公开(公告)号：US08710632B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13606007

申请日：2012-09-07

申请人： Tien-Wei Yu ,  Chin-Cheng Chien ,  I-Ming Lai ,  Shin-Chi Chen ,  Chih-Yueh Li ,  Fong-Lung Chuang ,  Chin-I Liao ,  Kuan-Yu Lin

发明人： Tien-Wei Yu ,  Chin-Cheng Chien ,  I-Ming Lai ,  Shin-Chi Chen ,  Chih-Yueh Li ,  Fong-Lung Chuang ,  Chin-I Liao ,  Kuan-Yu Lin

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02639 ,  C30B25/165 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method for fabricating a compound semiconductor epitaxial structure includes the following steps. Firstly, a first compound epitaxial layer is formed on a substrate. Then, a continuous epitaxial deposition process is performed to form a second compound epitaxial layer on the first compound epitaxial layer, so that the second compound epitaxial layer has a linearly-decreased concentration gradient of metal. Afterwards, a semiconductor material layer is formed on the second compound epitaxial layer.

摘要翻译： 一种制备化合物半导体外延结构的方法包括以下步骤。 首先，在基板上形成第一复合外延层。 然后，进行连续的外延沉积工艺以在第一复合外延层上形成第二化合物外延层，使得第二化合物外延层具有线性降低的金属浓度梯度。 之后，在第二复合外延层上形成半导体材料层。

公开(公告)号：US20080254619A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11735448

申请日：2007-04-14

申请人： Tsang-Jung Lin ,  Fong-Lung Chuang

发明人： Tsang-Jung Lin ,  Fong-Lung Chuang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76825

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. First, a semiconductor substrate and a dielectric layer positioned on the semiconductor substrate are prepared. Subsequently, the dielectric layer is etched to form a hole structure in the dielectric layer. Afterward, a degas process is performed. An ultraviolet (UV) treatment is carried out to the semiconductor substrate in the degas process so as to expel at least a gas contained in the dielectric layer. Next, a barrier layer is formed on the sidewall and on the bottom of the hole structure. Furthermore, the hole structure is filled with a conductive material. Since the UV treatment can degas the dielectric layer efficiently, the formed semiconductor device can have a fine and stable structure.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 首先，准备半导体衬底和位于半导体衬底上的电介质层。 随后，电介质层被蚀刻以在电介质层中形成孔结构。 之后，进行脱气处理。 在脱气处理中对半导体基板进行紫外线（UV）处理，以至少排出包含在电介质层中的气体。 接下来，在孔结构的侧壁和底部上形成阻挡层。 此外，孔结构填充有导电材料。 由于UV处理可以有效地消除介电层，因此形成的半导体器件可以具有精细且稳定的结构。