公开(公告)号：US20130109016A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13696694

申请日：2011-04-20

申请人： Wangdon Yoo ,  Sun Young Hwang ,  Soo-Kyung Shin ,  Ji Young Shin ,  Joo Hyoung Lee ,  Sun Min Park ,  Sun Pyo Hong ,  Sukjoon Kim ,  Soo-Ok Kim

发明人： Wangdon Yoo ,  Sun Young Hwang ,  Soo-Kyung Shin ,  Ji Young Shin ,  Joo Hyoung Lee ,  Sun Min Park ,  Sun Pyo Hong ,  Sukjoon Kim ,  Soo-Ok Kim

IPC分类号： C12Q1/68

CPC分类号： C12Q1/6876 ,  C12Q1/6858 ,  C12Q1/686 ,  C12Q1/6872 ,  C12Q1/6881 ,  C12Q1/706 ,  C12Q1/708 ,  C12Q2600/156 ,  C12Q2525/131 ,  C12Q2527/143 ,  C12Q2537/149 ,  C12Q2549/119 ,  C12Q2565/627

摘要： The present invention provides a primer composition for amplifying a gene region having various variations in a target gene comprising: a first primer group comprising at least one primer specific to at least one template including a genotype-analyzable sequence of a genetically variant base sequence subjected to be analyzed in the target gene; and a second primer group comprising at least one primer designed by selecting one primer having the greatest number of shared bases from the primers of the first primer group and by using the selected primer as a reference, the primer of the second primer group binding specifically to the template or binding complementarily to the template with allowing mismatch of up to three successive bases or 1 to 2 bases in the vicinity of the 3′ end of the template.

摘要翻译： 本发明提供了用于扩增靶基因各种变异的基因区域的引物组合物，其包含：第一引物组，其包含至少一种特异于至少一种模板的引物，所述引物包含经受基因变异的基因序列的基因型可分析序列 在目标基因中进行分析; 以及第二引物组，其包含通过从所述第一引物组的引物中选择具有最多共享碱基的一个引物而设计的至少一个引物，并且通过使用所选择的引物作为参照，所述第二引物组的引物特异性结合 该模板或结合物与模板互补，允许在模板的3'末端附近允许多达三个连续碱基或1至2个碱基的错配。

公开(公告)号：US06624036B2

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US10026958

申请日：2001-12-27

申请人： Joo Hyoung Lee

发明人： Joo Hyoung Lee

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/66628 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76267 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636

摘要： The present invention relates to a transistor in a semiconductor device and method of manufacturing the same. Therefore, the present invention can obtain an effect such as using a SOI substrate or a SIMOX substrate and can prevent a lowering in an electrical characteristic of the device, by using a bulk substrate made of a single crystal silicon but forming an insulating layer into which oxygen is injected below a LDD region.