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1.发明申请公开(公告)号：US20100060349A1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：US12208537
申请日：2008-09-11
IPC分类号： H03K5/00 , H01L21/8222
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0255 , H03H7/0107
摘要： In one embodiment, a plurality of ESD devices are used to form an integrated semiconductor filter circuit. Additional diodes are formed in parallel with the ESD structures in order to increase the input capacitance.
摘要翻译： 在一个实施例中，使用多个ESD器件来形成集成半导体滤波器电路。 额外的二极管与ESD结构并联形成，以增加输入电容。
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公开(公告)号：US08188572B2
公开(公告)日：2012-05-29
申请号：US13094085
申请日：2011-04-26
IPC分类号： H01L27/08
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0255 , H03H7/0107
摘要： In one embodiment, a plurality of ESD devices are used to form an integrated semiconductor filter circuit. Additional diodes are formed in parallel with the ESD structures in order to increase the input capacitance.
摘要翻译： 在一个实施例中，使用多个ESD器件来形成集成半导体滤波器电路。 额外的二极管与ESD结构并联形成，以增加输入电容。
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公开(公告)号：US20110198728A1
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：US13094085
申请日：2011-04-26
IPC分类号： H01L27/08
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0255 , H03H7/0107
摘要： In one embodiment, a plurality of ESD devices are used to form an integrated semiconductor filter circuit. Additional diodes are formed in parallel with the ESD structures in order to increase the input capacitance.
摘要翻译： 在一个实施例中，使用多个ESD器件来形成集成半导体滤波器电路。 额外的二极管与ESD结构并联形成，以增加输入电容。
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4.发明授权公开(公告)号：US07955941B2
公开(公告)日：2011-06-07
申请号：US12208537
申请日：2008-09-11
IPC分类号： H01L21/8222 , H03K5/00
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0255 , H03H7/0107
摘要： In one embodiment, a plurality of ESD devices are used to form an integrated semiconductor filter circuit. Additional diodes are formed in parallel with the ESD structures in order to increase the input capacitance.
摘要翻译： 在一个实施例中，使用多个ESD器件来形成集成半导体滤波器电路。 额外的二极管与ESD结构并联形成，以增加输入电容。
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公开(公告)号：US20100006889A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：US12170630
申请日：2008-07-10
IPC分类号： H01L29/866 , H01L21/20
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
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公开(公告)号：US20110021009A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：US12890878
申请日：2010-09-27
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
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公开(公告)号：US08309422B2
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：US12890878
申请日：2010-09-27
IPC分类号： H01L29/866
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
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公开(公告)号：US07842969B2
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：US12170630
申请日：2008-07-10
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
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公开(公告)号：US20090079001A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：US11859624
申请日：2007-09-21
申请人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, JR. , Francine Y. Robb , Ki Chang
发明人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, JR. , Francine Y. Robb , Ki Chang
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , Y10S438/983 , H01L2924/00
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管。
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公开(公告)号：US07579632B2
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：US11859624
申请日：2007-09-21
申请人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, Jr. , Francine Y. Robb , Ki Chang
发明人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, Jr. , Francine Y. Robb , Ki Chang
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , Y10S438/983 , H01L2924/00
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管。
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