公开(公告)号：US09136105B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US12164109

申请日：2008-06-30

申请人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

发明人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/02021 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68735

摘要： The wafer bevel etching apparatus of the present invention includes a wafer-protecting mask to cover parts of a wafer. A central region and a wafer bevel region surrounding the central region are defined on the wafer. The wafer-protecting mask includes a center sheltering region and at least one wafer bevel sheltering region. The center sheltering region can completely shelter the central region of the wafer, and the wafer bevel sheltering region extends from the outside edge of the center sheltering region, shelters parts of the wafer bevel region, and exposes the other parts of the wafer bevel region.

摘要翻译： 本发明的晶片斜面蚀刻装置包括用于覆盖晶片的部分的晶片保护掩模。 在晶片上限定了围绕中心区域的中心区域和晶片斜面区域。 晶片保护掩模包括中心遮蔽区域和至少一个晶片斜面遮蔽区域。 中心遮蔽区可以完全遮蔽晶片的中心区域，并且晶片斜面遮蔽区域从中心遮蔽区域的外边缘延伸，晶片斜面区域的遮蔽部分露出晶片斜面区域的其他部分。

公开(公告)号：US20090325382A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12164109

申请日：2008-06-30

申请人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

发明人： Tai-Heng Yu ,  Chih-Yueh Li

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/02021 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68735

摘要： The wafer bevel etching apparatus of the present invention includes a wafer-protecting mask to cover parts of a wafer. A central region and a wafer bevel region surrounding the central region are defined on the wafer. The wafer-protecting mask includes a center sheltering region and at least one wafer bevel sheltering region. The center sheltering region can completely shelter the central region of the wafer, and the wafer bevel sheltering region extends from the outside edge of the center sheltering region, shelters parts of the wafer bevel region, and exposes the other parts of the wafer bevel region.

摘要翻译： 本发明的晶片斜面蚀刻装置包括用于覆盖晶片的部分的晶片保护掩模。 在晶片上限定了围绕中心区域的中心区域和晶片斜面区域。 晶片保护掩模包括中心遮蔽区域和至少一个晶片斜面遮蔽区域。 中心遮蔽区可以完全遮蔽晶片的中心区域，并且晶片斜面遮蔽区域从中心遮蔽区域的外边缘延伸，晶片斜面区域的遮蔽部分露出晶片斜面区域的其他部分。

公开(公告)号：US20110189615A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12696056

申请日：2010-01-29

申请人： Tsung-Yu Hou ,  Tai-Heng Yu ,  Chien-Wei Su ,  Wen-Yi Teng

发明人： Tsung-Yu Hou ,  Tai-Heng Yu ,  Chien-Wei Su ,  Wen-Yi Teng

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/20

摘要： A method of manufacturing MOS transistor includes providing a substrate having a gate formed thereon; forming a hard mask layer on the substrate, performing an acid treatment to a surface of the hard mask layer, forming a photoresist layer on the hard mask layer after performing the acid treatment, performing a photolithography process to pattern the photoresist layer and the hard mask layer, performing an etching process to form recesses in the substrate, and performing a SEG method to form epitaxial layers respectively in the recesses.

摘要翻译： 制造MOS晶体管的方法包括提供其上形成有栅极的基板; 在基板上形成硬掩模层，对硬掩模层的表面进行酸处理，在进行酸处理之后在硬掩模层上形成光致抗蚀剂层，进行光刻工艺以对光致抗蚀剂层和硬掩模进行图案化 层，在衬底中进行蚀刻处理以形成凹部，并且执行SEG方法以分别在凹部中形成外延层。