公开(公告)号：US06927172B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10248841

申请日：2003-02-24

申请人： Wolfgang Bergner ,  Linda A. Chen ,  Stephan Kudelka ,  Franz X. Zach

发明人： Wolfgang Bergner ,  Linda A. Chen ,  Stephan Kudelka ,  Franz X. Zach

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  H01L21/308 ,  H01L21/302

CPC分类号： G03F7/162 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083

摘要： Damage to the rim of a semiconductor wafer caused by etching processes is reduced by forming a rim of photoresist or other material around the outer edge of the wafer that has a thickness such that images projected on the rim are sufficiently out of focus that they do not develop, so that etching takes place only in the interior.

摘要翻译： 通过在晶片的外边缘周围形成光致抗蚀剂或其它材料的边缘来减少由蚀刻工艺引起的对半导体晶片的边缘的损伤，其厚度使得投影在边缘上的图像充分失焦， 发展，因此蚀刻只在内部进行。

公开(公告)号：US06960532B2

公开(公告)日：2005-11-01

申请号：US10248911

申请日：2003-02-28

申请人： Linda A. Chen ,  Wai-Kin Li

发明人： Linda A. Chen ,  Wai-Kin Li

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2028 ,  H01L21/3083 ,  H01L27/10844

摘要： Damage to the rim of a semiconductor wafer caused by etching processes is reduced by forming a rim of carbonized photoresist around the outer edge of the wafer, using a wafer edge tool to carbonize the outer rim of a positive tone photoresist.

摘要翻译： 通过使用晶片边缘工具在正色调光致抗蚀剂的外缘碳化来形成碳化光致抗蚀剂周缘在晶片的外边缘上，从而减少了由蚀刻工艺引起的半导体晶片的边缘的损伤。