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公开(公告)号：US2997640A
公开(公告)日：1961-08-22
申请号：US81262059
申请日：1959-05-12
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M
IPC: H01J17/44
CPC classification number: H01J17/44 , H01J2893/0068
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公开(公告)号：US2988658A
公开(公告)日：1961-06-13
申请号：US82449659
申请日：1959-07-02
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M
IPC: H01J29/48
CPC classification number: H01J29/481
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公开(公告)号：US2943225A
公开(公告)日：1960-06-28
申请号：US74515058
申请日：1958-06-27
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： FIRTH BERNARD G , SKELLETT ALBERT M
IPC: H01J21/10
CPC classification number: H01J21/10
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公开(公告)号：US2925511A
公开(公告)日：1960-02-16
申请号：US74872658
申请日：1958-07-15
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M
CPC classification number: H01J63/04 , H01J1/30 , H01J63/00 , H01J2893/0031
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公开(公告)号：US2922062A
公开(公告)日：1960-01-19
申请号：US58354756
申请日：1956-05-08
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： MAYER DONALD W , SKELLETT ALBERT M
IPC: H01J29/48
CPC classification number: H01J29/487
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：US3168086A
公开(公告)日：1965-02-02
申请号：US27866563
申请日：1963-05-07
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M
CPC classification number: F02P3/0435 , F02P7/061
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7.发明授权Field effect transistor with a junction parallel to the (111) plane of the crystal 失效具有与晶体的（111）平面平行的结的场效应晶体管
公开(公告)号：US3302078A
公开(公告)日：1967-01-31
申请号：US30481463
申请日：1963-08-27
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M
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公开(公告)号：US3204238A
公开(公告)日：1965-08-31
申请号：US20972162
申请日：1962-07-13
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M
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公开(公告)号：US2994013A
公开(公告)日：1961-07-25
申请号：US71659358
申请日：1958-02-21
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M
IPC: H05B39/09
CPC classification number: H05B39/09
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公开(公告)号：US2942146A
公开(公告)日：1960-06-21
申请号：US69792857
申请日：1957-11-21
Applicant: TUNG SOL ELECTRIC INC
Inventor： SKELLETT ALBERT M , FIRTH BERNARD G
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/30
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