公开(公告)号：US08809995B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13408300

申请日：2012-02-29

申请人： Xiaomin Duan ,  Xiaoxiong Gu ,  Yong Liu ,  Joel A. Silberman

发明人： Xiaomin Duan ,  Xiaoxiong Gu ,  Yong Liu ,  Joel A. Silberman

IPC分类号： H01L23/528

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/535 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： Circuits for shielding devices from electromagnetic coupling with through-silicon vias are shown that include a substrate having a through via, which provides access to a device layer on a first surface of the circuit to a device layer on a second surface of the circuit; a conductive layer on the first side of the substrate; a contact point on one of the device layers; and a grounded buried interface tie on the conductive layer, adjacent to the contact point, to isolate the contact point from coupling noise.

摘要翻译： 示出了用于屏蔽器件与通过硅通孔的电磁耦合的电路，其包括具有通孔的衬底，其提供对电路的第一表面上的器件层的访问到电路的第二表面上的器件层; 在所述基板的第一侧上的导电层; 一个设备层上的接触点; 以及在接触点附近的导电层上的接地埋入界面，以将接触点与耦合噪声隔离。

公开(公告)号：US20130221484A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13408300

申请日：2012-02-29

申请人： Xiaomin Duan ,  Xiaoxiong Gu ,  Yong Liu ,  Joel A. Silberman

发明人： Xiaomin Duan ,  Xiaoxiong Gu ,  Yong Liu ,  Joel A. Silberman

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/535 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： Circuits for shielding devices from electromagnetic coupling with through-silicon vias are shown that include a substrate having a through via, which provides access to a device layer on a first surface of the circuit to a device layer on a second surface of the circuit; a conductive layer on the first side of the substrate; a contact point on one of the device layers; and a grounded buried interface tie on the conductive layer, adjacent to the contact point, to isolate the contact point from coupling noise.

摘要翻译： 示出了用于屏蔽器件与通过硅通孔的电磁耦合的电路，其包括具有通孔的衬底，其提供对电路的第一表面上的器件层的访问到电路的第二表面上的器件层; 在所述基板的第一侧上的导电层; 一个设备层上的接触点; 以及在接触点附近的导电层上的接地埋入界面，以将接触点与耦合噪声隔离。