包括包含非磁性镍合金的第一缓冲层。 在某些实施例中，传感器堆叠包括顶部和底部屏蔽以及邻近底部屏蔽定位的种子层。 种子层具有包括镍合金的第一缓冲层。

公开(公告)号：US09218826B1

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US13968539

申请日：2013-08-16

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Qing He ,  Mark Covington ,  Wonjoon Jung

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/147

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3906 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: A data storage device may be constructed as a data reader in various embodiments with a magnetic stack that has a barrier layer disposed between first and second magnetically free layers. The magnetic stack may have a horizontally symmetrical configuration that provides negative exchange coupling between the magnetically free layers.

Abstract translation: 在各种实施例中，数据存储设备可以被构造为数据读取器，其中磁堆栈具有设置在第一和第二无磁层之间的阻挡层。 磁性堆叠可以具有水平对称的构造，其在无磁层之间提供负的交换耦合。

公开(公告)号：US09082958B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US14568645

申请日：2014-12-12

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Bin Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/02

Abstract: In certain embodiments, a tunneling magneto-resistive (TMR) sensor includes a sensor stack positioned between a seed layer and a cap layer. The seed layer includes a first buffer layer that includes a non-magnetic nickel alloy. In certain embodiments, a sensor stack includes a top and bottom shield and a seed layer positioned adjacent to the bottom shield. The seed layer has a first buffer layer that includes a nickel alloy.

Abstract translation: 在某些实施例中，隧道磁阻（TMR）传感器包括位于种子层和覆盖层之间的传感器堆叠。 种子层包括包含非磁性镍合金的第一缓冲层。 在某些实施例中，传感器堆叠包括顶部和底部屏蔽以及邻近底部屏蔽定位的种子层。 种子层具有包括镍合金的第一缓冲层。