公开(公告)号：US20150171158A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：US14569975

申请日：2014-12-15

Applicant: Texas Instruments Incorporated

Inventor： Greg Charles BALDWIN ,  Kamel BENAISSA ,  Sarah LIU ,  Song Zhao

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L28/22 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0629 ,  H02J7/0044 ,  H02J7/025

Abstract: A method for adding a low TCR resistor to a baseline CMOS manufacturing flow. A method of forming a low TCR resistor in a CMOS manufacturing flow. A method of forming an n-type and a p-type transistor with a low TCR resistor in a CMOS manufacturing flow.

Abstract translation: 一种将低TCR电阻添加到基准CMOS制造流程的方法。 在CMOS制造流程中形成低TCR电阻器的方法。 在CMOS制造流程中形成具有低TCR电阻器的n型和p型晶体管的方法。