公开(公告)号：US20120230908A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13413776

申请日：2012-03-07

申请人： Toshiyuki OHASHI ,  Toshio TOKUNE ,  Masahiro OTA ,  Hidefumi NIKAWA ,  Hiroshi KAWARADA ,  Takumi OCHIAI

发明人： Toshiyuki OHASHI ,  Toshio TOKUNE ,  Masahiro OTA ,  Hidefumi NIKAWA ,  Hiroshi KAWARADA ,  Takumi OCHIAI

IPC分类号： D01F9/12 ,  H05H1/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0233 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01P2002/82 ,  D01F9/127 ,  D01F9/133 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/843

摘要： A substrate for growing carbon nanotubes capable of elongating single-walled carbon nanotubes of an average diameter of less than 2 nm is provided. The substrate for growing carbon nanotubes 1 is equipped with a reaction prevention layer 3 formed on a base material 2, a catalyst material layer 4 formed on the reaction prevention layer 3, a dispersion layer 5 formed on the catalyst material layer 4, and a dispersion promotion layer 6 formed on the dispersion layer 5.

摘要翻译： 提供了用于生长能够延长平均直径小于2nm的单壁碳纳米管的碳纳米管的基板。 用于生长碳纳米管1的基板配备有形成在基材2上的反应防止层3，形成在反应防止层3上的催化剂材料层4，形成在催化剂材料层4上的分散层5和分散体 促进层6形成在分散层5上。

公开(公告)号：US20130259763A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13791960

申请日：2013-03-09

申请人： Hiroshi KAWARADA ,  Toshiyuki OHASHI ,  Masahiro OHTA ,  Ryogo KATO ,  Toshio TOKUNE ,  Hidefumi NIKAWA

发明人： Hiroshi KAWARADA ,  Toshiyuki OHASHI ,  Masahiro OHTA ,  Ryogo KATO ,  Toshio TOKUNE ,  Hidefumi NIKAWA

IPC分类号： B01J19/12 ,  C01B31/02

CPC分类号： B01J19/126 ,  B01J19/088 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01P2002/82

摘要： A carbon nanotube synthesizing apparatus in which the state of generated plasma can be stabilized is provided. A carbon nanotube synthesizing apparatus 1 comprises a chamber 2, an antenna 3 including a tip 3a, a microwave conductor 4, a gas introducing unit 5, a gas discharging unit 6, a substrate holding unit 7, and a heating unit 8. The shape of the inner wall of the chamber 2 is symmetrical with respect to the tip 3a of the antenna 3.

摘要翻译： 提供了一种碳纳管合成装置，其中产生的等离子体的状态能够稳定。 碳纳米管合成装置1包括室2，包括尖端3a的天线3，微波导体4，气体引入单元5，气体放电单元6，基板保持单元7和加热单元8。 室2的内壁相对于天线3的尖端3a对称。