公开(公告)号：US20130032492A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13478161

申请日：2012-05-23

申请人： Tung-Ming Pan ,  Chao-Wen Lin ,  Kung-Yuan Chang ,  Min-Hsien Wu ,  Shiao-Wen Tsai

发明人： Tung-Ming Pan ,  Chao-Wen Lin ,  Kung-Yuan Chang ,  Min-Hsien Wu ,  Shiao-Wen Tsai

IPC分类号： G01N27/414

CPC分类号： C12Q1/001 ,  G01N27/227

摘要： A detection method for a sensor membrane formed of EuTixOy as part of a biosensor by using PNIPAAm for wrapping enzymes is provided with adding 1.0 g of NIPAAm powder to 20 ml water, heating same at 60° C. to form NIPAAm solution, and cooling the NIPAAm solution; adding 200 μl of 98.7 wt % of APS and 50 μl of 99 wt % of TEMED to the NIPAAm solution, uniformly mixing same, and reacting the mixture for 30 hours to prepare a transparent, gel PNIPAAm; adding 5 mg enzymes to 100 μl of 1× PBS buffer solution, uniformly mixing same, adding 100 μl of PNIPAAm to the buffer solution, and uniformly mixing the buffer solution; placing a biosensor on a heater for heating at a constant temperature of 37° C. wherein the biosensor is an EIS sensor having a sensor membrane formed of EuTixOy; and taking a measurement.

摘要翻译： 提供了通过使用PNIPAAm包裹酶作为生物传感器的一部分的EuTixOy形成的传感器膜的检测方法，在20ml水中加入1.0g NIPAAm粉末，在60℃下加热，形成NIPAAm溶液，并冷却 NIPAAm解决方案 向NIPAAm溶液中加入200μl98.7wt％的APS和50μl99wt％的TEMED，均匀混合，并使混合物反应30小时以制备透明的凝胶PNIPAAm; 向100μl1×PBS缓冲溶液中加入5mg酶，均匀混合，向缓冲液中加入100μlPNIPAAm，均匀混合缓冲溶液; 将生物传感器放置在加热器上，在37℃的恒温下加热，其中生物传感器是具有由EuTixOy形成的传感器膜的EIS传感器; 并进行测量。

公开(公告)号：US08951403B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US13478161

申请日：2012-05-23

申请人： Tung-Ming Pan ,  Chao-Wen Lin ,  Kung-Yuan Chang ,  Min-Hsien Wu ,  Shiao-Wen Tsai

发明人： Tung-Ming Pan ,  Chao-Wen Lin ,  Kung-Yuan Chang ,  Min-Hsien Wu ,  Shiao-Wen Tsai

IPC分类号： G01N27/327 ,  C12Q1/00 ,  G01N27/22

CPC分类号： C12Q1/001 ,  G01N27/227

摘要： A detection method for a sensor membrane formed of europium titanium oxide as part of a biosensor by using PNIPAAm for wrapping enzymes includes adding 1.0 g of NIPAAm powder to 20 ml water, heating same at 60° C. to form NIPAAm solution, and cooling the NIPAAm solution; adding 200 μl of 98.7 wt % of APS and 50 μl of 99 wt % of TEMED to the NIPAAm solution, uniformly mixing same, and reacting the mixture for 30 hours to prepare a transparent, gel PNIPAAm; adding 5 mg enzymes to 100 μl of 1×PBS buffer solution, uniformly mixing same, adding 100 μl of PNIPAAm to the buffer solution, and uniformly mixing the buffer solution; placing a biosensor on a heater for heating at a constant temperature of 37° C. with the biosensor being an EIS sensor having a sensor membrane formed of EuTixOy; and taking a measurement.

摘要翻译： 由使用PNIPAAm包裹酶作为生物传感器的一部分的由氧化铕形成的传感器膜的检测方法包括将1.0g NIPAAm粉末加入到20ml水中，在60℃下加热，形成NIPAAm溶液，并冷却 NIPAAm解决方案 向NIPAAm溶液中加入200μl98.7wt％的APS和50μl99wt％的TEMED，均匀混合，并使混合物反应30小时以制备透明的凝胶PNIPAAm; 向100μl1×PBS缓冲溶液中加入5mg酶，均匀混合，向缓冲液中加入100μlPNIPAAm，均匀混合缓冲溶液; 将生物传感器放置在加热器上，在37℃的恒温下加热，生物传感器是具有由EuTixOy形成的传感器膜的EIS传感器; 并进行测量。

公开(公告)号：US20110298015A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US12793647

申请日：2010-06-03

申请人： Tung-Ming Pan ,  Min-Hsien Wu ,  Ming-De Huang ,  Chao-Sung Lai

发明人： Tung-Ming Pan ,  Min-Hsien Wu ,  Ming-De Huang ,  Chao-Sung Lai

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： A61B5/14539 ,  C12Q1/001 ,  G01N27/4145

摘要： A sensing device includes: a semiconductor layer of a field effect semiconductor having upper and lower surfaces; a conductive layer formed on the lower surface of the semiconductor layer; and a sensor layer of an insulator formed on the upper surface of the semiconductor layer. The insulator is made from lanthanide-titanium oxide.

摘要翻译： 感测装置包括：具有上表面和下表面的场效应半导体的半导体层; 形成在所述半导体层的下表面上的导电层; 以及形成在半导体层的上表面上的绝缘体的传感器层。 绝缘体由镧系元素 - 氧化钛制成。

公开(公告)号：US08441080B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US12793647

申请日：2010-06-03

申请人： Tung-Ming Pan ,  Min-Hsien Wu ,  Ming-De Huang ,  Chao-Sung Lai

发明人： Tung-Ming Pan ,  Min-Hsien Wu ,  Ming-De Huang ,  Chao-Sung Lai

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： A61B5/14539 ,  C12Q1/001 ,  G01N27/4145

摘要： A sensing device includes: a semiconductor layer of a field effect semiconductor having upper and lower surfaces; a conductive layer formed on the lower surface of the semiconductor layer; and a sensor layer of an insulator formed on the upper surface of the semiconductor layer. The insulator is made from lanthanide-titanium oxide.

摘要翻译： 感测装置包括：具有上表面和下表面的场效应半导体的半导体层; 形成在所述半导体层的下表面上的导电层; 以及形成在半导体层的上表面上的绝缘体的传感器层。 绝缘体由镧系元素 - 氧化钛制成。

公开(公告)号：US06555485B1

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US10055891

申请日：2002-01-28

申请人： Chuan-Hsi Liu ,  Hsiu-Shan Lin ,  Yu-Yin Lin ,  Tung-Ming Pan ,  Kuo-Tai Huang

发明人： Chuan-Hsi Liu ,  Hsiu-Shan Lin ,  Yu-Yin Lin ,  Tung-Ming Pan ,  Kuo-Tai Huang

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518

摘要： This invention relates to a method for forming a gate dielectric layer, and, more particularly, to a method for treating a base oxide layer by using a remote plasma nitridation procedure and a thermal annealing treatment in turn to form the gate dielectric layer. The first step of the present invention is to form a base oxide layer on a substrate of a wafer. The base oxide layer can be formed using any kind of method. Then nitrogen ions are introduced into the base oxide layer using the remote plasma nitridation procedure to form a remote plasma nitrided oxide layer. Finally, the wafer is placed in a reaction chamber which comprises oxygen (O2) or nitric monoxide (NO) to treat the remote plasma nitrided oxide layer using the thermal annealing procedure and the gate dielectric layer of the present invention is formed.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于形成栅极电介质层的方法，更具体地，涉及一种通过使用远程等离子体氮化处理和热退火处理依次形成栅极介电层来处理基底氧化物层的方法。 本发明的第一步是在晶片的基片上形成基底氧化物层。 基底氧化物层可以使用任何种类的方法形成。 然后使用远程等离子体氮化方法将氮离子引入基底氧化物层中以形成远程等离子体氮化氧化物层。 最后，将晶片放置在包含氧（O 2）或一氧化氮（NO）的反应室中，以使用热退火程序处理远程等离子体氮化氧化物层，并形成本发明的栅介质层。