公开(公告)号：US08392009B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12415366

申请日：2009-03-31

申请人： Wang Jo Fei ,  Andy Tsen ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Wang Jo Fei ,  Andy Tsen ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F19/00 ,  G01R31/26 ,  G06K9/00 ,  G06F17/50 ,  G01T1/24

CPC分类号： G05B21/02 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes performing a first process to a first plurality of semiconductor wafers; determining a sampling rate to the first plurality of semiconductor wafers based on process quality; determining sampling fields and sampling points to the first plurality of semiconductor wafers; measuring a subset of the first plurality of semiconductor wafers according to the sampling rate, the sampling fields and the sampling points; modifying a second process according to the measuring; and applying the second process to a second plurality of semiconductor wafers.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括对第一多个半导体晶片执行第一处理; 基于过程质量确定对所述第一多个半导体晶片的采样率; 确定采样场和采样点到所述第一多个半导体晶片; 根据采样率，采样场和采样点测量第一多个半导体晶片的子集; 根据测量修改第二个过程; 以及将所述第二处理应用于第二多个半导体晶片。

公开(公告)号：US20100249974A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12415366

申请日：2009-03-31

申请人： Wang Jo Fei ,  Andy Tsen ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Wang Jo Fei ,  Andy Tsen ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G05B13/02 ,  G06F17/00

CPC分类号： G05B21/02 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes performing a first process to a first plurality of semiconductor wafers; determining a sampling rate to the first plurality of semiconductor wafers based on process quality; determining sampling fields and sampling points to the first plurality of semiconductor wafers; measuring a subset of the first plurality of semiconductor wafers according to the sampling arte, the sampling fields and the sampling points; modifying a second process according to the measuring; and applying the second process to a second plurality of semiconductor waders.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括对第一多个半导体晶片执行第一处理; 基于过程质量确定对所述第一多个半导体晶片的采样率; 确定采样场和采样点到所述第一多个半导体晶片; 根据采样场，采样场和采样点测量第一多个半导体晶片的子集; 根据测量修改第二个过程; 以及将所述第二处理应用于第二多个半导体缓冲器。

公开(公告)号：US08108060B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12465064

申请日：2009-05-13

申请人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

发明人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/18 ,  G06F11/30 ,  G01N37/00

CPC分类号： G05B13/048 ,  G05B19/41875 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/86

摘要： System and method for implementing wafer acceptance test (“WAT”) advanced process control (“APC”) are described. In one embodiment, the method comprises performing a key process on a sample number of wafers of a lot of wafers; performing a key inline measurement related to the key process to produce metrology data for the wafers; predicting WAT data from the metrology data using an inline-to-WAT model; and using the predicted WAT data to tune a WAT APC process for controlling a tuning process or a process APC process.

摘要翻译： 描述了实现晶片验收测试（“WAT”）高级过程控制（“APC”）的系统和方法。 在一个实施例中，该方法包括对大量晶片的晶片的样本数进行密钥处理; 执行关键过程的关键在线测量以产生晶片的测量数据; 使用直线到WAT模型预测来自计量数据的WAT数据; 并且使用预测的WAT数据来调整用于控制调谐过程或过程APC过程的WAT APC过程。

公开(公告)号：US20100292824A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12465064

申请日：2009-05-13

申请人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

发明人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

IPC分类号： G05B13/04

CPC分类号： G05B13/048 ,  G05B19/41875 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/86

摘要： System and method for implementing wafer acceptance test (“WAT”) advanced process control (“APC”) are described. In one embodiment, the method comprises performing a key process on a sample number of wafers of a lot of wafers; performing a key inline measurement related to the key process to produce metrology data for the wafers; predicting WAT data from the metrology data using an inline-to-WAT model; and using the predicted WAT data to tune a WAT APC process for controlling a tuning process or a process APC process.

摘要翻译： 描述了实现晶片验收测试（“WAT”）高级过程控制（“APC”）的系统和方法。 在一个实施例中，该方法包括对大量晶片的晶片的样本数进行密钥处理; 执行关键过程的关键在线测量以产生晶片的测量数据; 使用直线到WAT模型预测来自计量数据的WAT数据; 并且使用预测的WAT数据来调整用于控制调谐过程或过程APC过程的WAT APC过程。