公开(公告)号：US20090261321A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12226182

申请日：2007-04-04

申请人： Ulrich Berens ,  Arno Stassen ,  Beat Schmidhalter ,  Wolfgang Kalb ,  Frank Bienewald

发明人： Ulrich Berens ,  Arno Stassen ,  Beat Schmidhalter ,  Wolfgang Kalb ,  Frank Bienewald

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  C07D493/04 ,  C07D495/22 ,  C07D495/04

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D493/04 ,  C07D493/22 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

摘要： A semiconducting layer comprising a non-polymeric quinoid heteroacene compound of the formula (I) wherein X stands for O, S or NR, each of R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8 being independently selected from hydrogen and an organic residue, or 2 or more thereof together forming one or more annealed rings, which may be substituted or unsubstituted, carbocyclic or helerocyclic, aromatic, quinoid or aliphatic, may be used e.g. for the manufacture of a diode, an organic field effect transistor, an organic thin film transistor, or a device containing a diode and/or an organic field effect transistor and/or organic thin film transistor.

摘要翻译： 一种半导体层，其包含式（I）的非聚合醌型杂炔化合物，其中X代表O，S或NR，R，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6，R 7，R 8中的每一个独立地选自 氢和有机残基，或其中2个或更多个一起形成可以是取代或未取代的碳环或环丙基，芳族，醌型或脂族的一个或多个退火环，例如 用于制造二极管，有机场效应晶体管，有机薄膜晶体管或包含二极管和/或有机场效应晶体管和/或有机薄膜晶体管的器件。

公开(公告)号：US08471019B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12226182

申请日：2007-04-04

申请人： Ulrich Berens ,  Arno Stassen ,  Beat Schmidhalter ,  Wolfgang Kalb ,  Frank Bienewald

发明人： Ulrich Berens ,  Arno Stassen ,  Beat Schmidhalter ,  Wolfgang Kalb ,  Frank Bienewald

IPC分类号： H01L51/00 ,  C07D409/14 ,  C07D211/18 ,  C07D319/00 ,  C07D413/14

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D493/04 ,  C07D493/22 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

摘要： A semiconducting layer comprising a non-polymeric quinoid heteroacene compound of the formula (I) wherein X stands for O, S or NR, each of R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8 being independently selected from hydrogen and an organic residue, or 2 or more thereof together forming one or more annealed rings, which may be substituted or unsubstituted, carbocyclic or helerocyclic, aromatic, quinoid or aliphatic, may be used e.g. for the manufacture of a diode, an organic field effect transistor, an organic thin film transistor, or a device containing a diode and/or an organic field effect transistor and/or organic thin film transistor.

摘要翻译： 一种半导体层，其包含式（I）的非聚合醌型杂炔化合物，其中X代表O，S或NR，R，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6，R 7，R 8中的每一个独立地选自 氢和有机残基，或其中2个或更多个一起形成可以是取代或未取代的碳环或环丙基，芳族，醌型或脂族的一个或多个退火环，例如 用于制造二极管，有机场效应晶体管，有机薄膜晶体管或包含二极管和/或有机场效应晶体管和/或有机薄膜晶体管的器件。

公开(公告)号：US20100044687A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12520902

申请日：2007-12-07

申请人： Wolfgang Kalb ,  Thomas Mathis

发明人： Wolfgang Kalb ,  Thomas Mathis

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L21/0212 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3127 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

摘要： A method for making an organic field-effect device (e.g. TFT or SC-FET device) is proposed, comprising the Steps of (a) depositing an polymeric dielectric with a repellency to detrimental molecules from Solution or from the vapor phase to form an insulating layer and (b) depositing an oligomer layer which is grown from the vapor phase, the oligomer layer being adjacent to the insulating layer in the completed device. Furthermore the correspondingly produced organic field effect devices are disclosed.

摘要翻译： 提出了一种用于制造有机场效应器件（例如TFT或SC-FET器件）的方法，包括以下步骤：（a）从溶液或蒸气相沉积具有对有害分子的斥力的聚合物电介质，以形成绝缘 层和（b）沉积从气相生长的低聚物层，低聚物层在完成的装置中与绝缘层相邻。 此外，公开了相应制造的有机场效应器件。