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    MAGNETIC STACK WITH LAMINATED LAYER
    2.
    发明申请
    MAGNETIC STACK WITH LAMINATED LAYER 有权
    具有层压板的磁性堆叠

    公开(公告)号：US20100090261A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12425451

    申请日：2009-04-17

    申请人： Yuankai Zheng ,  Xuebing Feng ,  Zheng Gao

    发明人： Yuankai Zheng ,  Xuebing Feng ,  Zheng Gao

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/00

    CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic stack with a multilayer free layer having a switchable magnetization orientation, the free layer comprising a first ferromagnetic portion and a second ferromagnetic portion with an electrically conducting non-magnetic intermediate layer between the first portion and the second portion. The magnetic stack also includes a first ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, a first non-magnetic spacer layer between the free layer and the first reference layer, a second ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, and a second non-magnetic spacer layer between the free layer and the second reference layer.

    摘要翻译： 具有具有可切换磁化取向的多层自由层的磁性堆叠，所述自由层包括第一铁磁部分和在第一部分和第二部分之间具有导电非磁性中间层的第二铁磁部分。 磁性堆栈还包括具有钉扎磁化取向的第一铁磁参考层，在自由层和第一参考层之间的第一非磁性间隔层，具有钉扎​​磁化取向的第二铁磁参考层和第二非磁性参考层 间隔层在自由层和第二参考层之间。

    MAGNETIC STACK WITH LAMINATED LAYER
    4.
    发明申请
    MAGNETIC STACK WITH LAMINATED LAYER 审中-公开
    具有层压板的磁性堆叠

    公开(公告)号：US20120018788A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：US13248361

    申请日：2011-09-29

    申请人： Yuankai Zheng ,  Xuebing Feng ,  Zheng Gao

    发明人： Yuankai Zheng ,  Xuebing Feng ,  Zheng Gao

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic stack with a multilayer free layer having a switchable magnetization orientation, the free layer comprising a first ferromagnetic portion and a second ferromagnetic portion with an electrically conducting non-magnetic intermediate layer between the first portion and the second portion. The magnetic stack also includes a first ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, a first non-magnetic spacer layer between the free layer and the first reference layer, a second ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, and a second non-magnetic spacer layer between the free layer and the second reference layer.

    摘要翻译： 具有具有可切换磁化取向的多层自由层的磁性堆叠，所述自由层包括第一铁磁部分和在第一部分和第二部分之间具有导电非磁性中间层的第二铁磁部分。 磁性堆栈还包括具有钉扎磁化取向的第一铁磁参考层，在自由层和第一参考层之间的第一非磁性间隔层，具有钉扎​​磁化取向的第二铁磁参考层和第二非磁性参考层 间隔层在自由层和第二参考层之间。

    Magnetic stack with laminated layer
    5.
    发明授权
    Magnetic stack with laminated layer 有权
    磁性叠层叠层

    公开(公告)号：US08039913B2

    公开(公告)日：2011-10-18

    申请号：US12425451

    申请日：2009-04-17

    申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Xuebing Feng

    发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Xuebing Feng

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic stack with a multilayer free layer having a switchable magnetization orientation, the free layer comprising a first ferromagnetic portion and a second ferromagnetic portion with an electrically conducting non-magnetic intermediate layer between the first portion and the second portion. The magnetic stack also includes a first ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, a first non-magnetic spacer layer between the free layer and the first reference layer, a second ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, and a second non-magnetic spacer layer between the free layer and the second reference layer.

    摘要翻译： 具有具有可切换磁化取向的多层自由层的磁性堆叠，所述自由层包括第一铁磁部分和在第一部分和第二部分之间具有导电非磁性中间层的第二铁磁部分。 磁性堆栈还包括具有钉扎磁化取向的第一铁磁参考层，在自由层和第一参考层之间的第一非磁性间隔层，具有钉扎​​磁化取向的第二铁磁参考层和第二非磁性参考层 间隔层在自由层和第二参考层之间。

    Magnetic tunnel junction with electronically reflective insulative spacer
    8.
    发明授权
    Magnetic tunnel junction with electronically reflective insulative spacer 有权
    磁性隧道结与电子反射绝缘垫片

    公开(公告)号：US08289758B2

    公开(公告)日：2012-10-16

    申请号：US12943979

    申请日：2010-11-11

    申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

    发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/161

    摘要： Magnetic tunnel junctions having a specular insulative spacer are disclosed. The magnetic tunnel junction includes a free magnetic layer, a reference magnetic layer, an electrically insulating and non-magnetic tunneling barrier layer separating the free magnetic layer from the reference magnetic layer, and an electrically insulating and electronically reflective layer positioned to reflect at least a portion of electrons back into the free magnetic layer.

    摘要翻译： 公开了具有镜面绝缘间隔物的磁隧道结。 磁性隧道结包括自由磁性层，参考磁性层，将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘和非磁性隧道势垒层，以及电绝缘和电子反射层，其被定位成反射至少一个 部分电子返回自由磁性层。

    MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELLS HAVING PERPENDICULAR ANISOTROPY AND ENHANCEMENT LAYER
    9.
    发明申请
    MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELLS HAVING PERPENDICULAR ANISOTROPY AND ENHANCEMENT LAYER 审中-公开
    具有均匀分布和增强层的磁性隧道连接电极

    公开(公告)号：US20120104522A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US12916738

    申请日：2010-11-01

    申请人： Wonjoon Jung ,  Yuankai Zheng ,  Zheng Gao

    发明人： Wonjoon Jung ,  Yuankai Zheng ,  Zheng Gao

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01F10/3254 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic tunnel junction cell that includes a ferromagnetic free layer; an enhancement layer having a thickness of at least about 15 Å; an oxide barrier layer; and a ferromagnetic reference layer, wherein the enhancement layer and the oxide barrier layer are positioned between the ferromagnetic reference layer and ferromagnetic free layer and the oxide barrier layer is positioned adjacent the ferromagnetic reference layer, and wherein the ferromagnetic free layer, the ferromagnetic reference layer, and the enhancement layer all have magnetization orientations that are out-of-plane

    摘要翻译： 包括铁磁自由层的磁性隧道结电池; 增强层，其厚度至少约为15埃; 氧化物阻挡层; 和铁磁参考层，其中增强层和氧化物阻挡层位于铁磁参考层和铁磁性自由层之间，氧化物阻挡层位于铁磁参考层附近，其中铁磁性自由层铁磁参考层 ，增强层都具有非平面的磁化方向

    MAGNETIC STACK HAVING REFERENCE LAYERS WITH ORTHOGONAL MAGNETIZATION ORIENTATION DIRECTIONS
    10.
    发明申请
    MAGNETIC STACK HAVING REFERENCE LAYERS WITH ORTHOGONAL MAGNETIZATION ORIENTATION DIRECTIONS 有权
    具有正交磁化定向方向的参考层的磁性堆栈

    公开(公告)号：US20110260274A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US13176029

    申请日：2011-07-05

    申请人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

    发明人： Yuankai Zheng ,  Zheng Gao ,  Wenzhong Zhu ,  Wonjoon Jung ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic cell includes a ferromagnetic free layer having a free magnetization orientation direction and a first ferromagnetic pinned reference layer having a first reference magnetization orientation direction that is parallel or anti-parallel to the free magnetization orientation direction. A first oxide barrier layer is between the ferromagnetic free layer and the first ferromagnetic pinned reference layer. The magnetic cell further includes a second ferromagnetic pinned reference layer having a second reference magnetization orientation direction that is orthogonal to the first reference magnetization orientation direction. The ferromagnetic free layer is between the first ferromagnetic pinned reference layer and the second ferromagnetic pinned reference layer.

    摘要翻译： 磁性电池包括具有自由磁化取向方向的铁磁自由层和具有与自由磁化取向方向平行或反平行的第一参考磁化取向方向的第一铁磁性固定参考层。 第一氧化物阻挡层位于铁磁性自由层和第一铁磁性固定基准层之间。 磁性单元还包括具有与第一参考磁化取向方向正交的第二参考磁化定向方向的第二铁磁性固定参考层。 铁磁自由层在第一铁磁性钉扎参考层和第二铁磁性固定基准层之间。