公开(公告)号：US20100232071A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12725389

申请日：2010-03-16

申请人： Susumu OGATA ,  Hiroshi CHIBA ,  Masayuki TAKEDA

发明人： Susumu OGATA ,  Hiroshi CHIBA ,  Masayuki TAKEDA

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B21/16

CPC分类号： G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/6005

摘要： According to one embodiment, a magnetic head includes a slider, a recording/reproduction element formed on a distal end face of the slider, and a resin film formed at least on the recording/reproduction element and the distal end face and having at least one of water repellency and oil repellency.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁头包括滑块，形成在滑块的远端面上的记录/再现元件和至少形成在记录/再现元件和远端面上的树脂膜，并且具有至少一个 防水性和拒油性。

公开(公告)号：US20120205663A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13369409

申请日：2012-02-09

申请人： Norikazu NAKAMURA ,  Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Keiji WATANABE

发明人： Norikazu NAKAMURA ,  Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Keiji WATANABE

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device, includes a semiconductor layer formed above a substrate; an insulating film formed on the semiconductor layer; and an electrode formed on the insulating film. The insulating film has a membrane stress at a side of the semiconductor layer lower than a membrane stress at a side of the electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的半导体层; 形成在半导体层上的绝缘膜; 以及形成在绝缘膜上的电极。 绝缘膜在半导体层侧的膜应力低于电极侧的膜应力。

公开(公告)号：US20130306102A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13951803

申请日：2013-07-26

申请人： Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Norikazu NAKAMURA ,  Junichi KON

发明人： Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Norikazu NAKAMURA ,  Junichi KON

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes: holding a semiconductor substrate with a surface inclined with respect to the vertical direction and the horizontal direction; and immersing the semiconductor substrate in a cleaning solution including an acid.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：保持具有相对于垂直方向和水平方向倾斜的表面的半导体衬底; 并将半导体衬底浸入包含酸的清洗溶液中。

公开(公告)号：US20080030926A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11775364

申请日：2007-07-10

申请人： Masashi OZAWA ,  Masayuki TAKEDA ,  Makoto Ue

发明人： Masashi OZAWA ,  Masayuki TAKEDA ,  Makoto Ue

IPC分类号： H01G9/10 ,  H05K5/06

CPC分类号： H01G9/008 ,  H01G9/028 ,  H01G9/10

摘要： An electrolytic capacitor having a low impedance characteristic, having a high withstand voltage characteristic of 100V class, wherein the electrolytic capacitor provides an excellent high temperature life characteristic and an excellent leakage characteristic. The electrolyte solution containing the aluminum tetrafluoride salt is used. Moreover, the ceramics coating layer or the insulating synthetic resin layer is formed at a contact portion with the sealing component of the rivet or the cathode leading means. Alternatively, a partial cross-linking peroxide butyl rubber that added peroxide as cross-linking agent to a butyl rubber polymer comprised of isobutylene, isoprene, and divinylbenzene copolymer is used as the sealing member. The electrolytic capacitor of the present invention has a low impedance characteristic, a high withstand voltage characteristic, and an excellent high temperature life characteristic.

摘要翻译： 具有低阻抗特性的电解电容器具有100V等级的高耐压特性，其中电解电容器提供优异的高温寿命特性和优异的泄漏特性。 使用含有四氟化铝盐的电解液。 此外，陶瓷涂层或绝缘合成树脂层形成在与铆钉或阴极引导装置的密封部件的接触部分处。 或者，使用将过氧化物作为交联剂添加到由异丁烯，异戊二烯和二乙烯基苯共聚物构成的丁基橡胶聚合物的部分交联过氧化丁基橡胶作为密封构件。 本发明的电解电容器具有低阻抗特性，高耐压特性和优异的高温寿命特性。