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    Asymmetric Write Current Compensation
    1.
    发明申请
    Asymmetric Write Current Compensation 有权
    非对称写电流补偿

    公开(公告)号：US20120087175A1

    公开(公告)日：2012-04-12

    申请号：US13333598

    申请日：2011-12-21

    申请人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    发明人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

    摘要： An apparatus and method for compensating for asymmetric write current in a non-volatile unit cell. The unit cell comprises a switching device and an asymmetric resistive sense element (RSE), such as an asymmetric resistive random access memory (RRAM) element or an asymmetric spin-torque transfer random access memory (STRAM) element. The RSE is physically oriented within the unit cell relative to the switching device such that a hard direction for programming the RSE is aligned with an easy direction of programming the unit cell, and an easy direction for programming the RSE is aligned with a hard direction for programming the unit cell.

    摘要翻译： 一种用于补偿非易失性单元中不对称写入电流的装置和方法。 单位单元包括开关装置和非对称电阻感测元件（RSE），诸如非对称电阻随机存取存储器（RRAM）元件或非对称自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）元件。 RSE相对于开关装置在物理上定位在单位单元内，使得用于编程RSE的硬方向与单元单元的简单编程方向对齐，并且用于编程RSE的简单方向与硬方向对齐 编程单元格

    Asymmetric write current compensation
    2.
    发明授权
    Asymmetric write current compensation 有权
    不对称写入电流补偿

    公开(公告)号：US07881096B2

    公开(公告)日：2011-02-01

    申请号：US12408996

    申请日：2009-03-23

    申请人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    发明人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C17/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

    摘要： An apparatus and method for compensating for asymmetric write current in a non-volatile unit cell. The unit cell comprises a switching device and an asymmetric resistive sense element (RSE), such as an asymmetric resistive random access memory (RRAM) element or an asymmetric spin-torque transfer random access memory (STRAM) element. The RSE is physically oriented within the unit cell relative to the switching device such that a hard direction for programming the RSE is aligned with an easy direction of programming the unit cell, and an easy direction for programming the RSE is aligned with a hard direction for programming the unit cell.

    摘要翻译： 一种用于补偿非易失性单元中不对称写入电流的装置和方法。 单位单元包括开关装置和非对称电阻感测元件（RSE），诸如非对称电阻随机存取存储器（RRAM）元件或非对称自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）元件。 RSE相对于开关装置在物理上定位在单位单元内，使得用于编程RSE的硬方向与单元单元的简单编程方向对齐，并且用于编程RSE的简单方向与硬方向对齐 编程单元格

    Asymmetric write current compensation
    3.
    发明授权
    Asymmetric write current compensation 有权
    不对称写入电流补偿

    公开(公告)号：US08320169B2

    公开(公告)日：2012-11-27

    申请号：US13333598

    申请日：2011-12-21

    申请人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    发明人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

    摘要： An apparatus and method for compensating for asymmetric write current in a non-volatile unit cell. The unit cell comprises a switching device and an asymmetric resistive sense element (RSE), such as an asymmetric resistive random access memory (RRAM) element or an asymmetric spin-torque transfer random access memory (STRAM) element. The RSE is physically oriented within the unit cell relative to the switching device such that a hard direction for programming the RSE is aligned with an easy direction of programming the unit cell, and an easy direction for programming the RSE is aligned with a hard direction for programming the unit cell.

    摘要翻译： 一种用于补偿非易失性单元中不对称写入电流的装置和方法。 单位单元包括开关装置和非对称电阻感测元件（RSE），诸如非对称电阻随机存取存储器（RRAM）元件或非对称自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）元件。 RSE相对于开关装置在物理上定位在单位单元内，使得用于编程RSE的硬方向与单元单元的简单编程方向对齐，并且用于编程RSE的简单方向与硬方向对齐 编程单元格

    Asymmetric Write Current Compensation
    4.
    发明申请
    Asymmetric Write Current Compensation 有权
    非对称写电流补偿

    公开(公告)号：US20100085795A1

    公开(公告)日：2010-04-08

    申请号：US12408996

    申请日：2009-03-23

    申请人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    发明人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/416

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

    摘要： An apparatus and method for compensating for asymmetric write current in a non-volatile unit cell. The unit cell comprises a switching device and an asymmetric resistive sense element (RSE), such as an asymmetric resistive random access memory (RRAM) element or an asymmetric spin-torque transfer random access memory (STRAM) element. The RSE is physically oriented within the unit cell relative to the switching device such that a hard direction for programming the RSE is aligned with an easy direction of programming the unit cell, and an easy direction for programming the RSE is aligned with a hard direction for programming the unit cell.

    摘要翻译： 一种用于补偿非易失性单元中不对称写入电流的装置和方法。 单位单元包括开关装置和非对称电阻感测元件（RSE），诸如非对称电阻随机存取存储器（RRAM）元件或非对称自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）元件。 RSE相对于开关装置在物理上定位在单位单元内，使得用于编程RSE的硬方向与单元单元的简单编程方向对齐，并且用于编程RSE的简单方向与硬方向对齐 编程单元格

    Asymmetric Write Current Compensation
    5.
    发明申请
    Asymmetric Write Current Compensation 有权
    非对称写电流补偿

    公开(公告)号：US20110134688A1

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：US13016445

    申请日：2011-01-28

    申请人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    发明人： Wenzhong Zhu ,  Yong Lu ,  Xiaobin Wang ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L21/02 ,  H01L29/82

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

    摘要： An apparatus and method for compensating for asymmetric write current in a non-volatile unit cell. The unit cell comprises a switching device and an asymmetric resistive sense element (RSE), such as an asymmetric resistive random access memory (RRAM) element or an asymmetric spin-torque transfer random access memory (STRAM) element. The RSE is physically oriented within the unit cell relative to the switching device such that a hard direction for programming the RSE is aligned with an easy direction of programming the unit cell, and an easy direction for programming the RSE is aligned with a hard direction for programming the unit cell.

    摘要翻译： 一种用于补偿非易失性单元中不对称写入电流的装置和方法。 单位单元包括开关装置和非对称电阻感测元件（RSE），诸如非对称电阻随机存取存储器（RRAM）元件或非对称自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）元件。 RSE相对于开关装置在物理上定位在单位单元内，使得用于编程RSE的硬方向与单元单元的简单编程方向对齐，并且用于编程RSE的简单方向与硬方向对齐 编程单元格

    Quiescent Testing of Non-Volatile Memory Array
    7.
    发明申请
    Quiescent Testing of Non-Volatile Memory Array 失效
    非易失性存储器阵列的静态测试

    公开(公告)号：US20100238700A1

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：US12405932

    申请日：2009-03-17

    申请人： Hai Li ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Haiwen Xi ,  Wenzhong Zhu ,  Andreas K. Roelofs

    发明人： Hai Li ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Haiwen Xi ,  Wenzhong Zhu ,  Andreas K. Roelofs

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C29/00

    CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C11/16 ,  G11C29/025 ,  G11C2029/5006

    摘要： A method and apparatus for testing an array of non-volatile memory cells, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM). In some embodiments, an array of memory cells having a plurality of unit cells with a resistive sense element and a switching device has a row decoder and a column decoder connected to the plurality of unit cells. A test circuitry sends a non-operational test pattern through the array via the row and column decoders with a quiescent supply current to identify defects in the array of memory cells.

    摘要翻译： 用于测试非易失性存储器单元阵列的方法和装置，例如自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）。 在一些实施例中，具有多个具有电阻感测元件和开关器件的单位单元的存储器单元阵列具有连接到多个单位单元的行解码器和列解码器。 测试电路通过具有静态电源电流的行和列解码器通过阵列发送非操作测试模式，以识别存储器单元阵列中的缺陷。

    Quiescent testing of non-volatile memory array
    8.
    发明授权
    Quiescent testing of non-volatile memory array 失效
    非易失性存储器阵列的静态测试

    公开(公告)号：US08526252B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US12405932

    申请日：2009-03-17

    申请人： Hai Li ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Haiwen Xi ,  Wenzhong Zhu ,  Andreas K. Roelofs

    发明人： Hai Li ,  Yiran Chen ,  Alan Xuguang Wang ,  Haiwen Xi ,  Wenzhong Zhu ,  Andreas K. Roelofs

    IPC分类号： G11C29/00

    CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C11/16 ,  G11C29/025 ,  G11C2029/5006

    摘要： A method and apparatus for testing an array of non-volatile memory cells, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM). In some embodiments, an array of memory cells having a plurality of unit cells with a resistive sense element and a switching device has a row decoder and a column decoder connected to the plurality of unit cells. A test circuitry sends a non-operational test pattern through the array via the row and column decoders with a quiescent supply current to identify defects in the array of memory cells.

    摘要翻译： 用于测试非易失性存储器单元阵列的方法和装置，例如自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）。 在一些实施例中，具有多个具有电阻感测元件和开关器件的单位单元的存储器单元阵列具有连接到多个单位单元的行解码器和列解码器。 测试电路通过具有静态电源电流的行和列解码器通过阵列发送非操作测试模式，以识别存储器单元阵列中的缺陷。