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公开(公告)号：US07689804B2
公开(公告)日：2010-03-30
申请号：US11642337
申请日：2006-12-20
IPC分类号： G06F12/10
CPC分类号： G06F11/1008
摘要： In one embodiment, the present invention includes a method for protecting a value to be stored in a register of a register file with a first level of protection if the value is predicted to be used for a first time period, and protecting the value with a second level of protection if the value is predicted to be used for a second time period. Other embodiments are described and claimed.
摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括一种方法，用于如果该值预测将在第一时间段内使用，则保护要存储在具有第一保护等级的寄存器文件的寄存器中的值，并且用 如果该值被预测用于第二时间段，则为第二级保护。 描述和要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：US20080155375A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：US11642337
申请日：2006-12-20
IPC分类号： H03M13/00
CPC分类号： G06F11/1008
摘要： In one embodiment, the present invention includes a method for protecting a value to be stored in a register of a register file with a first level of protection if the value is predicted to be used for a first time period, and protecting the value with a second level of protection if the value is predicted to be used for a second time period. Other embodiments are described and claimed.
摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括一种方法，用于如果该值预测将在第一时间段内使用，则保护要存储在具有第一保护等级的寄存器文件的寄存器中的值，并且用 如果该值被预测用于第二时间段，则为第二级保护。 描述和要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：US07577015B2
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：US11731184
申请日：2007-03-30
申请人： Jaume Abella , Xavier Vera , Javier Carretero Casado , Jose-Alejandro Pineiro , Antonio Gonzalez
发明人： Jaume Abella , Xavier Vera , Javier Carretero Casado , Jose-Alejandro Pineiro , Antonio Gonzalez
CPC分类号： G11C7/04 , G06F12/084 , G06F12/0893 , G06F12/0897 , G11C7/1006 , G11C7/1075
摘要： In general, in one aspect, the disclosure describes an apparatus that includes a memory device having a plurality of memory cells. An inverter is used to invert data and tag information destined for the memory device. A register is used to capture the inverted data and tag information. A write inverted value logic is used to determine when to enable writing the inverted data and tag information from the register to the memory device. When inverted data and tag information is written to a memory cell the memory cell is invalidated.
摘要翻译： 通常，在一个方面，本公开描述了一种包括具有多个存储器单元的存储器件的装置。 逆变器用于反转目的地为存储器件的数据和标签信息。 一个寄存器用于捕获反相数据和标签信息。 写反转值逻辑用于确定何时能够将反相数据和标签信息从寄存器写入存储器件。 当将反相数据和标签信息写入存储器单元时，存储器单元无效。
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公开(公告)号：US20080244182A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：US11731184
申请日：2007-03-30
申请人： Jaume Abella , Xavier Vera , Javier Carretero Casado , Jose-Alejandro Pineiro , Antonio Gonzalez
发明人： Jaume Abella , Xavier Vera , Javier Carretero Casado , Jose-Alejandro Pineiro , Antonio Gonzalez
CPC分类号： G11C7/04 , G06F12/084 , G06F12/0893 , G06F12/0897 , G11C7/1006 , G11C7/1075
摘要： In general, in one aspect, the disclosure describes an apparatus that includes a memory device having a plurality of memory cells. An inverter is used to invert data and tag information destined for the memory device. A register is used to capture the inverted data and tag information. A write inverted value logic is used to determine when to enable writing the inverted data and tag information from the register to the memory device. When inverted data and tag information is written to a memory cell the memory cell is invalidated.
摘要翻译： 通常，在一个方面，本公开描述了一种包括具有多个存储器单元的存储器件的装置。 逆变器用于反转目的地为存储器件的数据和标签信息。 一个寄存器用于捕获反相数据和标签信息。 写反转值逻辑用于确定何时能够将反相数据和标签信息从寄存器写入存储器件。 当将反相数据和标签信息写入存储器单元时，存储器单元无效。
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公开(公告)号：US20090287909A1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：US12086357
申请日：2005-12-30
申请人： Xavier Vera , Jaume Abella , Osman Unsal , Oguz Ergin , Antonio Gonzalez
发明人： Xavier Vera , Jaume Abella , Osman Unsal , Oguz Ergin , Antonio Gonzalez
IPC分类号： G06F15/00
CPC分类号： G06F11/008 , G01R31/2846
摘要： In one embodiment, the present invention includes a method for obtaining dynamic operating parameter information of a semiconductor device such as a processor, determining dynamic usage of the device, either as a whole or for one or more portions thereof, based on the dynamic operating parameter information, and dynamically estimating a remaining lifetime of the device based on the dynamic usage. Depending on the estimated remaining lifetime, the device may be controlled in a desired manner. Other embodiments are described and claimed.
摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括一种用于获得诸如处理器的半导体器件的动态操作参数信息的方法，基于动态操作参数确定设备的整体或一个或多个部分的动态使用 信息，并基于动态使用动态估计设备的剩余寿命。 根据估计的剩余寿命，可以以期望的方式控制装置。 描述和要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：US20090150656A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：US11791145
申请日：2006-11-03
申请人： Jaume Abella , Xavier Vera , Antonio Gonzalez
发明人： Jaume Abella , Xavier Vera , Antonio Gonzalez
IPC分类号： G06F9/30
CPC分类号： G11C7/04
摘要： Methods and apparatus to reduce aging effect on registers are described. In one embodiment, a select value is stored in a register that is unused, for example, to reduce the effects of negative bias temperature instability (NBTI) or oxide degradation on the register. Other embodiments are also described.
摘要翻译： 描述了减少对寄存器的老化影响的方法和装置。 在一个实施例中，选择值存储在未使用的寄存器中，例如以减少负偏压温度不稳定性（NBTI）或寄存器中的氧化物劣化的影响。 还描述了其它实施例。
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公开(公告)号：US20090113240A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：US12224762
申请日：2006-03-31
申请人： Xavier Vera , Oguz Ergin , Osman Unsal , Jaume Abella , Antonio Gonzalez
发明人： Xavier Vera , Oguz Ergin , Osman Unsal , Jaume Abella , Antonio Gonzalez
CPC分类号： G06F11/008 , G06F11/1497
摘要： In one embodiment, the present invention includes a method for determining a vulnerability level for an instruction executed in a processor, and re-executing the instruction if the vulnerability level is above a threshold. The vulnerability level may correspond to a soft error likelihood for the instruction while the instruction is in the processor. Other embodiments are described and claimed.
摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括一种用于确定在处理器中执行的指令的漏洞级别的方法，以及如果漏洞级别高于阈值则重新执行该指令。 漏洞级别可能对应于指令在处理器中时指令的软错误可能性。 描述和要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：US08578137B2
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：US11791145
申请日：2006-11-03
申请人： Jaume Abella , Xavier Vera , Antonio Gonzalez
发明人： Jaume Abella , Xavier Vera , Antonio Gonzalez
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G11C7/04
摘要： Methods and apparatus to reduce aging effect on registers are described. In one embodiment, a select value is stored in a register that is unused, for example, to reduce the effects of negative bias temperature instability (NBTI) or oxide degradation on the register. Other embodiments are also described.
摘要翻译： 描述了减少对寄存器的老化影响的方法和装置。 在一个实施例中，选择值存储在未使用的寄存器中，例如以减少负偏压温度不稳定性（NBTI）或寄存器中的氧化物劣化的影响。 还描述了其它实施例。
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公开(公告)号：US20090037783A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：US11833765
申请日：2007-08-03
CPC分类号： G06F11/1008 , G06F11/1405
摘要： Embodiments of apparatuses and methods for protecting data storage structures from intermittent errors are disclosed. In one embodiment, an apparatus includes a plurality of data storage locations, execution logic, error detection logic, and control logic. The execution logic is to execute an instruction to generate a data value to store in one of the data storage locations. The error detection logic is to detect an error in the data value stored in the data storage location. The control logic is to respond to the detection of the error by causing the execution logic to re-execute the instruction to regenerate the data value to store in the data storage location, causing the error detection logic to check the data value read from the data storage location, and deactivating the data storage location if another error is detected.
摘要翻译： 公开了用于保护数据存储结构免于间歇性错误的装置和方法的实施例。 在一个实施例中，装置包括多个数据存储位置，执行逻辑，错误检测逻辑和控制逻辑。 执行逻辑是执行指令以生成数据值以存储在数据存储位置之一中。 错误检测逻辑是检测数据存储位置中存储的数据值中的错误。 控制逻辑是通过使执行逻辑重新执行用于重新生成数据值以存储在数据存储位置的指令来响应错误的检测，使得错误检测逻辑检查从数据读取的数据值 存储位置，如果检测到另一个错误，则停用数据存储位置。
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公开(公告)号：US07447054B2
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：US11611344
申请日：2006-12-15
申请人： Jaume Abella , Xavier Vera , Osman Unsal , Antonio Gonzalez
发明人： Jaume Abella , Xavier Vera , Osman Unsal , Antonio Gonzalez
IPC分类号： G11C17/00
CPC分类号： G11C11/412 , G11C11/56
摘要： An NBTI-resilient memory cell is made up of a ring of multiple NAND gates. The NAND gates are arranged such that one of the NAND gates has a “0” in its output, while the remaining NAND gates have a “1” in their outputs. PMOS transistors within the memory cell experience less degradation than in inverter-based memory cells. Guard-banding to account for transistor degradation may be mitigated, or the operating frequency of the memory cell may be increased.
摘要翻译： NBTI弹性存储单元由多个NAND门的环组成。 NAND门被布置成使得一个NAND门在其输出中具有“0”，而其余的NAND门在其输出中具有“1”。 存储器单元内的PMOS晶体管比基于逆变器的存储单元中的PMOS晶体管的衰减更少。 可以减轻保护带以解决晶体管劣化，或者可以增加存储单元的工作频率。
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