公开(公告)号：US20110175672A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12361056

申请日：2009-01-28

申请人： Vinh N. Nguyen ,  Nan Marie Jokerst ,  David R. Smith ,  Talmage Tyler, II ,  Jungsang Kim ,  Serdar H. Yonak

发明人： Vinh N. Nguyen ,  Nan Marie Jokerst ,  David R. Smith ,  Talmage Tyler, II ,  Jungsang Kim ,  Serdar H. Yonak

IPC分类号： H01L31/0248 ,  H03K3/01

CPC分类号： H05K1/0236 ,  G02B1/002 ,  H01Q15/0086 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0293 ,  H05K1/03 ,  H05K1/16 ,  H05K2201/10174 ,  H05K2203/171

摘要： Examples of the present invention include a metamaterial comprising a plurality of resonators disposed on a substrate, the substrate comprising a dielectric support layer and a relatively thin semiconductor layer, having a Schottky junction between at least one conducting resonator and the semiconductor layer. The properties of the resonator may be adjusted by modifying the physical extent of a depletion region associated with the Schottky junction.

摘要翻译： 本发明的实例包括一种超材料，其包括设置在基板上的多个谐振器，所述基板包括电介质支撑层和相对薄的半导体层，在至少一个导电谐振器和半导体层之间具有肖特基结。 可以通过修改与肖特基结相关联的耗尽区的物理范围来调节谐振器的特性。

公开(公告)号：US20100314040A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12481785

申请日：2009-06-10

申请人： Talmage Tyler, II ,  Nan Marie Jokerst ,  David R. Smith ,  Vinh N. Nguyen ,  Jungsang Kim ,  Serdar H. Yonak

发明人： Talmage Tyler, II ,  Nan Marie Jokerst ,  David R. Smith ,  Vinh N. Nguyen ,  Jungsang Kim ,  Serdar H. Yonak

IPC分类号： B05D5/12 ,  B32B38/14

CPC分类号： H01P11/007 ,  G02B1/007 ,  H01Q15/0086

摘要： An example method of fabricating a metamaterial comprises providing a first metamaterial layer, the first metamaterial layer including a first plurality of conducting patterns, such as electrically coupled resonators. A second metamaterial layer is then formed, including a second plurality of conducting patterns, to form a multilayer metamaterial. Positional alignment of the first and second plurality of conducting patterns can be achieved relative to the same fiducial mark, which may be associated with the first metamaterial layer, for example supported by a first substrate or on an alignment layer that is attached to the first substrate.

摘要翻译： 制造超材料的示例性方法包括提供第一超材料层，第一超材料层包括第一多个导电图案，例如电耦合谐振器。 然后形成第二超材料层，包括第二多个导电图案，以形成多层超材料层。 可以相对于与第一超材料层相关联的相同的基准标记来实现第一和第二多个导电图案的位置对准，例如由第一基板支撑或在附接到第一基板的取向层上 。

公开(公告)号：US08130031B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12361056

申请日：2009-01-28

申请人： Vinh N. Nguyen ,  Nan Marie Jokerst ,  David R. Smith ,  Talmage Tyler, II ,  Jungsang Kim ,  Serdar H. Yonak

发明人： Vinh N. Nguyen ,  Nan Marie Jokerst ,  David R. Smith ,  Talmage Tyler, II ,  Jungsang Kim ,  Serdar H. Yonak

IPC分类号： H01L25/00

CPC分类号： H05K1/0236 ,  G02B1/002 ,  H01Q15/0086 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0293 ,  H05K1/03 ,  H05K1/16 ,  H05K2201/10174 ,  H05K2203/171

摘要： Examples of the present invention include a metamaterial comprising a plurality of resonators disposed on a substrate, the substrate comprising a dielectric support layer and a relatively thin semiconductor layer, having a Schottky junction between at least one conducting resonator and the semiconductor layer. The properties of the resonator may be adjusted by modifying the physical extent of a depletion region associated with the Schottky junction.

摘要翻译： 本发明的实例包括一种超材料，其包括设置在基板上的多个谐振器，所述基板包括电介质支撑层和相对薄的半导体层，在至少一个导电谐振器和半导体层之间具有肖特基结。 可以通过修改与肖特基结相关联的耗尽区的物理范围来调节谐振器的特性。