公开(公告)号：US07705424B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11749017

申请日：2007-05-15

申请人： Tzyh-Cheang Lee ,  Ming-Yi Yang ,  Fu-Liang Yang ,  Denny Duan-Iee Tang

发明人： Tzyh-Cheang Lee ,  Ming-Yi Yang ,  Fu-Liang Yang ,  Denny Duan-Iee Tang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A phase change memory is provided. The method includes forming contact plugs in a first dielectric layer. A second dielectric layer is formed overlying the first dielectric layer and a trench formed therein exposing portions of the contact plugs. A metal layer is formed over surfaces of the trench. One or more heaters are formed from the metal layer such that each heater is formed along one or more sidewalls and a portion of the bottom of the trench, wherein the portion of the heater along the sidewalls does not include a corner region of adjacent sidewalls. The trench is filled with a third dielectric layer, and a fourth dielectric layer is formed over the third dielectric layer. Trenches are formed in the fourth dielectric layer and filled with a phase change material. An electrode is formed over the phase change material.

摘要翻译： 提供了相变存储器。 该方法包括在第一电介质层中形成接触塞。 形成第二电介质层，覆盖第一电介质层和形成在其中的沟槽，暴露接触插塞的部分。 在沟槽的表面上形成金属层。 从金属层形成一个或多个加热器，使得每个加热器沿沟槽的一个或多个侧壁和底部的一部分形成，其中加热器沿着侧壁的部分不包括相邻侧壁的拐角区域。 沟槽填充有第三电介质层，并且在第三介电层上形成第四电介质层。 在第四电介质层中形成沟槽并填充相变材料。 在相变材料上形成电极。

公开(公告)号：US07989920B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12703571

申请日：2010-02-10

申请人： Tzyh-Cheang Lee ,  Ming-Yi Yang ,  Fu-Liang Yang ,  Denny Duan-Iee Tang

发明人： Tzyh-Cheang Lee ,  Ming-Yi Yang ,  Fu-Liang Yang ,  Denny Duan-Iee Tang

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A phase change memory is provided. The method includes forming contact plugs in a first dielectric layer. A second dielectric layer is formed overlying the first dielectric layer and a trench formed therein exposing portions of the contact plugs. A metal layer is formed over surfaces of the trench. One or more heaters are formed from the metal layer such that each heater is formed along one or more sidewalls of the trench, wherein the portion of the heater along the sidewalls does not include a corner region of adjacent sidewalls. The trench is filled with a third dielectric layer, and a fourth dielectric layer is formed over the third dielectric layer. Trenches are formed in the fourth dielectric layer and filled with a phase change material. An electrode is formed over the phase change material.

摘要翻译： 提供了相变存储器。 该方法包括在第一电介质层中形成接触塞。 形成第二电介质层，覆盖第一电介质层和形成在其中的沟槽，暴露接触插塞的部分。 在沟槽的表面上形成金属层。 从金属层形成一个或多个加热器，使得每个加热器沿着沟槽的一个或多个侧壁形成，其中加热器沿着侧壁的部分不包括相邻侧壁的拐角区域。 沟槽填充有第三电介质层，并且在第三介电层上形成第四电介质层。 在第四电介质层中形成沟槽并填充相变材料。 在相变材料上形成电极。

公开(公告)号：US20080099863A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11698346

申请日：2007-01-26

申请人： Chuan-Ying Lee ,  Denny Duan-Iee Tang

发明人： Chuan-Ying Lee ,  Denny Duan-Iee Tang

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L27/2445 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： A semiconductor structure includes a substrate; an isolation structure in the substrate, wherein the isolation structure defines a region therein; a first semiconductor region having at least a portion in the region defined by the isolation structure, wherein the first semiconductor region is of a first conductivity type; a second semiconductor region on the first semiconductor region, wherein the second semiconductor region is of a second conductivity type opposite the first conductivity type; and a third semiconductor region of the first conductivity type on the second semiconductor region, wherein the third semiconductor region has at least a portion higher than a top surface of the isolation structure.

摘要翻译： 半导体结构包括基板; 衬底中的隔离结构，其中所述隔离结构在其中限定区域; 第一半导体区域，其具有由所述隔离结构限定的区域中的至少一部分，其中所述第一半导体区域是第一导电类型; 在所述第一半导体区域上的第二半导体区域，其中所述第二半导体区域是与所述第一导电类型相反的第二导电类型; 以及在第二半导体区域上具有第一导电类型的第三半导体区域，其中第三半导体区域具有比隔离结构的顶表面高至少一部分。