公开(公告)号：US20060223267A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11095925

申请日：2005-03-31

申请人： Stefan Machill ,  Christoph Ludwig ,  Jan-Malte Schley ,  Gunther Wein ,  Jens-Uwe Sachse ,  Mathias Krause ,  Mark Isler ,  Joachim Deppe

发明人： Stefan Machill ,  Christoph Ludwig ,  Jan-Malte Schley ,  Gunther Wein ,  Jens-Uwe Sachse ,  Mathias Krause ,  Mark Isler ,  Joachim Deppe

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/40117

摘要： The surfaces of wordline stacks and intermediate areas of a main substrate surface are covered with an oxynitride liner. Either sidewall spacers of BPSG are formed or a further liner of nitride is deposited and spacers of oxide are formed. These spacers are used in a peripheral area of addressing circuitry to implant doped source/drain regions. The oxynitride reduces the stress between the nitride and the semiconductor material and prevents charge carriers from penetrating out of a memory layer of nitride into the liner.

摘要翻译： 主衬底表面的字线堆叠和中间区域的表面被氧氮化物衬垫覆盖。 形成BPSG的侧壁间隔物，或者沉积另外的氮化物衬垫，并形成氧化物的间隔物。 这些间隔物用于寻址电路的外围区域以注入掺杂的源极/漏极区域。 氧氮化物降低了氮化物和半导体材料之间的应力，并且防止电荷载流子从氮化物的存储层渗透到衬里中。

公开(公告)号：US20050196952A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11065342

申请日：2005-02-25

申请人： Oliver Genz ,  Markus Kirchhoff ,  Stefan Machill ,  Alexander Reb ,  Barbara Schmidt ,  Momtchil Stavrev ,  Maik Stegeman ,  Stephan Wege

发明人： Oliver Genz ,  Markus Kirchhoff ,  Stefan Machill ,  Alexander Reb ,  Barbara Schmidt ,  Momtchil Stavrev ,  Maik Stegeman ,  Stephan Wege

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8244

CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

摘要： A method for producing a semiconductor structure including preparing a semiconductor substrate, and generating a lower first, a middle second and an upper third masking layer on a surface of the semiconductor substrate. The method further includes forming at least one first window in the upper third masking layer, structuring the middle second masking layer using the first window for transferring the first window, structuring the lower first masking layer using the first window for transferring the first window, and enlarging the first window to form a second window. The method for further includes restructuring the middle second masking layer using the second window for transferring the second window, structuring the semiconductor substrate, using the structured lower third masking layer, restructuring the lower first masking layer using the second window, and restructuring the semiconductor substrate using the restructured lower third masking layer.

摘要翻译： 一种制造半导体结构的方法，包括制备半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面上产生下部第一，中间第二和上部第三掩模层。 该方法还包括在上部第三掩蔽层中形成至少一个第一窗口，使用用于传送第一窗口的第一窗口构造中间第二掩蔽层，使用用于传送第一窗口的第一窗口构造下部第一掩蔽层，以及 扩大第一个窗口形成第二个窗口。 该方法还包括：使用第二窗口重建中间第二掩蔽层，使用结构化的下部第三掩蔽层，使用第二窗口重构下部第一掩蔽层，并重构半导体衬底，构建半导体衬底; 使用重组的下三层掩蔽层。