公开(公告)号：US07936598B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12431162

申请日：2009-04-28

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory cell having a ferromagnetic free layer and a ferromagnetic pinned reference layer, each having an out-of-plane magnetic anisotropy and an out-of-plane magnetization orientation and switchable by spin torque. The cell includes a ferromagnetic assist layer proximate the free layer, the assist layer having a low magnetic anisotropy less than about 500 Oe. The assist layer may have in-plane or out-of-plane anisotropy.

摘要翻译： 一种具有铁磁自由层和铁磁性固定参考层的磁存储单元，每个具有面外磁各向异性和面外磁化取向，并可通过自旋转矩切换。 电池包括靠近自由层的铁磁辅助层，辅助层具有小于约500Oe的低磁各向异性。 辅助层可具有面内或面外各向异性。

公开(公告)号：US08416620B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12943976

申请日：2010-11-11

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Haiwen Xi

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic tunnel junction having a ferromagnetic free layer and a ferromagnetic pinned reference layer, each having an out-of-plane magnetic anisotropy and an out-of-plane magnetization orientation, the ferromagnetic free layer switchable by spin torque. The magnetic tunnel junction includes a ferromagnetic assist layer proximate the free layer, the assist layer having a low magnetic anisotropy less than 700 Oe and positioned to apply a magnetic field on the free layer.

摘要翻译： 具有铁磁自由层和铁磁性固定参考层的磁性隧道结，每个具有面外磁各向异性和面外磁化取向，所述铁磁自由层可通过自旋扭矩切换。 磁性隧道结包括邻近自由层的铁磁性辅助层，辅助层具有小于700Oe的低磁各向异性，并定位成在自由层上施加磁场。

公开(公告)号：US20110058412A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12943976

申请日：2010-11-11

申请人： Yuankai Zheng ,  Haiwen Xi ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Zheng Gao

发明人： Yuankai Zheng ,  Haiwen Xi ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Zheng Gao

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic tunnel junction having a ferromagnetic free layer and a ferromagnetic pinned reference layer, each having an out-of-plane magnetic anisotropy and an out-of-plane magnetization orientation, the ferromagnetic free layer switchable by spin torque. The magnetic tunnel junction includes a ferromagnetic assist layer proximate the free layer, the assist layer having a low magnetic anisotropy less than 700 Oe and positioned to apply a magnetic field on the free layer.

摘要翻译： 具有铁磁自由层和铁磁性固定参考层的磁性隧道结，每个具有面外磁各向异性和面外磁化取向，所述铁磁自由层可通过自旋扭矩切换。 磁性隧道结包括邻近自由层的铁磁性辅助层，辅助层具有小于700Oe的低磁各向异性，并定位成在自由层上施加磁场。

公开(公告)号：US20100271870A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12431162

申请日：2009-04-28

申请人： Yuankai Zheng ,  Haiwen Xi ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Zheng Gao

发明人： Yuankai Zheng ,  Haiwen Xi ,  Wonjoon Jung ,  Xuebing Feng ,  Xiaohua Lou ,  Zheng Gao

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/416 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory cell having a ferromagnetic free layer and a ferromagnetic pinned reference layer, each having an out-of-plane magnetic anisotropy and an out-of-plane magnetization orientation and switchable by spin torque. The cell includes a ferromagnetic assist layer proximate the free layer, the assist layer having a low magnetic anisotropy less than about 500 Oe. The assist layer may have in-plane or out-of-plane anisotropy.

摘要翻译： 一种具有铁磁自由层和铁磁性固定参考层的磁存储单元，每个具有面外磁各向异性和面外磁化取向，并可通过自旋转矩切换。 电池包括靠近自由层的铁磁辅助层，辅助层具有小于约500Oe的低磁各向异性。 辅助层可具有面内或面外各向异性。

公开(公告)号：US20110260274A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13176029

申请日：2011-07-05

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

摘要翻译： 磁性电池包括具有自由磁化取向方向的铁磁自由层和具有与自由磁化取向方向平行或反平行的第一参考磁化取向方向的第一铁磁性固定参考层。 第一氧化物阻挡层位于铁磁性自由层和第一铁磁性固定基准层之间。 磁性单元还包括具有与第一参考磁化取向方向正交的第二参考磁化定向方向的第二铁磁性固定参考层。 铁磁自由层在第一铁磁性钉扎参考层和第二铁磁性固定基准层之间。

公开(公告)号：US08519498B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13613002

申请日：2012-09-13

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/02

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

摘要翻译： 磁性电池包括具有自由磁化取向方向的铁磁自由层和具有与自由磁化取向方向平行或反平行的第一参考磁化取向方向的第一铁磁性固定参考层。 第一氧化物阻挡层位于铁磁性自由层和第一铁磁性固定基准层之间。 磁性单元还包括具有与第一参考磁化取向方向正交的第二参考磁化定向方向的第二铁磁性固定参考层。 铁磁自由层在第一铁磁性钉扎参考层和第二铁磁性固定基准层之间。

公开(公告)号：US08405171B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12947516

申请日：2010-11-16

申请人： Yuankai Zheng ,  Xiaohua Lou ,  Wei Tian ,  Zheng Gao ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Xiaohua Lou ,  Wei Tian ,  Zheng Gao ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/30 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： An apparatus and associated method for a non-volatile memory cell with a phonon-blocking insulating layer. In accordance with various embodiments, a magnetic stack has a tunnel junction, ferromagnetic free layer, pinned layer, and an insulating layer that is constructed of an electrically and thermally insulative material that blocks phonons while allowing electrical transmission through at least one conductive feature.

摘要翻译： 一种具有声阻隔绝缘层的非易失性存储单元的装置和相关方法。 根据各种实施例，磁性堆叠具有隧道结，铁磁自由层，被钉扎层和由电绝缘材料和热绝缘材料构成的绝缘层，其阻挡声子同时允许通过至少一个导电特征的电传输。

公开(公告)号：US20110006385A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12502209

申请日：2009-07-13

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

公开(公告)号：US20120119313A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12947516

申请日：2010-11-16

申请人： Yuankai Zheng ,  Xiaohua Lou ,  Wei Tian ,  Zheng Gao ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Xiaohua Lou ,  Wei Tian ,  Zheng Gao ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/30 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： An apparatus and associated method for a non-volatile memory cell with a phonon-blocking insulating layer. In accordance with various embodiments, a magnetic stack has a tunnel junction, ferromagnetic free layer, pinned layer, and an insulating layer that is constructed of an electrically and thermally insulative material that blocks phonons while allowing electrical transmission through at least one conductive feature.

摘要翻译： 一种具有声阻隔绝缘层的非易失性存储单元的装置和相关方法。 根据各种实施例，磁性堆叠具有隧道结，铁磁自由层，被钉扎层和由电绝缘材料和热绝缘材料构成的绝缘层，其阻挡声子同时允许通过至少一个导电特征的电传输。

公开(公告)号：US20130001720A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13613002

申请日：2012-09-13

申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

摘要翻译： 磁性电池包括具有自由磁化取向方向的铁磁自由层和具有与自由磁化取向方向平行或反平行的第一参考磁化取向方向的第一铁磁性固定参考层。 第一氧化物阻挡层位于铁磁性自由层和第一铁磁性固定基准层之间。 磁性单元还包括具有与第一参考磁化取向方向正交的第二参考磁化定向方向的第二铁磁性固定参考层。 铁磁自由层在第一铁磁性钉扎参考层和第二铁磁性固定基准层之间。