公开(公告)号：US5846443A

公开(公告)日：1998-12-08

申请号：US678034

申请日：1996-07-09

申请人： Susan C. Abraham

发明人： Susan C. Abraham

IPC分类号： H01L21/3213 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/32136

摘要： A method in a plasma processing chamber, for etching through a selected portion of an aluminum-containing layer and a titanium-containing layer. The titanium-containing layer is disposed above the aluminum-containing layer. The method includes a first etching step that etches at least partially through the titanium-containing layer using a first source gas composition. The first source gas composition consists essentially of the Cl.sub.2 etchant and a first mixture. The first mixture consists essentially of HCl and CHF.sub.3. The first source gas composition has a first flow ratio of the Cl.sub.2 etchant to the first mixture. There is further included a second etching step that etches at least partially through the aluminum-containing layer using a second source gas composition. The second source gas composition consists essentially of a Cl.sub.2 etchant and a second mixture. The second mixture consists essentially of HCl and CHF.sub.3. The second source gas composition has a second flow ratio of the Cl.sub.2 etchant to the second mixture different from the first flow ratio.

摘要翻译： 一种等离子体处理室中的方法，用于蚀刻通过选定部分的含铝层和含钛层。 含钛层设置在含铝层的上方。 该方法包括第一蚀刻步骤，其使用第一源气体组合物至少部分地蚀刻含钛层。 第一源气组成基本上由Cl2蚀刻剂和第一混合物组成。 第一混合物基本上由HCl和CHF3组成。 第一源气体组合物具有Cl2蚀刻剂与第一混合物的第一流量比。 还包括第二蚀刻步骤，其使用第二源气体组合物至少部分地蚀刻含铝层。 第二源气组成基本上由Cl2蚀刻剂和第二混合物组成。 第二混合物基本上由HCl和CHF 3组成。 第二源气体组合物具有不同于第一流量比的Cl2蚀刻剂与第二混合物的第二流量比。

公开(公告)号：US5883007A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US770336

申请日：1996-12-20

申请人： Susan C. Abraham ,  Gregory J. Goldspring

发明人： Susan C. Abraham ,  Gregory J. Goldspring

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/32136 ,  Y10S438/952

摘要： Disclosed is an inventive multiple-chemistry etching method suited for etching through selected portions of layers in a layer stack in a plasma processing chamber. The layer stack preferably includes at least an anti-reflective layer and a metallization layer disposed below the anti-reflective layer. The method includes a first etching step where the anti-reflective layer of the layer stack is at least partially etched with a first chemistry, the first chemistry comprising an etchant chemical and a polymer-forming chemical. Once the first etching step is complete, the method proceeds to a second etching step where at least part of the metallization layer of the layer stack is etched with a second chemistry different from the first chemistry.

摘要翻译： 公开了一种适用于在等离子体处理室中的层叠中蚀刻层的选定部分的创新的多化学蚀刻方法。 层叠体优选至少包括防反射层和设置在抗反射层下方的金属化层。 该方法包括第一蚀刻步骤，其中层叠体的抗反射层至少部分地用第一化学蚀刻，第一化学品包括蚀刻剂化学品和形成聚合物的化学品。 一旦第一蚀刻步骤完成，该方法进行到第二蚀刻步骤，其中层叠体的至少部分金属化层用与第一化学不同的第二化学物质蚀刻。

公开(公告)号：US6004884A

公开(公告)日：1999-12-21

申请号：US602251

申请日：1996-02-15

申请人： Susan C. Abraham

发明人： Susan C. Abraham

IPC分类号： C04B41/53 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C04B41/5338 ,  Y10S438/952

摘要： A method for etching a TiN layer of a wafer stack in a plasma processing chamber. The method includes the step of etching at least partially through the TiN layer using a first chemistry, which preferably includes a TiN etchant, a noble gas, and a polymer-forming chemical. In one embodiment, the TiN etchant is Cl.sub.2, the noble gas is argon, and the polymer-forming chemical is CHF.sub.3.

摘要翻译： 一种在等离子体处理室中蚀刻晶片叠层的TiN层的方法。 该方法包括使用第一化学品至少部分地蚀刻TiN层的步骤，该第一化学品优选包括TiN蚀刻剂，惰性气体和形成聚合物的化学品。 在一个实施方案中，TiN蚀刻剂是Cl 2，惰性气体是氩气，并且聚合物形成化学品是CHF 3。

公开(公告)号：US6087266A

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：US883860

申请日：1997-06-27

申请人： Susan C. Abraham

发明人： Susan C. Abraham

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/32136 ,  H01J2237/0206

摘要： A method for improving microloading of a substrate to be etched in a plasma processing chamber. The substrate is etched with a first etchant to form trenches having a given trench width. The plasma processing chamber has a first power supply configured to energize a first electrode of the chamber and a second power supply configured to energize a second electrode of the chamber. The method includes obtaining a first data set among a plurality of data sets correlating power ratios of the first power supply and the second power supply with microloading percentages for the first etchant for different trench widths. The first data set correlates the power ratios with the microloading percentages for a first trench width. The first trench width approximates the given trench width as closely as possible. The method also includes extrapolating a second data set from the first data set. The second data set correlates the power ratios with the microloading percentages for the given trench width. There is also included ascertaining a power ratio of the power ratios of the second data set that yields a desired level of microloading. Additionally, there is included setting a first setting of one of the first power supply and the second power supply in accordance with the power ratio to achieve the desired level of microloading.

摘要翻译： 一种用于改善在等离子体处理室中要蚀刻的基板的微加载的方法。 用第一蚀刻剂蚀刻衬底以形成具有给定沟槽宽度的沟槽。 等离子体处理室具有被配置为激励室的第一电极的第一电源和被配置为对腔室的第二电极通电的第二电源。 该方法包括获得多个数据集中的第一数据集，其将第一电源和第二电源的功率比与用于不同沟槽宽度的第一蚀刻剂的微加载百分比相关联。 第一数据集将功率比与第一沟槽宽度的微负载百分比相关联。 第一沟槽宽度尽可能接近于给定的沟槽宽度。 该方法还包括从第一数据集外推第二数据集。 第二数据集将功率比与给定沟槽宽度的微载荷百分比相关联。 还包括确定产生期望的微负载水平的第二数据集的功率比的功率比。 此外，包括根据功率比来设置第一电源和第二电源中的一个的第一设置，以实现期望的微负载水平。

公开(公告)号：US5980768A

公开(公告)日：1999-11-09

申请号：US813778

申请日：1997-03-07

申请人： Susan C. Abraham

发明人： Susan C. Abraham

IPC分类号： H01L21/302 ,  B08B7/00 ,  G03F1/72 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F1/72 ,  B08B7/0042 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： In a plasma reactor, a method for removing photoresist mask defects, which includes introducing a substrate having thereon a photoresist mask into the plasma reactor. The method further includes flowing into the plasma reactor an etchant source gas comprising nitrogen. The etchant source gas is substantially oxidant-free. The method also includes removing the photoresist mask defects employing a plasma struck with the etchant source gas.

摘要翻译： 在等离子体反应器中，除去光致抗蚀剂掩模缺陷的方法，其包括将其上具有光致抗蚀剂掩模的基板引入等离子体反应器中。 所述方法还包括将包含氮气的蚀刻剂源气体流入等离子体反应器。 蚀刻剂源气体基本上不含氧化剂。 该方法还包括使用用蚀刻剂源气体冲击的等离子体去除光致抗蚀剂掩模缺陷。

公开(公告)号：US5952244A

公开(公告)日：1999-09-14

申请号：US601780

申请日：1996-02-15

申请人： Susan C. Abraham ,  Peter H. Chen ,  Jerry Yang

发明人： Susan C. Abraham ,  Peter H. Chen ,  Jerry Yang

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/32136

摘要： A method, in a plasma processing chamber, for etching through a selected portion of layers of a wafer stack, which comprises an anti-reflective layer and a metallization layer disposed below the anti-reflective layer. The method comprises the step of etching at least partially through the anti-reflective layer of the wafer stack with a first chemistry that comprises both an etchant chemical and a polymer-forming chemical. Further, the method comprises the step of etching at least partially through the metallization layer of the wafer stack with a second chemistry different from the first chemistry.

摘要翻译： 一种在等离子体处理室中用于蚀刻通过晶片叠层的选定部分层的方法，其包括抗反射层和设置在抗反射层下方的金属化层。 该方法包括至少部分地通过包含蚀刻剂化学品和形成聚合物的化学物质的第一化学物质蚀刻晶片叠层的抗反射层的步骤。 此外，该方法包括至少部分地通过不同于第一化学物质的第二化学物质蚀刻晶片叠层的金属化层的步骤。

公开(公告)号：US5772906A

公开(公告)日：1998-06-30

申请号：US652718

申请日：1996-05-30

申请人： Susan C. Abraham

发明人： Susan C. Abraham

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/32136

摘要： A method for etching a layer stack structure on a substrate is provided. The method includes a step of etching the layer stack to a predefined stopping point using a reverse etch rate loading inducing chemistry. The method also includes a step of etching said layer stack through a target layer in the layer stack structure using a natural etch rate loading chemistry.

摘要翻译： 提供了一种在衬底上蚀刻层堆叠结构的方法。 该方法包括使用反蚀刻速率加载诱导化学法将层堆叠蚀刻到预定义的停止点的步骤。 该方法还包括使用自然蚀刻速率加载化学法在层堆叠结构中通过目标层蚀刻所述层堆叠的步骤。