公开(公告)号：US07747122B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12242454

申请日：2008-09-30

申请人： Yoel Shetrit ,  Ling Liao ,  Ansheng Liu

发明人： Yoel Shetrit ,  Ling Liao ,  Ansheng Liu

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02F1/01

CPC分类号： G02B6/12004 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/025 ,  G02F1/225 ,  G02F1/2257

摘要： A method and apparatus for high speed silicon optical modulation is described using a PN diode. In one example, an optical waveguide has adjoining first and second doped semiconductor regions. The first and second regions have opposite doping types and the first doped region extends in two perpendicular directions through the waveguide.

摘要翻译： 使用PN二极管描述用于高速硅光调制的方法和装置。 在一个示例中，光波导具有邻接的第一和第二掺杂半导体区域。 第一和第二区域具有相反的掺杂类型，并且第一掺杂区域在两个垂直方向上延伸穿过波导。

公开(公告)号：US20100080504A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242454

申请日：2008-09-30

申请人： Yoel Shetrit ,  Ling Liao ,  Amsheng Liu

发明人： Yoel Shetrit ,  Ling Liao ,  Amsheng Liu

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/12004 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/025 ,  G02F1/225 ,  G02F1/2257

摘要： A method and apparatus for high speed silicon optical modulation is described using a PN diode. In one example, an optical waveguide has adjoining first and second doped semiconductor regions. The first and second regions have opposite doping types and the first doped region extends in two perpendicular directions through the waveguide.

摘要翻译： 使用PN二极管描述用于高速硅光调制的方法和装置。 在一个示例中，光波导具有邻接的第一和第二掺杂半导体区域。 第一和第二区域具有相反的掺杂类型，并且第一掺杂区域在两个垂直方向上延伸穿过波导。

公开(公告)号：US09252118B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13995689

申请日：2011-12-22

申请人： Siddharth Jain ,  John Bowers ,  Matthew Sysak ,  John Heck ,  Ran Feldesh ,  Richard Jones ,  Yoel Shetrit ,  Michael Geva

发明人： Siddharth Jain ,  John Bowers ,  Matthew Sysak ,  John Heck ,  Ran Feldesh ,  Richard Jones ,  Yoel Shetrit ,  Michael Geva

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01L23/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L27/12 ,  H01L29/20 ,  H01S5/02

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  H01L2224/45 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/43

摘要： A semiconductor metallurgy includes a ratio of germanium and palladium that provides low contact resistance to both n-type material and p-type material. The metallurgy allows for a contact that does not include gold and is compatible with mass-production CMOS techniques. The ratio of germanium and palladium can be achieved by stacking layers of the materials and annealing the stack, or simultaneously depositing the germanium and palladium on the material where the contact is to be manufactured.

摘要翻译： 半导体冶金学包括对n型材料和p型材料提供低接触电阻的锗和钯的比例。 冶金允许不包括金的接触，并且与大规模生产CMOS技术兼容。 锗和钯的比例可以通过堆叠材料的层并退火叠层来实现，或者同时将锗和钯沉积在要制造接触的材料上。

公开(公告)号：US20140050243A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：US13995689

申请日：2011-12-22

申请人： Siddharth Jain ,  John Bowers ,  Matthew Sysak ,  John Heck ,  Ran Feldesh ,  Richard Jones ,  Yoel Shetrit ,  Michael Geva

发明人： Siddharth Jain ,  John Bowers ,  Matthew Sysak ,  John Heck ,  Ran Feldesh ,  Richard Jones ,  Yoel Shetrit ,  Michael Geva

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  H01L2224/45 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/43

摘要： A semiconductor metallurgy includes a ratio of germanium and palladium that provides low contact resistance to both n-type material and p-type material. The metallurgy allows for a contact that does not include gold and is compatible with mass-production CMOS techniques. The ratio of germanium and palladium can be achieved by stacking layers of the materials and annealing the stack, or simultaneously depositing the germanium and palladium on the material where the contact is to be manufactured.

摘要翻译： 半导体冶金学包括对n型材料和p型材料提供低接触电阻的锗和钯的比例。 冶金允许不包括金的接触，并且与大规模生产CMOS技术兼容。 锗和钯的比例可以通过堆叠材料的层并退火叠层来实现，或者同时将锗和钯沉积在要制造接触的材料上。