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    Fluorinated silicon nitride films
    2.
    发明授权
    Fluorinated silicon nitride films 失效
    氟化氮化硅膜

    公开(公告)号：US5539154A

    公开(公告)日：1996-07-23

    申请号：US429449

    申请日：1995-04-27

    申请人： Son V. Nguyen ,  David M. Dobuzinsky ,  Douglas J. Dopp ,  David L. Harmon

    发明人： Son V. Nguyen ,  David M. Dobuzinsky ,  Douglas J. Dopp ,  David L. Harmon

    IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  C30B25/02 ,  H01L21/318 ,  H01C7/10

    CPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/345

    摘要： A plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing a fluorinated silicon nitride film on a substrate is disclosed. The process utilizes a mixture of silane, perfluorosilane and nitrogen to produce films of high conformality and stability. The silane and perfluorosilane in the mixture are in a ratio of 0.05 to 1 on a volume basis. The preferred silane is SiH.sub.4 and the preferred perfluorosilane is SiF.sub.4. Films prepared by the process are disclosed and their properties are described.

    摘要翻译： 公开了一种用于在衬底上生产氟化氮化硅膜的等离子体增强化学气相沉积工艺。 该方法利用硅烷，全氟硅烷和氮气的混合物来生产具有高共形性和稳定性的薄膜。 混合物中的硅烷和全氟硅烷的体积比为0.05-1。 优选的硅烷是SiH 4，优选的全氟硅烷是SiF 4。 公开了通过该方法制备的膜，并描述了它们的性质。

    Method for removing etch residue resulting from a process for forming a via
    4.
    发明授权
    Method for removing etch residue resulting from a process for forming a via 失效
    用于去除由形成通孔的工艺产生的蚀刻残留物的方法

    公开(公告)号：US06554004B1

    公开(公告)日：2003-04-29

    申请号：US09707595

    申请日：2000-11-07

    申请人： Thien T. Nguyen ,  Valentin Medina, Jr. ,  Douglas J. Dopp

    发明人： Thien T. Nguyen ,  Valentin Medina, Jr. ,  Douglas J. Dopp

    IPC分类号： C25F500

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02063 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

    摘要： Etch residue, resulting from a process used in forming a via, is removed using a process that does not require using a liquid chemical solvent and does not result in excessive charge build-up in the via. One step is to use a fluorocarbon and oxygen. These gases are energized by both microwave and RF. Another step is to introduce argon, in addition to the other two gases, also energized by microwave and RF. This has the effect of removing any additional residue which tends to stick on the surface above the via as well completing the removal of etch residue in the via. An additional step is simply to apply de-ionized water to remove any remaining fluorinated residue that, as a result of the preceding two steps, is highly soluable in water.

    摘要翻译： 由用于形成通孔的方法得到的蚀刻残渣使用不需要使用液体化学溶剂并且不会导致通孔中过多电荷累积的方法除去。 一步是使用氟碳和氧气。 这些气体由微波和射频（RF）两种电源供电。 另外一步是引入氩气，除了另外两种气体，也通过微波和RF激励。 这具有除去倾向于粘附在通孔上方的表面上的任何另外的残余物以及完成去除通孔中的蚀刻残留物的作用。 额外的步骤是简单地应用去离子水去除任何剩余的氟化残余物，其作为上述两个步骤的结果在水中是高度可溶的。

    Method for forming a laser alterable fuse area of a memory cell using an etch stop layer
    5.
    发明授权
    Method for forming a laser alterable fuse area of a memory cell using an etch stop layer 失效
    使用蚀刻停止层形成存储器单元的激光可变熔断器区域的方法

    公开(公告)号：US5821160A

    公开(公告)日：1998-10-13

    申请号：US659376

    申请日：1996-06-06

    申请人： Robert A. Rodriguez ,  Douglas J. Dopp ,  Robert E. Booth, Jr.

    发明人： Robert A. Rodriguez ,  Douglas J. Dopp ,  Robert E. Booth, Jr.

    IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L21/268

    CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L27/1112

    摘要： A method for manufacturing an static random access memory (SRAM) cell (10) begins by manufacturing a fuse region (36) over a substrate (10). An etch stop layer (44) is formed overlying the fuse region (36) from resistor polysilicon material. In order for the fuse region (36) to be accessed and properly disabled, an opening (60) must be provided which stops on the etch stop layer (44). The etch stop (44) ensures a consistent and repeatable optimal thickness X of dielectric material above the fuse region (36) to provide for proper laser access and repair. The etch stop layer (44) therefore reduces wafer to wafer and die to die variation in thickness X and provides for a higher yield laser repair for each SRAM integrated circuit and every wafer processed using this methodology.

    摘要翻译： 用于制造静态随机存取存储器（SRAM）单元（10）的方法开始于在衬底（10）上制造熔丝区域（36）。 从电阻器多晶硅材料形成覆盖熔丝区域（36）的蚀刻停止层（44）。 为了使保险丝区域（36）被访问并被适当地禁用，必须提供在蚀刻停止层（44）上停止的开口（60）。 蚀刻停止器（44）确保在熔断器区域（36）上方的电介质材料的一致和可重复的最佳厚度X，以提供适当的激光器访问和修复。 因此，蚀刻停止层（44）将晶片减小到晶片并降低其芯片厚度X的变化，并为每个SRAM集成电路和使用该方法处理的每个晶片提供更高的屈服强度修复。