公开(公告)号：US08883651B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13562826

申请日：2012-07-31

申请人： Seokhoon Kim ,  Sangsu Kim ,  Chung Geun Koh ,  Byeongchan Lee ,  Sunghil Lee ,  Jinyeong Joe

发明人： Seokhoon Kim ,  Sangsu Kim ,  Chung Geun Koh ,  Byeongchan Lee ,  Sunghil Lee ,  Jinyeong Joe

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/306 ,  H01L29/66 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L29/165 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7848

摘要： A method of manufacturing a transistor of a semiconductor device, the method including forming a gate pattern on a semiconductor substrate, forming a spacer on a sidewall of the gate pattern, wet etching the semiconductor substrate to form a first recess in the semiconductor substrate, wherein the first recess is adjacent to the spacer, and wet etching the first recess to form a second recess in the semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的晶体管的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成栅极图案，在栅极图案的侧壁上形成间隔物，湿蚀刻半导体衬底以在半导体衬底中形成第一凹部，其中 所述第一凹部邻近所述间隔件，并且湿蚀刻所述第一凹部以在所述半导体衬底中形成第二凹部。

公开(公告)号：US20130045589A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13562826

申请日：2012-07-31

申请人： Seokhoon Kim ,  Sangsu Kim ,  Chung Geun Koh ,  Byeongchan Lee ,  Sunghil Lee ,  Jinyeong Joe

发明人： Seokhoon Kim ,  Sangsu Kim ,  Chung Geun Koh ,  Byeongchan Lee ,  Sunghil Lee ,  Jinyeong Joe

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7848

摘要： A method of manufacturing a transistor of a semiconductor device, the method including forming a gate pattern on a semiconductor substrate, forming a spacer on a sidewall of the gate pattern, wet etching the semiconductor substrate to form a first recess in the semiconductor substrate, wherein the first recess is adjacent to the spacer, and wet etching the first recess to form a second recess in the semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的晶体管的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成栅极图案，在栅极图案的侧壁上形成间隔物，湿蚀刻半导体衬底以在半导体衬底中形成第一凹部，其中 所述第一凹部邻近所述间隔件，并且湿蚀刻所述第一凹部以在所述半导体衬底中形成第二凹部。