公开(公告)号：US20080096386A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11876631

申请日：2007-10-22

申请人： Young-Lim PARK ,  Sung-Lae CHO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM

发明人： Young-Lim PARK ,  Sung-Lae CHO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/2436 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

摘要： A phase-changeable layer and a method of forming the same are disclosed. In the method, a first hydrogen gas is introduced into a reaction chamber into which a substrate is loaded at a first flow rate to form first plasma. A primary cyclic CVD process is carried out using precursors in the reaction chamber to form a lower phase-changeable layer having a first grain size on the substrate. A second hydrogen gas is introduced into the reaction chamber at a second flow rate less than the first flow rate to form second plasma. A secondary cyclic CVD process is carried out using the precursors in the reaction chamber to form an upper phase-changeable layer having a second grain size smaller than the first grain size on the substrate, thereby forming a phase-changeable layer. Thus, the phase-changeable layer may have strong adhesion strength with respect to a lower layer and good electrical characteristics.

摘要翻译： 公开了一种相变层及其形成方法。 在该方法中，将第一氢气引入反应室中，以第一流速将载体加载到反应室中以形成第一等离子体。 使用反应室中的前体进行初级循环CVD工艺，以在衬底上形成具有第一晶粒尺寸的下相变层。 将第二氢气以小于第一流量的第二流量引入反应室中以形成第二等离子体。 使用反应室中的前体进行二次循环CVD工艺，以形成具有比基板上的第一晶粒尺寸小的第二晶粒尺寸的上相变层，从而形成相变层。 因此，相变层可以具有相对于较低层的强粘合强度和良好的电特性。

公开(公告)号：US20080142777A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11762801

申请日：2007-06-14

申请人： Young-Lim PARK ,  Sung-Lae CHO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM

发明人： Young-Lim PARK ,  Sung-Lae CHO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L45/148 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

摘要： A phase change memory device includes a lower electrode provided on a substrate, an interlayer insulating layer including a contact hole exposing the lower electrode, and covering the substrate, a resistant material pattern filling the contact hole, a phase change pattern interposed between the resistant material pattern and the interlayer insulating layer, and extending between the resistant material pattern and the lower electrode, wherein the resistant material pattern has a higher resistance than the phase change pattern, and an upper electrode in contact with the phase change pattern, the upper electrode being electrically connected to the lower electrode through the phase change pattern.

摘要翻译： 相变存储器件包括设置在基板上的下电极，包括暴露下电极的接触孔并覆盖基板的层间绝缘层，填充接触孔的电阻材料图案，插入在电阻材料之间的相变图案 图案和层间绝缘层，并且在电阻材料图案和下电极之间延伸，其中电阻材料图案具有比相变图案更高的电阻，以及与相变图案接触的上电极，上电极为 通过相变图案电连接到下电极。

公开(公告)号：US20080020564A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11779885

申请日：2007-07-19

申请人： Byoung-Jae BAE ,  Sung-Lae CHO ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM ,  Young-Lim PARK

发明人： Byoung-Jae BAE ,  Sung-Lae CHO ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM ,  Young-Lim PARK

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A method includes forming a phase change material layer on a substrate using a deposition process that employs a process gas. The process gas includes a germanium source gas, and the germanium source gas includes at least one of the atomic groups “—N═C═O”, “—N═C═S”, “—N═C═Se”, “—N═C═Te”, “—N═C═Po” and “—C≡N”.

摘要翻译： 一种方法包括使用采用处理气体的沉积工艺在衬底上形成相变材料层。 该工艺气体包括锗源气体，锗源气体包括至少一个原子团“-NCO”，“-NCS”，“-NC-Se”，“-NC-Te”，“-NC- Po“和”-C≡N“。

公开(公告)号：US20070210812A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11464571

申请日：2006-08-15

申请人： Dong-Chul YOO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jang-Eun HEO ,  Ji-Eun LIM ,  Dong-Hyun IM

发明人： Dong-Chul YOO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jang-Eun HEO ,  Ji-Eun LIM ,  Dong-Hyun IM

IPC分类号： G01R31/02

CPC分类号： G01R3/00 ,  Y10T29/49151

摘要： A probe array may be fabricated by forming probes arranged on a sacrificial substrate, forming a probe substrate above the probes, and removing the sacrificial substrate. In one embodiment, first probes may be two-dimensionally formed in row and column directions on a sacrificial substrate. Second probes may be formed between the first probes arranged in the row direction such that a distance between the first and second probes is smaller than the resolution limit in a lithography process. A probe substrate may be formed on the sacrificial substrate having the first and second probes, and the sacrificial substrate may be removed.

摘要翻译： 可以通过形成设置在牺牲衬底上的探针，在探针上方形成探针衬底，以及去除牺牲衬底来制造探针阵列。 在一个实施例中，第一探针可以在牺牲衬底上在行和列方向上二维地形成。 可以在布置在行方向上的第一探针之间形成第二探针，使得第一和第二探针之间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。 可以在具有第一和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除牺牲衬底。