公开(公告)号：US08815017B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13951803

申请日：2013-07-26

申请人： Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Norikazu Nakamura ,  Junichi Kon

发明人： Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Norikazu Nakamura ,  Junichi Kon

IPC分类号： H01L21/00 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes: holding a semiconductor substrate with a surface inclined with respect to the vertical direction and the horizontal direction; and immersing the semiconductor substrate in a cleaning solution including an acid.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：保持具有相对于垂直方向和水平方向倾斜的表面的半导体衬底; 并将半导体衬底浸入包含酸的清洗溶液中。

公开(公告)号：US08669592B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13551775

申请日：2012-07-18

申请人： Toyoo Miyajima ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Norikazu Nakamura

发明人： Toyoo Miyajima ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Norikazu Nakamura

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor multilayer structure is formed on a Si substrate. The compound semiconductor multilayer structure includes an electrode transit layer, an electrode donor layer formed above the electron transit layer, and a cap layer formed above the electron donor layer. The cap layer contains a first crystal polarized in the same direction as the electron transit layer and the electron donor layer and a second crystal polarized in the direction opposite to the polarization direction of the electron transit layer and the electron donor layer.

摘要翻译： 在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。 化合物半导体多层结构包括电极转移层，形成在电子转移层上方的电极施主层和形成在电子供体层上方的覆盖层。 盖层包含沿与电子转移层和电子供体层相同的方向偏振的第一晶体和在与电子转移层和电子供体层的偏振方向相反的方向偏振的第二晶体。

公开(公告)号：US20130082360A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13551775

申请日：2012-07-18

申请人： Toyoo MIYAJIMA ,  Kenji IMANISHI ,  Atsushi YAMADA ,  Norikazu NAKAMURA

发明人： Toyoo MIYAJIMA ,  Kenji IMANISHI ,  Atsushi YAMADA ,  Norikazu NAKAMURA

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor multilayer structure is formed on a Si substrate. The compound semiconductor multilayer structure includes an electrode transit layer, an electrode donor layer formed above the electron transit layer, and a cap layer formed above the electron donor layer. The cap layer contains a first crystal polarized in the same direction as the electron transit layer and the electron donor layer and a second crystal polarized in the direction opposite to the polarization direction of the electron transit layer and the electron donor layer.

摘要翻译： 在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。 化合物半导体多层结构包括电极转移层，形成在电子转移层上方的电极施主层和形成在电子供体层上方的覆盖层。 盖层包含沿与电子转移层和电子供体层相同的方向偏振的第一晶体和在与电子转移层和电子供体层的偏振方向相反的方向偏振的第二晶体。

公开(公告)号：US08257604B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12196467

申请日：2008-08-22

申请人： Norikazu Nakamura

发明人： Norikazu Nakamura

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H05K3/381 ,  H05K2203/0793 ,  H05K2203/0796

摘要： The etching processing method is characterized in that, when performing an etching processing on a resin member by using a desmear liquid containing an alkaline permanganate etching liquid, the etching processing is performed by dipping the resin member into the desmear liquid of which an etching rate for a resin forming the resin member is adjusted by using at least one of an accelerator for accelerating the etching rate of the desmear liquid and a suppressor for suppressing the etching rate.

摘要翻译： 蚀刻处理方法的特征在于，当通过使用含有碱性高锰酸盐蚀刻液的去污液对树脂构件进行蚀刻处理时，通过将树脂构件浸渍到其中的蚀刻速率的去污液中进行蚀刻处理 通过使用用于加速去污液的蚀刻速度的加速剂和抑制蚀刻速度的抑制剂中的至少一种来调节形成树脂构件的树脂。

公开(公告)号：US20120205662A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13357901

申请日：2012-01-25

申请人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

发明人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor layer formed over a substrate; an insulating film formed over the semiconductor layer; and an electrode formed over the insulating film, wherein the insulating film includes an amorphous film including carbon.

摘要翻译： 半导体器件包括：形成在衬底上的半导体层; 形成在所述半导体层上的绝缘膜; 以及形成在所述绝缘膜上的电极，其中所述绝缘膜包括包含碳的非晶膜。

公开(公告)号：US20120139630A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13280677

申请日：2011-10-25

申请人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L29/78 ,  H02M3/24 ,  H03F3/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

摘要： On a surface of a compound semiconductor layer including inner wall surfaces of an electrode trench, an etching residue 12a and an altered substance 12b which are produced due to dry etching for forming the electrode trench are removed, and a compound semiconductor is terminated with fluorine. Gate metal is buried in the electrode trench via a gate insulating film, or the gate metal is directly buried in the electrode trench, whereby a gate electrode is formed.

摘要翻译： 在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，除去由于用于形成电极沟槽的干蚀刻而产生的蚀刻残余物12a和改变物质12b，并且化合物半导体被氟终止。 栅极金属通过栅极绝缘膜埋入电极沟槽中，或者栅极金属直接埋入电极沟槽中，从而形成栅电极。

公开(公告)号：US20120091522A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13276521

申请日：2011-10-19

申请人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

发明人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor layer formed over a substrate, a second semiconductor layer formed over the first semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed over the second semiconductor layer, an insulating film formed over the second semiconductor layer, a gate electrode formed over the insulating film, and a protection film covering the insulating film, the protection film being formed by thermal CVD, thermal ALD, or vacuum vapor deposition.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，形成在第二半导体层上的源电极和漏电极，形成在第二半导体层上的绝缘膜，栅极 形成在绝缘膜上的电极，以及覆盖绝缘膜的保护膜，保护膜通过热CVD，热ALD或真空气相沉积形成。

公开(公告)号：US20100316814A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12792214

申请日：2010-06-02

申请人： Norikazu Nakamura ,  Shoichi Miyahara ,  Hiroshi Chiba

发明人： Norikazu Nakamura ,  Shoichi Miyahara ,  Hiroshi Chiba

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/50

摘要： A film deposition apparatus includes: a plasma generating section configured to generate plasma between a cathode target and an anode; a film deposition chamber in which a base material is placed; and a magnetic-field filter section configured to remove a particle from the plasma by a magnetic field and to transfer the plasma to the film deposition chamber. The magnetic-field filter section includes: a first housing area to which a first voltage is applied; and a second housing area, provided downstream of the first housing area in the moving direction of the plasma, to which a second voltage is applied.

摘要翻译： 一种成膜装置，包括：等离子体产生部，被配置为在阴极靶和阳极之间产生等离子体; 其中放置有基材的成膜室; 以及磁场滤波器部，其构造成通过磁场从等离子体除去粒子，并将等离子体转印到成膜室。 磁场滤波器部分包括：施加第一电压的第一容纳区域; 以及第二壳体区域，设置在等离子体的移动方向上的第一壳体区域的下游，施加第二电压。

公开(公告)号：US07514163B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US10982198

申请日：2004-11-04

申请人： Norikazu Nakamura ,  Tsukasa Itani ,  Yukiko Oshikubo ,  Shinichi Nakayama ,  Takashi Toyoguchi

发明人： Norikazu Nakamura ,  Tsukasa Itani ,  Yukiko Oshikubo ,  Shinichi Nakayama ,  Takashi Toyoguchi

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/72

摘要： A magnetic recording medium having excellent durability and corrosion resistance as well as a magnetic recording device equipped with the magnetic recording medium is provided. The protective layer of the magnetic recording medium is composed of two layers, that is, a lower layer contacting with the magnetic layer and an upper layer on the lower layer. The internal stress of the lower layer is made smaller than that of the upper layer, and the surface free energy of the lower layer is made smaller than that of the upper layer.

摘要翻译： 提供具有优异的耐久性和耐腐蚀性的磁记录介质以及配备有磁记录介质的磁记录装置。 磁记录介质的保护层由两层构成，即与磁性层接触的下层和下层上的上层。 使下层的内应力小于上层的内应力，使下层的表面自由能小于上层的表面自由能。

公开(公告)号：US20090057270A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12196467

申请日：2008-08-22

申请人： Norikazu Nakamura

发明人： Norikazu Nakamura

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H05K3/381 ,  H05K2203/0793 ,  H05K2203/0796

摘要： The etching processing method is characterized in that, when performing an etching processing on a resin member by using a desmear liquid containing an alkaline permanganate etching liquid, the etching processing is performed by dipping the resin member into the desmear liquid of which an etching rate for a resin forming the resin member is adjusted by using at least one of an accelerator for accelerating the etching rate of the desmear liquid and a suppressor for suppressing the etching rate.

摘要翻译： 蚀刻处理方法的特征在于，当通过使用含有碱性高锰酸盐蚀刻液的去污液对树脂构件进行蚀刻处理时，通过将树脂构件浸渍到其中的蚀刻速率的去污液中进行蚀刻处理 通过使用用于加速去污液的蚀刻速度的加速剂和抑制蚀刻速度的抑制剂中的至少一种来调节形成树脂构件的树脂。