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    Article comprising metal oxide nanostructures
    1.
    发明授权
    Article comprising metal oxide nanostructures 失效
    文章包含金属氧化物纳米结构

    公开(公告)号：US08659217B2

    公开(公告)日：2014-02-25

    申请号：US11892737

    申请日：2007-08-27

    申请人： Dong-Wook Kim ,  Sungho Jin ,  In-Kyung Yoo

    发明人： Dong-Wook Kim ,  Sungho Jin ,  In-Kyung Yoo

    IPC分类号： H01J1/62

    CPC分类号： H01J31/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0431 ,  H01J2329/0455 ,  Y10S977/742

    摘要： This invention includes field emitters, in particular, electron field emitters with metal oxide nanoscale, aligned and sharped-tip emitter structures, the metal oxide emitter structures being a plurality of carbon nanostructures supported by and projecting from a substrate and including a metal oxide coating overlying the surfaces of the plurality of carbon nanostructures.

    摘要翻译： 本发明包括场致发射体，特别是具有金属氧化物纳米尺度，排列和锐尖发射极结构的电子场发射体，金属氧化物发射体结构是多个碳纳米结构，由碳纳米结构支撑并从衬底突出，并包括覆盖上面的金属氧化物涂层 多个碳纳米结构的表面。

    Field emitter array with split gates and method for operating the same
    3.
    发明授权
    Field emitter array with split gates and method for operating the same 有权
    具有分裂门的场发射极阵列及其操作方法

    公开(公告)号：US07868850B2

    公开(公告)日：2011-01-11

    申请号：US11223130

    申请日：2005-09-12

    申请人： Sungho Jin ,  Dong-Wook Kim ,  In Kyung Yoo

    发明人： Sungho Jin ,  Dong-Wook Kim ,  In Kyung Yoo

    IPC分类号： G09G3/28 ,  G09G5/00 ,  G06F3/02

    CPC分类号： H01J1/46 ,  G09G3/22 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127

    摘要： Field emitter arrays with split gates and methods for operating the same. A field emitter array may include one or more pairs of split gates, each connected to a corresponding voltage source, the split gates forming at least one gate hole for at least one emitter tip. Voltages, for example, AC voltages V1 and V2 may be applied to the split gates to perform one- or two-dimensional scanning or tilting depending on a ratio of V1 and V2.

    摘要翻译： 具有分裂门的场发射极阵列及其操作方法。 场发射器阵列可以包括一对或多对分离栅极，每对分离栅极连接到相应的电压源，分离栅极形成用于至少一个发射极尖端的至少一个栅极孔。 电压，例如，交流电压V1和V2可以施加到分离门，以根据V1和V2的比率执行一维或二维扫描或倾斜。

    Nanotube assembly including protective layer and method for making the same
    10.
    发明申请
    Nanotube assembly including protective layer and method for making the same 审中-公开
    纳米管总成包括保护层及其制造方法

    公开(公告)号：US20080020499A1

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：US11223135

    申请日：2005-09-12

    申请人： Dong-Wook Kim ,  Li-Han Chen ,  Sungho Jin ,  In Yoo

    发明人： Dong-Wook Kim ,  Li-Han Chen ,  Sungho Jin ,  In Yoo

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/36 ,  H01L51/0048

    摘要： Nanotube assemblies and methods for manufacturing the same, including one or more protective layers. A nanotube assembly may include a substrate, a nanotube array, formed on the substrate, and a protective layer, formed on a first area of the substrate where the nanotube array is not, the protective layer reducing the formation of nanocones, and promoting the formation of nanotubes, which make up the nanotube array.

    摘要翻译： 纳米管组件及其制造方法，包括一个或多个保护层。 纳米管组件可以包括形成在衬底上的衬底，纳米管阵列和形成在衬底的第一区域上的保护层，其中纳米管阵列不是，保护层减少纳米骨的形成并促进形成 的纳米管，构成纳米管阵列。